Blog về công ty Cung cấp Sản phẩm Silicon Carbide WeEn: Diode SiC, MOSFET SiC, Mô-đun Nguồn SiC

Cung cấp Sản phẩm Silicon Carbide WeEn: Diode SiC, MOSFET SiC, Mô-đun Nguồn SiC

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada,với tư cách là nhà cung cấp linh kiện điện tử hàng đầu tại Trung Quốc, tuân thủ nguyên tắc 'chất lượng là trên hết, lấy khách hàng làm trung tâm', không ngừng cải thiện chất lượng sản phẩm và tiêu chuẩn dịch vụ để cung cấp các dịch vụ cung cấp linh kiện điện tử chất lượng cao cho ngày càng nhiều khách hàng.

Các sản phẩm chính bao gồm:Chip 5G, IC năng lượng mới, IC IoT, IC Bluetooth, IC mạng xe, IC cấp ô tô, IC truyền thông, IC trí tuệ nhân tạo, IC bộ nhớ, IC cảm biến, IC vi điều khiển, IC thu phát, IC Ethernet, chip WiFi, mô-đun truyền thông không dây, đầu nối và các linh kiện điện tử khác.

Silicon Carbide

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn được sử dụng rộng rãi cho các linh kiện nguồn điện áp trung bình đến cao. Điều này là do các đặc tính vốn có của nó là dải năng lượng rộng và độ dẫn nhiệt cao.

Diode SiC

Diode SiC WeEn-semi cung cấp các nền tảng 650V và 1200V, nổi bật với kích thước chip nhỏ và tấm wafer mỏng 150um để cung cấp khả năng cạnh tranh sản phẩm tốt nhất trong phân khúc. SiC SBD Gen-6 của WeEn tối ưu hóa tỷ lệ tiếp xúc Schottky với diện tích tiếp giáp PN để đạt được Vf cực thấp (điển hình là 1.26V) và cung cấp điện trở trạng thái bật cực thấp thông qua việc tối ưu hóa nồng độ doping của lớp EPi và làm mỏng wafer. Cấu trúc MPS cải tiến của WeEn rõ ràng làm tăng khả năng tăng dòng điện. Công nghệ thiêu kết Ag tiên tiến tạo ra sự kết hợp hoàn hảo giữa hiệu suất và độ tin cậy của sản phẩm.

MOSFET SiC

MOSFET SiC MOSFET silicon carbide cổng phẳng Gen-2 của WeEn-semi được đại diện bởi 12mΩ/1200V trong thiết kế wafer, bằng cách tối ưu hóa các thông số chính như chiều rộng JFET và chiều rộng diện tích tiếp xúc nguồn, sử dụng kích thước ô nhỏ hơn, kết hợp với công nghệ làm mỏng wafer SiC tiên tiến của

Mô-đun Nguồn SiC

Các sản phẩm mô-đun nguồn silicon carbide của WeEn bao gồm các mô-đun PressFit với các cấu trúc liên kết cầu bán phần và cầu đầy đủ, cũng như các giải pháp cấp hệ thống với trình điều khiển thông minh tích hợp. Các mô-đun này tích hợp nhiều chip SiC vào một gói được tối ưu hóa, tận dụng tối đa các ưu điểm về tần số cao và hiệu quả cao của vật liệu silicon carbide đồng thời đơn giản hóa thiết kế hệ thống của khách hàng.