|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Số phần: | GD25Q127CSIGR | Kích thước bộ nhớ: | 128Mbit |
|---|---|---|---|
| tổ chức bộ nhớ: | 16M x 8 | Tần số đồng hồ: | 104 MHz |
| Điện áp - Nguồn cung cấp: | 2.7V ~ 3.6V | Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Làm nổi bật: | Chip IC bộ nhớ 128M-Bit,Bộ nhớ Flash nối tiếp 104 MHz NOR,Bộ nhớ flash SPI Quad I/O |
||
| Định dạng bộ nhớ | Flash |
|---|---|
| Công nghệ | Flash - Không |
| Kích thước bộ nhớ | 128Mbit |
| Tổ chức trí nhớ | 16m x 8 |
| Giao diện bộ nhớ | SPI - Quad I/O |
| Tần số đồng hồ | 104 MHz |
| Viết Thời gian chu kỳ | 12μs (Word), 2,4ms (Page) |
| Cung cấp điện áp | 2.7V ~ 3.6V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Số phần | Gói |
|---|---|
| Đơn vị kiểm tra: | Mô-đun |
| NRF9161-LACA-R7 | 127-LGA |
| SARA-R410M-63BWSIM | LGA-96 |
| SARA-R410M-73BWSIM | LGA-96 |
| SARA-R422-01BWSIM | LGA-96 |
| MPCI-L210-03S | Mô-đun |
| MPCI-L210-63S | Mô-đun |
| MPCI-L220-02S | Mô-đun |
| MPCI-L280-03S | Mô-đun |
| SARA-R500S-01BWSIM | LGA-96 |
| NRF9160-SIBA-B1A-R | LGA |
| SARA-R410M-02BWSIM | LGA-96 |
| SARA-R500S-00BWSIM | LGA-96 |
| SARA-R510M8S-00BWSIM | LGA-96 |
| SARA-R510S-01BWSIM | LGA-96 |
| MPCI-L220-62S | Mô-đun |
| SARA-R410M-83B | LGA-96 |
| SARA-R410M-83BWSIM | LGA-96 |
| EG916QGLLC-N03-SNNSA | LGA |
| RG650VEU01AA-G93-SGASA | LGA |
| SARA-R410M-02B-04 | LGA-96 |
| EG800GEULD-I03-SNNDA | LGA |
| EG912NENAA-N06-MN0AA | LGA |
| EG060WEAAA-M25-CNASA | LGA |
| RM500UCNAB-D10-SNADA | M.2 |
| BC95GRPB-04-STD | LCC |
| RM500UCNCB-D10-SNADA | M.2 |
| BGM240PA32VNN3R | Mô-đun |
| NINA-B406-00B | Mô-đun |
| NINA-B111-04B | Mô-đun |
Người liên hệ: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753