một phần số:NXH40T120L3Q1PTG
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:7,753 nF @ 20 V
Đầu vào:tiêu chuẩn
một phần số:NXH400N100H4Q2F2PG
Loại IGBT:Rãnh trường dừng
Cấu hình:Biến tần ba cấp
một phần số:FF450R12ME4
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector:1200 V
Cấu hình:Biến tần nửa cầu
một phần số:MSCSM120HM16CT3AG
Tổng phí cổng:1602nC
Cấu hình:4 kênh N
một phần số:MSCSM170HM23CT3AG
Công suất tiêu tán TC = 25 °C:602W(Tối đa)
Điện trở BẬT nguồn xả (Tối đa):22,5mΩ
một phần số:MSCSM120HM083CAG
VGS:10V
Sự thât thoat năng lượng:1042W
một phần số:MSCSM120HM063CAG
dòng xả xung:900A
Phí cổng nguồn:232nC
một phần số:MSCSM170HM087CAG
Công nghệ:Cacbua silic (SiC)
Cấu hình:4 kênh N (Toàn cầu)
một phần số:MSCSM70HM038CAG
Nhiệt độ hoạt động tối đa:+ 125C
Kiểu:Cây cầu đầy đủ
một phần số:MSCSM170DUM039AG
Gói / Trường hợp:mô-đun
Điện áp xả nguồn (Tối đa):1700V
một phần số:MSCSM70HM05CAG
VF:1,5 V
Công nghệ:SIC
một phần số:MSCSM70HM19CT3AG
Sức mạnh tối đa:365W (TC)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds:4500pF @ 700V
Vietnamese
