Mingjiada Electronics cung cấp C3M0120065L từ kho. MOSFET silicon carbide (SiC) 650V này từ Wolfspeed sử dụng gói TOLL tiên tiến, có chứng nhận cấp công nghiệp và hoạt động trong phạm vi nhiệt độ rộng từ -40°C đến +175°C.
Là một ví dụ điển hình về công nghệ MOSFET SiC thế hệ thứ ba của Wolfspeed, C3M0120065L đạt được sự tối ưu hóa đáng kể về tổn thất dẫn điện, hiệu suất chuyển mạch và mật độ công suất.
C3M0120065L Tính năng cốt lõi
Sản phẩm C3M0120065L đạt được điện trở bật cực thấp trong nền tảng điện áp 650V, với giá trị điển hình chỉ 12mΩ (tại V_GS=18V, I_D=20A), hỗ trợ dòng xả liên tục lên đến 118A (tại 25°C, T_C=100°C).
Điện trở bật thấp: 157mΩ (tối đa) @ 6.76A, 15V
Điện áp đánh thủng cao: 650V
Hiệu suất chuyển mạch nhanh: Điện tích cổng (Qg) chỉ 26nC @ 15V
Khả năng chịu nhiệt độ cao: Phạm vi nhiệt độ mối nối -40°C đến +175°C
Điện áp điều khiển cấp công nghiệp: +15V/-5V (khuyến nghị), tối đa ±19V/-8V
Sản phẩm C3M0120065L (TO-263-7) không chỉ mang lại điện trở nhiệt thấp và độ tự cảm thấp mà còn kết hợp thiết kế kết nối nguồn Kelvin, làm giảm đáng kể tổn thất chuyển mạch và triệt tiêu tiếng ồn cổng.
C3M0120065L Ưu điểm kỹ thuật
Được phát triển trên nền tảng công nghệ MOSFET SiC thế hệ thứ ba của Wolfspeed, C3M0120065L mang lại hiệu quả hệ thống tổng thể vượt trội và khả năng hoạt động ở tần số cao.
Điốt thân máy mạnh mẽ của nó có điện tích phục hồi ngược cực thấp (điển hình là 66nC), giảm đáng kể tổn thất chuyển mạch và tăng cường độ tin cậy của hệ thống.
So với MOSFET dựa trên silicon truyền thống, C3M0120065L thể hiện các đặc tính điện trở bật ổn định hơn và điện dung ký sinh thấp trên toàn bộ dải nhiệt độ, tạo điều kiện cho các thiết kế mật độ công suất cao.
C3M0120065L Thuộc tính sản phẩm
Nhà sản xuất: Wolfspeed
Loại sản phẩm: MOSFET Silicon Carbide
Kiểu lắp: SMD/SMT
Gói / Vỏ: TOLL
Phân cực bóng bán dẫn: Kênh N
Số kênh: 1 Kênh
Vds - Điện áp đánh thủng Drain-Source: 650 V
Id - Dòng xả liên tục: 21 A
Rds On - Điện trở bật Drain: 157 mOhms
Vgs - Điện áp Gate-Source: -8 V, +19 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng Gate-Source: 3.6 V
Qg - Điện tích cổng: 26 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -40°C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: +175°C
Pd - Tản điện: 86 W
Chế độ kênh: Tăng cường
Các lĩnh vực ứng dụng
Sản phẩm C3M0120065L lý tưởng cho các ứng dụng sau:
Nguồn điện máy chủ và viễn thông
Hệ thống sạc xe điện (bộ sạc trên bo mạch (OBC), bộ chuyển đổi DC-DC điện áp cao)
Hệ thống lưu trữ năng lượng (UPS, hệ thống quản lý pin)
Bộ biến tần năng lượng mặt trời
Nguồn điện công nghiệp
Thông tin mua hàng
Mingjiada Electronics đảm bảo C3M0120065L là hàng mới và chính hãng, với lượng hàng dồi dào có sẵn để giao hàng trong ngày.
Sản phẩm C3M0120065L được đóng gói theo định dạng băng và cuộn (TR) và cắt theo chiều dài (CT), với số lượng đặt hàng tối thiểu linh hoạt và các mẫu có sẵn.
Liên hệ với chúng tôi
Để mua C3M0120065L hoặc tài liệu sản phẩm chi tiết, vui lòng liên hệ với Bộ phận Thiết bị Nguồn của Mingjiada Electronics:
Liên hệ: Mr Chen
Điện thoại: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Website: www.integrated-ic.com
Địa chỉ công ty: Phòng 1239-1241, Tòa nhà New Asia Guoli, Đường Zhenzhong, Quận Futian, Thâm Quyến
Người liên hệ: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753