Số phần:MT29F8G08ABACAWP-AIT:C
Loại thời gian:Không đồng bộ
Tổ chức:1 G x 8
Số phần:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
Loại thời gian:Không đồng bộ, Đồng bộ
Tốc độ:533 tấn/giây
Số phần:MT28EW01GABA1LPC-0SIT
Ký ức:1Gbit
Giao diện bộ nhớ:song song
Số phần:MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
Điện áp - Cung cấp:2.7V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 105°C (TA)
Số phần:MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G
Xóa khối:2ms
Bộ lệnh:Giao thức flash ONFI NAND
Số phần:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Tần số đồng hồ:100 MHz
Ký ức:256Gbit
Số phần:MT29F2T08EMLEEJ4-R:E
tổ chức bộ nhớ:256G x 8
Giao diện bộ nhớ:song song
Số phần:MT29F2T08EMLEEJ4-T:E
Chiều rộng Bus dữ liệu:8 bit
Tổ chức:256 G x 8
Số phần:MT29F4T08EULEEM4-T:E
Loại lắp đặt:Mặt đất
Nhiệt độ hoạt động:0°C ~ 70°C
Số phần:MT25QL02GCBB8E12-0AAT
Xóa hiệu suất:80KB/giây
tiểu ngành:4KB
Số phần:MT29F2G01ABBGD12-AAT:G
Kích thước bộ nhớ:2Gbit
Giao diện bộ nhớ:SPI
Số phần:MT29F1T08EELEEJ4-R:E
Công nghệ:FLASH-NAND (TLC)
Điện áp - Cung cấp:2.6V ~ 3.6V
Vietnamese
