TRF0108RPVT/EM Tăng cường RF chống bức xạ gần DC đến 12GHz khác biệt đến một đầu với tăng 17,1dB

TRF0108RPVT / EM là một bộ khuếch đại hiệu suất rất cao, phân biệt đến một đầu (D2S) được tối ưu hóa cho các ứng dụng tần số vô tuyến (RF).Thiết bị là một sự lựa chọn tuyệt vời cho các ứng dụng đòi hỏi chuyển đổi D2S khi được điều khiển bởi một bộ chuyển đổi kỹ thuật số sang analog (DAC) như hiệu suất cao DAC39RF10-SEP hoặc AFE7950-SEP.

Các thành phần khớp trên chip đơn giản hóa việc triển khai bảng mạch in (PCB) và cung cấp hiệu suất cao nhất trên băng thông có thể sử dụng.Thiết bị được chế tạo bằng cách sử dụng Texas Instruments tiến bộ bổ sung BiCMOS quy trình và có sẵn trong một không gian tiết kiệm, WQFN-FCRLF 2mm x 2mm gói.

• Tần số: 0Hz ~ 12GHz
• P1dB: 11,4dBm
• Lợi nhuận: 17.1dB
• Con số tiếng ồn: 12,3dB
• Loại RF: Radar
• Dòng điện áp: 4,75V ~ 5,25V
• Nguồn điện: 170mA
• Tần số thử nghiệm: 2GHz

• Số bản vẽ của người bán: VID V62/26604
• Độ dung nạp bức xạ với tổng liều ion hóa (TID) lên đến 30krad (Si)
• Đảm bảo độ cứng bức xạ (RHA) lên đến 30krad (Si) TID
• Quá trình miễn phí tăng cường độ nhạy thấp liều (ELDRS)
• SEL miễn dịch với LET 43MeV-cm2/mg
• Xây dựng nhựa tăng cường không gian (Space EP, SEP)
• Thiết kế không chì
• Phạm vi nhiệt độ mở rộng: -55°C đến +125°C
• Khả năng tăng cường RF khác biệt đến một đầu (D2S)
• Hoạt động gần DC đến 12GHz
• Tăng: 15.2dB ở 2GHz
• OP1dB: 11,4dBm (2GHz), 9,4dBm (6GHz)
• OIP3: 27dBm (2GHz), 28,5dBm (6GHz)
• NF: 10.9dB (2GHz), 12.1dB (6GHz)
• Tính năng tắt điện
• Nguồn cấp 5V với dòng điện hoạt động: 170mA

• Giao diện trực tiếp với RF DAC
• Hệ thống hàng không vũ trụ và quốc phòng
• Radar phased array
• Trọng lượng liên lạc
• Trọng lượng chụp radar