Blog về công ty Bảng đánh giá rời rạc BẬT NGUỒN: MOSFET, IGBT, Mô-đun nguồn, SiC

Bảng Đánh Giá Rời Rạc ON: MOSFET, IGBT, Mô-đun Nguồn, SiC

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada,với tư cách là nhà phân phối độc lập được ủy quyền của các linh kiện điện tử nổi tiếng toàn cầu, tận dụng nhiều năm kinh nghiệm trong ngành và hệ thống chuỗi cung ứng ổn định để cung cấp cho khách hàng các giải pháp linh kiện điện tử toàn diện.

Sản phẩm chính:Chip 5G, IC năng lượng mới, IC IoT, IC Bluetooth, IC viễn thông, IC ô tô, IC cấp ô tô, IC truyền thông, IC AI, IC bộ nhớ, IC cảm biến, IC vi điều khiển, IC thu phát, IC Ethernet, chip WiFi, mô-đun truyền thông không dây, đầu nối và các sản phẩm khác.

Ưu điểm cung cấp

Tất cả các sản phẩm đều là hàng chính hãng OEM, được hỗ trợ bởi dịch vụ đảm bảo chất lượng và truy xuất nguồn gốc toàn diện.

Hàng tồn kho vượt quá 2 triệu SKU, bao gồm đầy đủ các loại linh kiện điện tử.

Giá cả hàng đầu trong ngành đạt được thông qua mua sắm quy mô lớn và chi phí vận hành hợp lý.

Hệ thống hậu cần hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hẹn.

Dịch vụ hậu mãi toàn diện loại bỏ những lo ngại của khách hàng.

1. Bảng Đánh Giá Thiết Bị Rời Rạc: Tính Linh Hoạt và Phân Tích Sâu

Đại diện là EVBUM2897G-EVB của ON Semiconductor, bảng đánh giá thiết bị rời rạc mang lại giá trị cốt lõi thông qua tính linh hoạt và khả năng phân tích sâu. Các kỹ sư có thể tự do điều chỉnh các thông số như điện trở cổng và điện áp điều khiển, quan sát tỉ mỉ tác động của chúng đến quỹ đạo chuyển mạch. Điều này làm cho chúng trở nên lý tưởng cho nghiên cứu kỹ thuật sơ bộ và xác nhận lựa chọn thiết bị.

Bảng đánh giá bộ thử xung kép tiên tiến EVBUM2897G-EVB đóng vai trò là một công cụ đa năng để phân tích hiệu suất thiết bị so sánh trong phòng thí nghiệm. Nó được thiết kế đặc biệt để so sánh hiệu suất chuyển mạch nhanh chóng, chính xác của MOSFET EliteSiC và IGBT trên các gói rời rạc khác nhau.

Tính linh hoạt đặc biệt: Điểm mạnh cốt lõi của nó nằm ở việc hỗ trợ sáu gói công suất cao chính, bao gồm TO247-3L/4L, D2PAK-7L, BPAK7, TOLL và POWER88. Điều này cho phép các nhà phát triển sử dụng một bảng duy nhất để so sánh cách các gói khác nhau ảnh hưởng đến đặc tính chuyển mạch của cùng một chip hoặc để đánh giá hiệu suất của các chip khác nhau trong cùng một gói, cung cấp hỗ trợ dữ liệu trực tiếp để lựa chọn.

Kiến trúc kiểm tra chuyên nghiệp: Bảng này vượt xa một bộ điều hợp đơn giản, tích hợp tất cả các mạch quan trọng cần thiết cho Kiểm tra Xung Kép (DPT) toàn diện:

Trình điều khiển cổng đơn cách ly: Cung cấp cách ly điện 2,5 kV, đảm bảo an toàn và tính toàn vẹn tín hiệu trong quá trình thử nghiệm điện áp cao.

Bố cục PCB độ tự cảm thấp và các thành phần tích hợp: Bố cục vòng lặp nguồn được tối ưu hóa đặc biệt để giảm thiểu độ tự cảm ký sinh. Nó kết hợp một cuộn cảm lõi không khí dây quấn 80 µH và máy biến áp đo dòng điện, cho phép đo chính xác hơn điện áp vượt quá, rung và tổn thất chuyển mạch trong quá trình chuyển mạch.

Hỗ trợ điện áp cao: Thiết kế bảng hỗ trợ các thiết bị lên đến 1200V, với điện áp bus DC lên đến 1100V, bao gồm các tình huống ứng dụng điện áp cao chính.

2. Bảng Đánh Giá Mô-đun Nguồn: Ứng Dụng Cấp Hệ Thống

Khi các thiết bị được mở rộng lên các mô-đun nguồn tích hợp cao hơn, việc đánh giá chuyển sang hiệu suất cấp hệ thống. Ví dụ, bảng đánh giá EVBUM2878G-EVB của ON Semiconductor được thiết kế đặc biệt cho mô-đun cầu đầy đủ EliteSiC MOSFET 4-PACK M3S 1200V của nó.

Kiểm tra cấp hệ thống: Ngoài việc hỗ trợ kiểm tra xung kép, nó nhấn mạnh việc kiểm tra nguồn mở để đánh giá các chỉ số hệ thống quan trọng như hiệu suất chuyển đổi và tăng nhiệt độ trong quá trình hoạt động liên tục.

Điều khiển và Bảo vệ Toàn diện: Bảng tích hợp bốn trình điều khiển cổng cách ly độc lập, tụ điện bus DC màng mỏng được cài đặt sẵn và thiết kế quản lý nhiệt tối ưu (sử dụng PCB đen có độ phát xạ cao), cho phép đánh giá trực tiếp hiệu suất của mô-đun trong các ứng dụng thực tế như bộ biến tần năng lượng mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng hoặc trạm sạc xe điện.

3. Giải Pháp Đánh Giá Mô-đun Nguồn Thông Minh Silicon Carbide: Tích Hợp Hệ Thống Plug-and-Play

Hình thức tích hợp bán dẫn công suất cao nhất là Mô-đun Nguồn Thông Minh. Dòng IPM EliteSiC SPM 31 mới ra mắt của ON Semiconductor tích hợp MOSFET SiC, trình điều khiển cổng, mạch bảo vệ và cảm biến nhiệt độ. Các giải pháp đánh giá cho các mô-đun như vậy được tích hợp cao.

Ưu điểm về hiệu suất đột phá: So với các giải pháp IGBT trước đây, IPM SiC này giảm mức tiêu thụ điện năng lên đến 52% trong điều kiện tải điển hình, giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng và chi phí hàng năm.

Thiết kế đơn giản hóa: Trọng tâm đánh giá mở rộng ra ngoài bản thân thiết bị để tận dụng nhanh chóng các lợi thế tích hợp của nó. Với tính năng bảo vệ dưới điện áp tích hợp, điốt bootstrap và giám sát nhiệt độ, các kỹ sư có thể nhanh chóng phát triển các bộ truyền động tần số thay đổi hiệu quả, nhỏ gọn dựa trên các thiết kế tham chiếu của nhà sản xuất. Chúng phù hợp với các ứng dụng như quạt làm mát trung tâm dữ liệu AI và bộ truyền động servo công nghiệp.