Blog về công ty TI TPS53830RWZR Chuyển đổi kỹ thuật số bước xuống tích hợp cho nguồn điện DDR5 trên DIMM

TITPS53830RWZRChuyển đổi kỹ thuật số bước xuống tích hợp cho nguồn điện DDR5 trên DIMM

Mô tả sản phẩmTPS53830RWZR
TPS53830RWZRlà D-CAP + TM chế độ tích hợp bộ chuyển đổi giảm dần cho nguồn điện DDR5 trên DIMM.TPS53830RWZRcung cấp điện áp VDD, VDDQ và VPP cho các chip DRAM trên mô-đun DIMM với khả năng hiện tại có thể cấu hình.Đường sắt dòng điện cao có thể được cấu hình thành 2 giai đoạn hoặc 2 đầu ra để cung cấp đến 12 A (hoặc 6 A + 6 A) hiện tại với điều khiển chế độ D-CAP + TM.TPS53830RWZRbộ chuyển đổi cũng sử dụng bù đắp nội bộ để dễ sử dụng và giảm các thành phần bên ngoài.

CácTPS53830RWZRchuyển đổi cung cấp một bộ đầy đủ của telemetry, bao gồm điện áp đầu vào, điện áp đầu ra, và dòng điện đầu ra. quá điện áp, dưới điện áp, giới hạn quá điện,và bảo vệ nhiệt độ cao cũng được cung cấp.

TPS53830RWZRđược đóng gói trong QFN 35 chân tăng cường nhiệt và hoạt động từ -40 °C đến +125 °C.

Thông số kỹ thuật củaTPS53830RWZR
Số phần:TPS53830RWZR
Điện xuất: 6 A
Điện áp đầu vào - Max:15 V
Điện áp đầu vào - Min:4.5 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:- 40 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 105 C
Phạm vi điện áp đầu vào:4.5V đến 15V

Đặc điểm củaTPS53830RWZR
Thiết kế silic đơn để hỗ trợ các ứng dụng DDR5
3 đầu ra để cung cấp VDD (1.1V), VDDQ (1.1V) và VPP (1.8V), với đầu ra thứ 4 tùy chọn (VDD2)
Đối với 3 đầu ra, 12 A cho VDD ((SWA Pha kép), 6 A cho VDDQ ((SWC) và 5 A cho VPP ((SWD) với 3 đầu ra
Đối với 4 đầu ra, 6 A cho VDD1 ((SWA), 6 A cho VDD2 ((SWB), 6 A cho VDDQ ((SWC), và 5 A cho VPP ((SWD)
Cảm biến từ xa khác biệt: VDD, VDDQ và VPP
Điều khiển D-CAP+TM để đáp ứng nhanh chóng
Điện áp đầu vào rộng: 4,5V đến 15V
Phản ứng vòng lặp nội bộ có thể lập trình
Giới hạn dòng điện mỗi chu kỳ theo chu kỳ
Tần số lập trình: 500 kHz đến 1,375 MHz
Hỗ trợ I2C và I3C Bus Interface để đo từ xa điện áp, dòng điện, công suất, nhiệt độ và các điều kiện lỗi
Bảo vệ chống quá điện, quá điện áp, quá nhiệt
Tính năng đăng ký liên tục (hộp đen)
Dòng điện tĩnh thấp
5 mm × 5 mm, 35 pin, QFN PowerPadTM Package

Ứng dụng củaTPS53830RWZR
DDR5 On-DIMM nguồn điện cho máy chủ

Ưu điểm củaTPS53830RWZR

Hiệu quả cao
CácTPS53830RWZRcó thiết kế buck đồng bộ với hiệu quả chuyển đổi cao và giảm mất năng lượng cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu quả cao.

Phạm vi điện áp đầu vào rộng
CácTPS53830RWZRcó phạm vi điện áp đầu vào rộng, làm cho nó phù hợp với nhiều môi trường cung cấp điện với sự linh hoạt cao.

Điện cao
CácTPS53830RWZRhỗ trợ dòng điện đầu ra cao để đáp ứng các yêu cầu điện năng cao và phù hợp với các ứng dụng tải trọng cao.

Sự hội nhập cao
CácTPS53830RWZRcó các MOSFET và bộ điều khiển tích hợp để đơn giản hóa thiết kế và giảm các thành phần bên ngoài, tiết kiệm không gian và chi phí.

Hiệu suất nhiệt tuyệt vời
TPS53830RWZRsử dụng gói tăng cường nhiệt với hiệu suất nhiệt tốt, phù hợp với môi trường nhiệt độ cao.

Chức năng bảo vệ toàn diện
TPS53830RWZRcung cấp nhiều biện pháp bảo vệ như quá điện, quá điện áp, dưới điện áp và quá nhiệt độ để tăng độ tin cậy của hệ thống.

Thiết kế linh hoạt
TPS53830RWZRhỗ trợ điện áp đầu ra và tần số điều chỉnh để đáp ứng các yêu cầu thiết kế khác nhau.

Bao bì kích thước nhỏ
CácTPS53830RWZRcó sẵn trong một gói nhỏ gọn cho các ứng dụng không gian hạn chế.

Dòng điện tĩnh thấp
Điện tĩnh thấp phù hợp với các thiết bị chạy bằng pin, kéo dài tuổi thọ pin của thiết bịTPS53830RWZR.

Tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường
TPS53830RWZRđáp ứng RoHS và các tiêu chuẩn môi trường khác để đáp ứng các yêu cầu môi trường của các sản phẩm điện tử hiện đại.

Việc áp dụng đơn giản hóaTPS53830RWZR