Blog về công ty Cung cấp ST Low Side Switch IC, Cung cấp VND5N07TR OMNIFET II Series MOSFET điện tự động hoàn toàn

Cung cấp ST Low Side Switch IC, Cung cấpVND5N07TROMNIFET II Series MOSFET năng lượng tự động hoàn toàn

VND5N07TROMNIFET II: Giải pháp chuyển đổi phía dưới MOSFET bảo vệ điện hoàn toàn tự động

VND5N07TRTổng quan sản phẩm và các đặc điểm chính:
VND5N07TR là một công tắc điện thông minh một kênh dựa trên công nghệ VIPower M0-3 của STMicroelectronics, được đóng gói trong gói gắn bề mặt DPAK (TO-252-3).VND5N07TR tích hợp một MOSFET điện kênh N, logic ổ đĩa và các mô-đun chức năng bảo vệ toàn diện, cho phép thay thế trực tiếp các giải pháp MOSFET truyền thống.

Tính năng sáng tạo của VND5N07TR nằm trong kiến trúc "bảo vệ bản thân" của nó, cho phép bảo vệ nhiều lỗi mà không cần các mạch giám sát bên ngoài,đơn giản hóa đáng kể thiết kế hệ thống.

Thiết bị VND5N07TR hoạt động trong phạm vi nhiệt độ từ -40 °C đến +150 °C và phù hợp với tiêu chuẩn chứng nhận AEC-Q101 cấp ô tô, đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Thiết kế bao bì của VND5N07TR tối ưu hóa hiệu suất nhiệt, với khả năng tiêu hao năng lượng 60W, cho phép nó xử lý tải lượng hiện tại tác động cao.Sản phẩm VND5N07TR được đóng gói theo định dạng băng và cuộn (TR), làm cho nó phù hợp với các dây chuyền sản xuất SMT tự động và tăng hiệu quả sản xuất quy mô lớn.

VND5N07TRThông số kỹ thuật chi tiết
VND5N07TR đạt được sự cân bằng chính xác trong hiệu suất điện, đáp ứng các yêu cầu xử lý điện năng cao trong khi duy trì các đặc điểm mất mát thấp.Dưới đây là các thông số kỹ thuật cốt lõi của VND5N07TR::
Đặc điểm điện áp
Điện áp tải: 55V
Điện áp ngắt nguồn thoát nước: 70V

Đặc điểm hiện tại
Dòng điện đầu ra liên tục: 3,5A
Điện lượng cao nhất: 5,0A
Mức giới hạn dòng điện: 5,0A
Đặc điểm dẫn
Chống dẫn: 200mΩ

Sạc cổng: 18nC
Thay đổi đặc điểm
Thời gian trì hoãn bật thông thường: 50-150ns
Thời gian trì hoãn tắt thông thường: 150-3900ns
Hiệu suất nhiệt
Phân tán năng lượng: 60W
Nhiệt độ giao điểm hoạt động: -40~+150°C

Kháng bật điển hình của VND5N07TR chỉ là 200 mΩ (tối đa), dẫn đến tiêu hao điện năng trên kháng cự chỉ 5 W trong điều kiện tải 5 A,giảm đáng kể sự phức tạp của hệ thống quản lý nhiệtThời gian chuyển đổi của thiết bị VND5N07TR đã được tối ưu hóa, với thời gian tăng 60 ‰ 400 ns và thời gian giảm 40 ‰ 1100 ns, cân bằng tổn thất chuyển đổi với hiệu suất EMI.

Đáng chú ý, sản phẩm VND5N07TR sử dụng logic đầu vào không đảo ngược (kích hoạt cấp cao), hỗ trợ ổ trực tiếp ở mức CMOS / TTL từ 3V đến 5V mà không cần mạch chuyển đổi cấp bổ sung.Dòng điện tĩnh của nó cực kỳ thấp., làm cho nó đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng chạy bằng pin

Biểu đồ khối VND5N07TR:

VND5N07TRlà một thiết bị đơn thạch được thiết kế bằng công nghệ STMicroelectronics®VIPower®M0, được thiết kế để thay thế các Power MOSFET tiêu chuẩn từ DC đến 50 KHz. VND5N07TR Thiết lập tắt nhiệt,giới hạn dòng tuyến tính và kẹp điện áp cao bảo vệ chip trong môi trường khắc nghiệt. VND5N07TR Phản hồi lỗi có thể được phát hiện bằng cách theo dõi điện áp tại chân đầu vào.

️Mingjiada Electronics️đã cung cấp ST (VND5N07TRĐể biết thêm thông tin về sản phẩm về VND5N07TR hoặc hỏi giá, hãy tham khảo thông tin tại WEBxin vui lòng truy cập trang web chính thức của Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết chi tiết.