Blog về công ty Cung cấp / tái chế PUOLOP PTQ45P02 Tăng hiệu suất cao 20V 45A P-Channel Power MOSFET Transistor

Cung cấp/Tái chế PUOLOPPTQ45P02Máy bán dẫn điện MOSFET kênh P hiệu suất cao 20V 45A

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.đã thành lập mình như một nhà lãnh đạo trong tái chế và phân phối các thành phần điện tử thông qua danh mục sản phẩm rộng lớn, tầm nhìn toàn cầu và dịch vụ chuyên nghiệp.

Công ty cung cấp và tái chếPTQ45P02: một MOSFET nguồn điện kênh P hiệu quả cao được thiết kế để tăng cường quản lý năng lượng trong các thiết bị di động.

CácPTQ45P02là một P-channel công suất tiên tiến MOSFET bán dẫn được thiết kế để giải quyết những thách thức này. với điện áp phá vỡ 20V của nó, 45A khả năng xử lý hiện tại và hỗ trợ liền mạch cho 1.Mức logic thấp 8V, nó đã trở thành một thành phần cốt lõi trong các công tắc tải cao cấp, hệ thống quản lý pin và các ứng dụng tương tự.

I. Đặc điểm chính củaPTQ45P02:

PTQ45P02 là một MOSFET điện P-channel tiên tiến được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng chuyển mạch điện đòi hỏi.P-channel MOSFET thường được sử dụng như là các công tắc phía trên trong mạch điện (kết nối nguồn điện với tải), một cấu hình đơn giản hóa mạch điều khiển và mang lại những lợi thế rõ ràng trong các hệ thống được điều khiển bằng logic điện áp thấp.

CácPTQ45P02lợi thế cạnh tranh nằm trong các thông số điện chính của nó:

Đánh giá dòng điện và điện áp cao: Nó hỗ trợ điện áp nguồn thoát 20V (Vdss) và dòng thoát liên tục (Id) lên đến 45A.Thông số kỹ thuật này cho phép nó xử lý các dòng điện đột nhập dễ dàng trong các ứng dụng mật độ điện năng cao như nguồn điện di động, máy bay RC, và động cơ truyền động lượng cao.

Hiệu suất chuyển đổi đặc biệt: Điện áp ngưỡng cổng của nó (Vgs ((th))) thấp đến 400mV, cho phép chuyển đổi đáng tin cậy với điện áp điều khiển cực kỳ thấp (tới mức logic 1,8V).Tính năng này cho phép giao diện trực tiếp với vi xử lý hiện đại, DSP, hoặc ASIC điện áp thấp mà không có mạch chuyển cấp bổ sung, tiết kiệm không gian và giảm sự phức tạp của hệ thống.

Hiệu suất động tối ưu: Thiết bị có dung lượng đầu vào (Ciss) 3,5nF và dung lượng chuyển đổi ngược (Crss) 445pF.Những giá trị điện dung thấp này đòi hỏi ít điện cho ổ cổng trong quá trình chuyển đổi tốc độ cao, giảm đáng kể tổn thất chuyển mạch và tăng hiệu quả hệ thống tổng thể. Điều này làm cho nó đặc biệt phù hợp với các ứng dụng PWM tần số cao.

II.PTQ45P02Thông số kỹ thuật:

MOSFET kiểu bóng bán dẫn

Kênh điều khiển loại kênh P

Pd - Phân tán công suất tối đa 35 W

Vds - Điện áp nguồn thoát tối đa 20 V

Vgs - Điện áp nguồn cổng tối đa 12 V

Id - Điện thoát tối đa 45 A

Tj - Nhiệt độ giao điểm tối đa 150 °C

Vgs ((th) - Điện áp cửa ngưỡng tối đa 1 V

Qg - Tổng tải cổng 55 nC

tr - Thời gian tăng 42 nS

Coss - Công suất đầu ra 577 pF

III.PTQ45P02Điểm nổi bật kỹ thuật:

Khả năng tương thích đặc biệt với việc điều khiển cấp độ logic 1,8V

Điều này đại diện cho lợi thế quan trọng nhất của PTQ45P02. MOSFET truyền thống thường yêu cầu điện áp cổng cao hơn (ví dụ: 4,5V hoặc 10V) để dẫn đầy đủ,Trong khi PTQ45P02 đạt được chuyển đổi hiệu quả chỉ 1.8V. Điều này cho phép tích hợp liền mạch với các vi xử lý năng lượng thấp, SoC và chip logic kỹ thuật số thông thường mà không cần các mạch chuyển cấp bổ sung.giảm chi phí, và giảm thiểu số lượng thành phần và điểm hỏng tiềm năng.

Bao bì tối ưu và quản lý năng lượng hiệu quả

Bộ đệm gắn bề mặt PDFN3333 của nó cung cấp hiệu suất nhiệt tuyệt vời, tạo điều kiện phân tán nhiệt nhanh từ chip đến PCB và tăng độ tin cậy của hệ thống.Kết hợp với các đặc điểm kháng cự thấp của nó, điều này dẫn đến tiêu hao năng lượng cực kỳ thấp trong quá trình chuyển đổi, làm cho nó lý tưởng cho các thiết bị di động có hiệu quả quan trọng.

IV.PTQ45P02Các kịch bản ứng dụng

Đặc điểm hiệu suất của PTQ45P02 cho phép hiệu suất vượt trội trên nhiều lĩnh vực tiên tiến:

High-End Load Switching and Power Management: Đây là ứng dụng cổ điển nhất của nó.PTQ45P02chức năng như một cửa năng hiệu quả. Đặc điểm kênh P của nó cho phép đặt giữa đầu cuối tích cực của nguồn cung cấp điện và tải.Kiểm soát trực tiếp nguồn cung cấp điện cho các mô-đun riêng lẻ được thực hiện thông qua các tín hiệu GPIO điện áp thấp, cho phép quản lý năng lượng chính xác.

Bảo vệ pin và mạch chuyển mạch: Trong các thiết bị chạy bằng pin như ngân hàng điện và công cụ điện,MOSFET này là sự lựa chọn lý tưởng để xây dựng các công tắc điều khiển xả trong hệ thống quản lý pin (BMS)Mất dẫn thấp của nó giảm thiểu sự tiêu hao năng lượng, do đó kéo dài thời gian chạy thiết bị.

Động cơ và ESC cho các mô hình RC: Đối với động cơ không chải được sử dụng trong máy bay RC và robot nhỏ,Các bộ điều khiển tốc độ điện tử (ESC) yêu cầu các công tắc nguồn có khả năng phản hồi nhanh và chuyển đổi hiệu quả.PTQ45P02Khả năng hiện tại cao và tính năng chuyển đổi nhanh giúp điều khiển động cơ chính xác và hiệu quả hơn.

VRM trên bo mạch chủ và DC-DC Converter: Trong bo mạch chủ hoặc máy chủ máy tính, một số mạch tạo điện áp không cốt lõi cũng sử dụng MOSFET kênh P làm công tắc trên,được ghép với các công tắc dưới kênh N để tạo ra kiến trúc chỉnh sửa đồng bộ.PTQ45P02cung cấp chuyển đổi năng lượng hiệu quả trong các thiết kế như vậy.