Số phần:XC7A75T-3CSG324E
Kết hợp bù đắp (Tối đa):4 LSB
Phạm vi tốc độ dữ liệu nối tiếp FGTPTX (Tối thiểu):0,5Gb/giây
một phần số:XCKV15P-2FFVA1156E
Bưu kiện:BGA
Kiểu:vi mạch tích hợp
Số phần:XC7A75T-2CSG324C
Tỷ lệ mẫu (Tối đa):1MS/giây
Tần số đồng hồ DRP (Tối đa):250MHz
Số phần:XC7A75T-2CSG324I
Phạm vi nhiệt độ (lập trình eFUSE):15°C ~ 125°C
Loại lắp đặt:Mặt đất
một phần số:XC7A100T-2FGG676I
I/O người dùng tối đa:256
GTP:số 8
Số phần:XC7A75T-2FGG484C
RIN Điện trở đầu vào vi sai (Typ):100Ω
CEXT Tụ điện ghép nối AC bên ngoài cần thiết (Typ):100nF
một phần số:XC3S50A-4VQG100C
RAM phân phối tối đa:75KB
Khối điều khiển bộ nhớ:2
một phần số:XC3S50A-4VQG100I
Mỗi thiết bị:64
DDR4:2400Mb/giây
một phần số:XC6SLX45-L1CSG324I
Tế bào logic:24KB
CMT:6
một phần số:XC6SLX25-3CSG324C
số nhân:18 x 18
băng thông cao nhất:12,8 Gb/giây
Số phần:XC7A75T-L2FGG484E
Phạm vi tốc độ dữ liệu nối tiếp FGTPTX (Tối thiểu):0,5Gb/giây
OOB phát hiện ngưỡng từ đỉnh đến đỉnh:60mV ~ 150mV
Số phần:XC7A75T-1CSG324C
Tỷ lệ mẫu (Tối đa):1MS/giây
Kết hợp bù đắp (Tối đa):4 LSB
Vietnamese
