Bóng bán dẫn 650V IMW65R057M1H MOSFET silicon carbide kênh N TO-247-3 FET đơn

Bóng bán dẫn 650V IMW65R057M1H MOSFET silicon carbide N kênh TO-247-3 FET đơn

Mô tả sản phẩm củaIMW65R057M1H

IMW65R057M1H là MOSFET kênh N 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Bóng bán dẫn, xuyên lỗ, hành vi chuyển đổi được tối ưu hóa ở dòng điện cao hơn.

đặc điểm kỹ thuật củaIMW65R057M1H

Tính năng của IMW65R057M1H

• Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: 650 V
• Id - Dòng xả liên tục: 35 A
• Rds On - Điện trở nguồn thoát nước: 74 mOhms
• Vgs - Điện áp cổng nguồn: - 5 V, + 23 V
• Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: 5,7 V

Các loại sản phẩm cung cấp khác

Câu hỏi thường gặp

Q: Sản phẩm của bạn có phải là bản gốc không?
A: Vâng, tất cả các sản phẩm là bản gốc, nhập khẩu ban đầu mới là mục đích của chúng tôi.
Q: Bạn có Chứng chỉ nào?
Trả lời: Chúng tôi là Công ty được chứng nhận ISO 9001:2015 và là thành viên của ERAI.
Q: Bạn có thể hỗ trợ đặt hàng số lượng nhỏ hoặc lấy mẫu không? Mẫu có miễn phí không?
Trả lời: Có, chúng tôi hỗ trợ đơn hàng mẫu và đơn hàng nhỏ. Chi phí mẫu khác nhau tùy theo đơn hàng hoặc dự án của bạn.
Q: Làm thế nào để vận chuyển đơn đặt hàng của tôi?Nó có an toàn không?
Trả lời: Chúng tôi sử dụng chuyển phát nhanh để vận chuyển, chẳng hạn như DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Chúng tôi cũng có thể sử dụng công ty giao nhận được đề xuất của bạn. Sản phẩm sẽ được đóng gói tốt và đảm bảo an toàn và chúng tôi chịu trách nhiệm về thiệt hại sản phẩm đối với đơn đặt hàng của bạn.
Q: Điều gì về thời gian dẫn đầu?
Trả lời: Chúng tôi có thể vận chuyển các bộ phận trong kho trong vòng 5 ngày làm việc. Nếu không có hàng trong kho, chúng tôi sẽ xác nhận thời gian giao hàng cho bạn dựa trên số lượng đặt hàng của bạn.