|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Mã sản phẩm: | SCT1000N170AG | Tổng công suất tiêu tán ở TC = 25 °C: | 96w |
|---|---|---|---|
| Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: | -55 °C đến 200 °C | Mối nối điện trở nhiệt với vỏ máy: | 1,83 °C/T |
| Tiếp giáp điện trở nhiệt với môi trường xung quanh: | 40°C/thấp | Bưu kiện: | HiP247 |
| Làm nổi bật: | MOSFET điện 1700V,MOSFET cacbua silic 7A,Chip mạch tích hợp ô tô |
||
MOSFET công suất silicon carbide này được sản xuất bằng cách khai thác các đặc tính tiên tiến, sáng tạo của vật liệu dải băng rộng.
Mã sản phẩm:
SCT1000N170AG
Điện áp Drain-Source:
1700 V
Điện áp Gate-Source:
-10 Đến 22 V
Dòng Drain (Liên tục) Tại TC = 25 °C:
7A
Dòng Drain (Liên tục) Tại TC = 100 °C:
5A
Dòng Drain (Xung):
20A
Mã sản phẩm
Vỏ
IPDQ65R099CFD7
PG-HDSOP-22
IPDQ65R125CFD7
PG-HDSOP-22
IQE046N08LM5CG
PG-TTFN-9
BSC007N04LS6SC
PG-WSON-8
IPB050N10NF2S
PG-TO263-3
IRF150P220
PG-TO247-3
IRF150P221
PG-TO247-3
IAUS200N08S5N023
PG-HSOG-8
IPA040N06NM5S
PG-TO220
IPA052N08NM5S
PG-TO220
IAUC100N04S6N028
PG-TDSON-8
ISC088N08NM6
PG-TDSON-8
1ED3330MC12M
PG-DSO-16
2EDR3140XQE
PG-DSO-14
2ED2410-EM
PG-TSDSO-24
2EDN7533F
PG-DSO-8
2EDN8534F
PG-DSO-8
6EDL04N065PT
PG-DSO-28
TLE9180D-21QK
PG-LQFP-64
1EDI20I12AF
PG-DSO-8
2EDS7165H
PG-DSO-16
IDWD150G120C5
PG-TO247-2
IDWD75G120C5
PG-TO247-2
IDWD60G120C5
PG-TO247-2
IDWD50G120C5
PG-TO247-2
MRMS166R
QFN
SCH16T-K20
SOIC-24
PE24108A
QFN
PE24110A
QFN
PE25200A
QFN
Người liên hệ: Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753