một phần số:CY8C4247AZS-M475
Tỷ lệ từ chối cung cấp điện:70dB
Tỷ lệ loại bỏ chế độ chung:66dB
một phần số:CY8C4245AZA-M443
tăng lỗi:±0,1 %
Điện áp bù đầu vào:2mV
một phần số:CY8C4245AZS-M445
Độ rộng xung đặt lại bên ngoài:1µs
Dòng rò đầu vào:2nA
một phần số:CY8C4246AZA-M445
TCPWM:16-Bit
Điện áp đầu ra:1,8 V
một phần số:SPC5602PEF0MLL6R
ADC:ADC x 2
Loại dao động:Nội bộ
một phần số:CY8C4247AZA-M483
Độ trễ đầu vào CMOS:0,5mV
Tổng nguồn hoặc chip chìm tối đa hiện tại:200mA
một phần số:SPC5668GF1AVMG
RAM nhúng:592 KB
Bộ xử lý lõi:e200z650
một phần số:CY8C4247LWA-M464T
SRAM:16 kByte
Kết thúc bóng chì:Sn tinh khiết
một phần số:STM32L412RBI6
ĐẬP:40K x 8
Tốc độ:80 MHz
một phần số:SPC5643AF0MLU2
Bộ xử lý lõi:e200z4
eTPU2:eTPU2 32 kênh
một phần số:SPC5642AF2MVZ1
eSCI:eSCI 3×
DSPI:3× DSPI
một phần số:SPC5604EEF2MLH
lõi CPU:32-bit
ECC:512 KB
