một phần số:TPS54040ADGQR
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tần số - Chuyển đổi:100kHz ~ 2,5MHz
một phần số:NVTFS016N06CTAG
Công nghệ:MOSFET (Ôxít kim loại)
Điện áp truyền động (Bật Rds tối đa, Bật Rds tối thiểu):10V
một phần số:NVH4L080N120SC1
1200 V @TJ:175°C
loại RDS (bật):80 mΩ
một phần số:ADC3662IRSBR
Cấu hình:ADC
Tỷ lệ - S/H:ADC:0:2
một phần số:CY14E256LA-SZ45XI
Loại bộ nhớ:không bay hơi
Định dạng bộ nhớ:NVSRAM
một phần số:K4F6E3S4HM-MGCJ
Nhiệt độ hoạt động (Tối thiểu):-25°C
Cơ quan:x32
một phần số:ADC3681IRSBR
sàn tiếng ồn:-160dBFS/Hz
INL/DNL:±7/ ±0,7 LSB (điển hình)
một phần số:MIC2951-02YM-TR
Số lượng cơ quan quản lý:1
Điện áp - Đầu vào (Tối đa):30V
một phần số:ISL91212BIIZ-T
Số đầu ra:4
Điện áp - Đầu vào (Tối thiểu):2,5V
một phần số:ADAU1450WBCPZ-RL
Lõi SigmaDSP 32-bit:Lên đến 294,912 MHz
Tham số/dữ liệu RAM:Lên đến 40 kW
một phần số:IPW50R199CPFKSA1
Xả điện áp nguồn (Vdss):550 V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C:17A (TC)
một phần số:STM32H743XIH6
Bộ nhớ flash:Lên đến 2 MB
Giao diện bộ nhớ Quad-SPI chế độ kép:Chạy lên đến 133 MHz
