|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Mã sản phẩm: | IPW60R017C7 | VGS (Tối đa): | ±20V |
|---|---|---|---|
| Tản điện (Tối đa): | 446W (Tc) | Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp: | Qua lỗ | Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds: | 9890 pF @ 400 V |
| Làm nổi bật: | IPW60R017C7,Chip mạch tích hợp IPW60R017C7,Transistor MOSFET kênh N |
||
Dòng MOSFET siêu nối (SJ) CoolMOS™ C7 600V mang lại mức giảm ~50% tổn hao tắt máy (Eoss) so với CoolMOS™ CP, mang lại hiệu suất vượt trội trong các cấu trúc PFC, TTF và các cấu trúc chuyển mạch cứng khác.
| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Mã sản phẩm | IPW60R017C7 |
| Loại FET | Kênh N |
| Công nghệ | MOSFET (Kim loại Oxit) |
| Điện áp cực Drain đến cực Source (Vdss) | 600 V |
| Dòng điện - Cực Drain liên tục (Id) @ 25°C | 109A (Tc) |
| Điện áp điều khiển (Rds Bật tối đa, Rds Bật tối thiểu) | 10V |
| Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs | 17mΩ @ 58.2A, 10V |
| Vgs(th) (Tối đa) @ Id | 4V @ 2.91mA |
| Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Mã sản phẩm | Gói |
|---|---|
| 5CEFA4M13I7N | BGA |
| LM5175RHFR | VQFN28 |
| TPS650942A0RSKR | VQFN64 |
| TPS63070RNMR | VQFN-15 |
| MSP430F2481TPMR | LQFP64 |
| STM32H743IIT6 | LQFP176 |
Người liên hệ: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753