Số phần:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Cơ quan:128 triệu x 16
Công nghệ:FLASH-NAND
Số phần:MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Cung cấp hiện tại - Tối đa:35mA
Điện áp cung cấp - Tối thiểu:2,7 V
Số phần:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Bao bì / Vỏ:48-TFSOP (0,724", Chiều rộng 18,40mm)
tổ chức bộ nhớ:256M x 8
Số phần:MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F
trang chương trình:240µs (TYP) khi bật ECC trên khuôn
Số lượng máy bay:1
Số phần:MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Loại thời gian:Không đồng bộ
Điện áp - Cung cấp (Tối thiểu):2.7V
Số phần:MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F
Xóa khối:2 mili giây (TYP)
Kích thước:9mm × 11mm × 1,0mm
Số phần:MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F
tổ chức bộ nhớ:1G x 8
Kích thước thiết bị:8Gb: 8.192 khối
Số phần:MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Bao bì / Vỏ:VFBGA-63
Kích thước bộ nhớ:2Gbit
Số phần:MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
Cơ quan:1 G x 8
Loại bộ nhớ:không bay hơi
Số phần:MT29F4G01ABAFD12-AAT:F
Mã FBGA:NW931
Op. op. Temp. Nhiệt độ.:-40C đến +105C
Số phần:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
Khu vực xóa chi tiết thống nhất:128KB
xóa phân ngành:4KB
Số phần:MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Loại thời gian:Không đồng bộ
Mật độ:1GB
Vietnamese
