|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Mã sản phẩm: | IQE018N06NM6 | ID (@25°C) tối đa: | 178 a |
|---|---|---|---|
| QG (loại @10V): | 43 nC | RDS (bật) (@ 10V) tối đa: | 1,8 mΩ |
| VDS tối đa: | 60 V | Nhiệt độ hoạt động: | -55°C đến 175°C |
| Làm nổi bật: | Transistor MOSFET công suất 60V,178 Một chip mạch tích hợp,1 |
||
IQE018N06NM6 là một Transistor MOSFET 60V OptiMOS TM 6 Power trong gói PG-TSON-8. Công nghệ wafer mới nhất của Infineon mang lại cải tiến hiệu suất đáng kể so với OptiMOS TM 5,bao gồm > 37% RDS thấp hơn ((on) và ~ 25% cải thiện FOMQg x RDS ((on))Những cải tiến này dẫn đến hiệu quả hệ thống cao hơn và mật độ điện cho các topology chuyển đổi mềm và các ứng dụng tần số thấp.
| ID (@25°C) tối đa | 178 A |
| Độ cực | N |
| QG (thường là @10V) | 43 sau Công nguyên |
| RDS (đã bật) (@10V) tối đa | 1.8 mΩ |
| VDS tối đa | 60 V |
| VGS (th) | 2.7 V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C đến 175 °C |
| Gói | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
Động cơ truyền động chung
Chuyển đổi công suất DC-DC
| Số phần | Gói |
|---|---|
| IXXN100N60B3H1 | SOT-227-4 |
| IXA17IF1200HJ | TO-247-3 |
| IXXH60N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXXK200N65B4 | TO-264-3 |
| IXXR110N65B4H1 | TO-247-3 |
| IXYH100N65C3 | TO-247-3 |
| IXYN82N120C3 | SOT-227-4 |
| IXXX160N65C4 | TO-247-3 |
| IXGX120N60A3 | TO-247-3 |
| IXXK110N65B4H1 | TO-264-3 |
| IXBA14N300HV | TO-263-3 |
| IXYP20N65C3D1M | TO-220-3 |
| IXXN340N65B4 | SOT-227-4 |
| MMIX1X340N65B4 | 24-PowerSMD |
| IXYT12N250CV1HV | TO-268-3 |
| IXYA30N120A3HV | TO-263-3 |
| IXYA12N250CHV | TO-263-3 |
| IXGA20N250HV-TRL | TO-263-3 |
| IXYN100N65B3D1 | SOT-227-4 |
| IXA4IF1200TC-TRL | TO-268-3 |
| IXXT100N75B4HV | TO-263-3 |
| IXYP30N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120A4 | TO-220-3 |
| IXYP20N120B4 | TO-220-3 |
| IXYH40N120B4 | TO-247-3 |
| IXYP24N100A4 | TO-220-3 |
| IXYH20N65B3 | TO-247-3 |
| IXYT40N120A4HV | TO-268-3 |
| IXYP20N120C4 | TO-220-3 |
| IXYP15N65B3D1 | TO-220-3 |
Người liên hệ: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753