Bóng bán dẫn kênh N IMW120R030M1H MOSFET rãnh SiC CoolSiC 1200V trong gói TO247-3 Mô tả sản phẩm IMW120R030M1H IMW120R030M1H CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET trong gói TO247-3 được xây dựng trên quy ...Xem thêm
Tin nhắn của kháchĐể lại tin nhắn.
Chưa có bình luận công khai
Bóng bán dẫn kênh N IMW120R030M1H MOSFET rãnh SiC CoolSiC 1200V trong gói TO247-3