một phần số:TK10A80E
Loại FET:kênh N
Công nghệ:MOSFET (Ôxít kim loại)
một phần số:IPB120N10S4-05
Tình trạng sản phẩm:Hoạt động
Loại FET:kênh N
một phần số:EP4CE15F23C8N
bộ nhớ nhúng:504 kbit
Số phần tử logic:15408 LÊ
một phần số:STM32F429VGT6TR
Tốc độ:180MHz
Bộ nhớ flash:Lên đến 2MB
một phần số:ASP-175864-01
Số vị trí:40
Kiểu lắp:Bề mặt gắn kết
một phần số:ASP-161956-02
Kiểu:Kết nối bảng xếp chồng
Bưu kiện:SMD
một phần số:LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Tốc độ dữ liệu:900 Mb/giây
RAM phân tán:73 kbit
một phần số:AFE4900YZR
Dải động:Lên đến 100dB
Mức tăng INA có thể lập trình:2,15 đến 12,92
một phần số:MIC5205YM5-TR
Điện áp - Đầu vào (Tối đa):16V
Điện áp - Đầu ra (Tối thiểu/Cố định):1.242V
một phần số:FH40-24S-0.5SV
Loại Flex phẳng:FPC
Kiểu lắp:Bề mặt gắn kết
một phần số:LSHM-120-L6.0-L-DV-A-S-K-TR
Loại trình kết nối:Tự giao phối, Không giới tính, Lưỡng tính
Số vị trí:40
một phần số:2331813-3
Loại thẻ:Không chỉ định - Cạnh kép
Số Vị trí/Vịnh/Hàng:28; 28; 14 14
Vietnamese
