PAFSC5G35E37R9 Chiếc mạch tích hợp Chip Power Amplifier Module cho LTE và 5G

PAFSC5G35E37R9 Chiếc mạch tích hợp Chip Power Amplifier Module cho LTE và 5G

Mô tả sản phẩm của PAFSC5G35E37R9
PAFSC5G35E37R9 là một mô-đun khuếch đại công suất hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng 5G và LTE và đại diện cho trạng thái nghệ thuật mới nhất trong các công nghệ RF front-end hiện tại.Mô-đun được sản xuất bằng cách sử dụng công nghệ quá trình LDMOS tiên tiến (bản bán dẫn oxit kim loại khuếch tán bên) và thuộc chế độ hoạt động lớp AB và lớp C, cung cấp hiệu quả năng lượng gia tăng tuyệt vời (PAE) và hiệu suất tuyến tính.

Từ góc độ các thông số cốt lõi, phạm vi tần số hoạt động của PAFSC5G35E37R9 bao gồm 3400MHz đến 3600MHz. Dải tần số này tương ứng với băng tần số n78 (3.3-3.8 GHz) của 5G NR và một số băng tần LTE, làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho các trạm cơ sở 5G nhỏ và thiết bị chuyển tiếp.tốt hơn đáng kể so với mức trung bình khoảng 30% cho các sản phẩm tương tự trên thị trườngTăng năng lượng của nó đạt 34,5 dB ở tần số thử nghiệm 2350MHz, cho thấy khả năng khuếch đại tín hiệu xuất sắc.

Việc xử lý năng lượng của PAFSC5G35E37R9 cũng ấn tượng. mô-đun có một P3dB điển hình (1dB sức mạnh đầu ra điểm nén) là 44,8 dBm (khoảng 30,2 W),vẫn duy trì tính tuyến tính tốt ở công suất sản xuất trung bình 5W3Tính năng này cho phép nó xử lý các đặc điểm tỷ lệ đỉnh-trên-mức trung bình (PAR) của tín hiệu LTE và 5G,đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các hệ thống truyền thông hiện đại để khuếch đại tín hiệu trong phạm vi động lực caoNăng lượng hoạt động tiêu chuẩn của mô-đun là 28V, đó là một thiết kế điện áp trung bình và đạt được sự cân bằng tốt giữa hiệu quả và sự phức tạp.

Về mặt tích hợp hệ thống, PAFSC5G35E37R9 áp dụng thiết kế khớp trở ngại đầu vào và đầu ra, đơn giản hóa sự phức tạp của thiết kế của đầu cuối RF3.Thiết kế tích hợp này làm giảm nhu cầu của mạng lưới kết hợp bên ngoài, điều này không chỉ làm giảm diện tích PCB mà còn cải thiện sự ổn định và nhất quán của hệ thống.đảm bảo hiệu suất ACLR (tỷ lệ rò rỉ kênh liền kề) và EVM (chỉ số vector lỗi) tuyệt vời dưới các định dạng điều chế khác nhau (như QPSK), 16QAM, 64QAM).

So với các bộ khuếch đại công suất 5G khác trên thị trường, chẳng hạn như HWA1330 của Hanwei Optoelectronics (band n78, PAE > 30%) 8 hoặc ANADIGICS 'ALT6704 (1710-1785MHz, hiệu suất cao hơn 40%),PAFSC5G35E37R9 cho thấy hiệu suất cân bằng hơn trong 3Phạm vi tần số.4-3.6 GHz, đặc biệt là trong vị trí hàng đầu trong ngành trong các chỉ số toàn diện về hiệu quả và tính tuyến tính.Ưu điểm hiệu suất này làm cho nó trở thành giải pháp ưa thích cho các trạm cơ sở 5G nhỏ, thiết bị chuyển tiếp và kịch bản triển khai mạng mật độ cao.

Các thành phần điện tử khác trong kho

Câu hỏi thường gặp
Q. Sản phẩm của anh có nguyên bản không?
A: Vâng, tất cả các sản phẩm là gốc, mới nhập khẩu gốc là mục đích của chúng tôi.
Hỏi: Bạn có chứng chỉ nào?
A: Chúng tôi là công ty được chứng nhận ISO 9001: 2015 và là thành viên của ERAI.
Q: Bạn có thể hỗ trợ đơn đặt hàng số lượng nhỏ hoặc mẫu?
A: Vâng, chúng tôi hỗ trợ đơn đặt hàng mẫu và nhỏ. Chi phí mẫu là khác nhau theo đơn đặt hàng hoặc dự án của bạn.
Hỏi: Làm thế nào để vận chuyển đơn đặt hàng của tôi?
A: Chúng tôi sử dụng nhanh để vận chuyển, chẳng hạn như DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Chúng tôi cũng có thể sử dụng nhà chuyển phát đề xuất của bạn.Sản phẩm sẽ được đóng gói tốt và đảm bảo an toàn và chúng tôi chịu trách nhiệm về sản phẩm thiệt hại cho đơn đặt hàng của bạn.
Hỏi: Còn thời gian giao hàng?
A: Chúng tôi có thể vận chuyển các bộ phận trong kho trong vòng 5 ngày làm việc. Nếu không có cổ phiếu, chúng tôi sẽ xác nhận thời gian dẫn đầu cho bạn dựa trên số lượng đơn đặt hàng của bạn.