![tin tức mới nhất của công ty về Cung cấp [Infineon] IGBT Transistor IKW40N65H5: 650V, 40A Tốc độ cao chuyển đổi cứng TrenchStop® IGBT5 Transistor](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Cung cấp [Infineon] IGBT TransistorIKW40N65H5: 650V, 40A tốc độ cao chuyển đổi cứng TrenchStop® IGBT5 Transistor
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.[Infineon]IKW40N65H5: 650V IGBT Transistor với diode chống song song trong gói TO-247.
Số phần:IKW40N65H5
Gói: TO-247-3
Loại: Transistor IGBT
Tổng quan về sản phẩmIKW40N65H5
IKW40N65H5là High Speed 650V, 40A hard-switching TRENCHSTOP TM IGBT5 transistor được đóng gói cùng với RAPID 1 nhanh và mềm anti-phát song diode trong một gói TO-247, được định nghĩa là "tốt nhất trong lớp" IGBT.
IKW40N65H5là một IGBT kênh N (Insulated Gate Bipolar Transistor) với công nghệ TrenchStop® của Infineon, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển đổi hiệu suất cao.
IKW40N65H5¢ Đặc điểm điện áp cao, dòng điện cao và mất mát thấp của nó làm cho nó có hiệu suất tuyệt vời trong các lĩnh vực như động cơ công nghiệp, năng lượng tái tạo và thiết bị gia dụng.
IKW40N65H5Các thông số kỹ thuật
| Các thông số | IKW40N65H5 |
|---|---|
| Etắt(Tập đổi khó) | 0.12 mJ |
| Etrên | 0.39 mJ |
| Tôi...C(@ 25°)tối đa | 74 A |
| Tôi...C(@ 100°)tối đa | 46 A |
| Tôi...Cpuls tối đa | 120 A |
| Tôi...F tối đa | 36 A |
| Tôi...Fpuls tối đa | 120 A |
| Tôi...rm | 12.5 A |
| Pcon tối đa | 255 W |
| Gói | TO-247-3 |
| QCổng | 95 nC |
| Qrr | 450 sau Công nguyên |
| RG | 15 Ω |
| Tần số chuyển đổiphút tối đa | 30 kHz 100 kHz |
| Tần số chuyển đổi | TRENCHSTOPTM5 30-100 kHz |
| Công nghệ | IGBT TRENCHSTOPTM 5 |
| VCE ((sat) | 1.65 V |
| VCE tối đa | 650 V |
| VF | 1.45 V |
| td(off) | 165 ns |
| td ((on) | 22 ns |
| tf | 13 ns |
| tr | 12 ns |
Các đặc điểm chính củaIKW40N65H5
Năng lượng định danh: 650V
Lưu ý: 40A
Mất dẫn thấp: Giảm mất dẫn với công nghệ TrenchStop®
Chuyển đổi nhanh: Tần số chuyển đổi cao để cải thiện hiệu quả
Độ tin cậy cao: Thiết kế mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt
Đặc điểm điện củaIKW40N65H5
Điện áp từ máy thu và máy phát: 650V
Dòng điện thu thập: 40A
Tiêu thụ năng lượng tối đa: 300W
Giảm điện áp trong trạng thái hoạt động: 1,7V (thường)
Các lĩnh vực ứng dụngIKW40N65H5
Máy truyền công nghiệp: điều khiển động cơ, biến tần
Năng lượng tái tạo: biến tần năng lượng mặt trời, sản xuất điện gió
Thiết bị hàn: Các nguồn điện hàn hiệu quả cao
Máy gia dụng: máy điều hòa không khí biến tần, máy giặt
IKW40N65H5là một bóng bán dẫn IGBT với công nghệ TrenchStop® cho các ứng dụng chuyển đổi hiệu quả cao trong một loạt các ứng dụng như động cơ công nghiệp, biến tần năng lượng mặt trời và thiết bị hàn.
IKW40N65H5là một bóng bán dẫn IGBT hiệu suất cao kết hợp công nghệ TrenchStop® và gói TO-247 cho các ứng dụng chuyển đổi hiệu quả cao, độ tin cậy cao.
IKW40N65H5- với các đặc điểm mất mát thấp, chuyển đổi nhanh và mật độ điện năng cao - cung cấp một loạt các ứng dụng trong các lĩnh vực như công nghiệp, năng lượng tái tạo và thiết bị gia dụng.
Đặc điểm của sản phẩmIKW40N65H5
Series: TrenchStop®
Điện áp - Phân tích bộ thu phát (tối đa): 650 V
Dòng điện - Bộ sưu tập (Ic) (tối đa): 74 A
Dòng điện - Bộ sưu tập xung (Icm): 120 A
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Năng lượng - tối đa: 255 W
Năng lượng chuyển đổi: 390μJ (đóng), 120μJ (tắt)
Loại đầu vào: Tiêu chuẩn
Sạc cổng: 95 nC
Td (đóng/tắt) @ 25°C: 22ns/165ns
Điều kiện thử nghiệm: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Thời gian phục hồi ngược (trr): 62 ns
Nhiệt độ hoạt động: -40 °C ~ 175 °C (TJ)
Loại gắn: Qua lỗ
Gói / Trường hợp: TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp: PG-TO247-3
IKW40N65H5Tổng kết các đặc điểm
650 V điện áp đột phá
So với gia đình HighSpeed 3 tốt nhất trong lớp
Các yếu tố 2,5 thấp hơn Qg
Factor 2 giảm tổn thất chuyển đổi
Giảm 200mV trong VCEsat
Được đóng gói cùng với công nghệ Si-diode nhanh
COES/EOSS thấp
Tỷ lệ nhiệt độ dương nhẹ VCEsat
Độ ổn định nhiệt độ của Vf
Vòng tròn ứng dụng điển hìnhIKW40N65H5
CácIKW40N65H5thường được sử dụng trong topology nửa cầu hoặc cầu đầy đủ, ví dụ:
- Máy biến đổi nửa cầu: Được sử dụng trong động cơ hoặc máy biến đổi năng lượng mặt trời.
- Máy chỉnh cầu đầy đủ: cho các nguồn điện chuyển mạch tần số cao.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢ Cung cấp dài hạn [Infineon]IKW40N65H5IGBT Transistor, công ty chúng tôi có kênh cung cấp vững chắc và đáng tin cậy để đảm bảo sự ổn định và đáng tin cậy của nguồn cung cấp sản phẩm.
Với tính năng điện áp cao, dòng điện cao và mất mát thấp,IKW40N65H5là lý tưởng cho các ứng dụng chuyển đổi hiệu suất cao trong một phạm vi rộng
phạm vi ứng dụng điện tử công nghiệp và tiêu dùng.
Để biết thêm thông tin, vui lòng xem trang web của Minjata Electronics (https://www.integrated-ic.com/)
Người liên hệ: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753
