một phần số:TW083N65C,S1F
danh mục sản phẩm:MOSFET
Qg - Phí cổng:21 nC
một phần số:TW140N120C,S1F
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:1,2kV
phong cách gắn kết:Thông qua lỗ
một phần số:SCTH35N65G2V-7AG
Chế độ kênh:Sự nâng cao
Cấu hình:Đơn
một phần số:SCTH35N65G2V-7
Vdss:650 V
ổ đĩa điện áp:18V, 20V
một phần số:SCTH40N120G2V-7
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn:5 V
một phần số:SCT10N120AG
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:- 55 độ C
Nhiệt độ hoạt động tối đa:+ 200C
một phần số:TW030N120C,S1F
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds:2925 pF @ 800 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss:82 nC @ 18 V
một phần số:TW015N65C,S1F
Công nghệ:SiCFET (Cacbua silic)
điện dung đầu vào:4850pF
một phần số:TW048N65C,S1F
Vss(th) (Tối đa) @ Id:5V @ 1.6mA
tăng thời gian:43 ns
một phần số:SCTW40N120G2VAG
Điện áp truyền động (Bật Rds tối đa, Bật Rds tối thiểu):18V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C:33A (Tc)
một phần số:SCTWA30N120
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:1,2kV
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước:100 mOhms
một phần số:IMMBG65R083M1HXTMA1
Công nghệ:SIC
phong cách gắn kết:SMD/SMT
