Blog về công ty Cung cấp Sản phẩm GaN Infineon: Công tắc hai chiều GaN, Bộ điều khiển GaN, GaN Thông minh, Transistor GaN

Cung cấp Sản phẩm GaN Infineon: Công tắc hai chiều GaN, Bộ điều khiển GaN, GaN Smart, Transistor GaN

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada,với tư cách là nhà cung cấp linh kiện điện tử hàng đầu tại Trung Quốc, tận dụng mạng lưới chuỗi cung ứng mạnh mẽ và khả năng dịch vụ chuyên nghiệp trong ngành để cung cấp cho khách hàng các sản phẩm chính hãng ổn định và đáng tin cậy.

Các sản phẩm chính bao gồm:Chip 5G, IC năng lượng mới, IC IoT, IC Bluetooth, IC mạng xe, IC cấp ô tô, IC truyền thông, IC trí tuệ nhân tạo, IC bộ nhớ, IC cảm biến, IC vi điều khiển, IC thu phát, IC Ethernet, chip WiFi, mô-đun truyền thông không dây, đầu nối và các linh kiện điện tử khác.

Công ty có những ưu điểm cốt lõi sau trong việc cung cấp:

Cung cấp trực tiếp từ nhà sản xuất gốc và đảm bảo chất lượng: Tất cả các sản phẩm đều được mua thông qua các kênh ủy quyền để đảm bảo 100% sản phẩm chính hãng, với đầy đủ số lô của nhà sản xuất gốc.

Mua sắm có thể mở rộng và tối ưu hóa chi phí: Thông qua sự hợp tác sâu rộng với nhiều thương hiệu nổi tiếng và lợi thế của việc mua sắm quy mô lớn, công ty có thể giảm đáng kể tổng chi phí của các linh kiện điện tử, cung cấp cho khách hàng mức giá cạnh tranh cao.

Khả năng giao hàng linh hoạt và nhanh chóng: Kho trung tâm Thâm Quyến và kho ngoại quan Hồng Kông hoạt động song song, hỗ trợ giao hàng nhanh trong 48 giờ, với các đơn hàng khẩn cấp có thể được vận chuyển trong nước trong vòng 24 giờ.

Gallium Nitride (GaN)

CoolGaN™ – Thiết bị rời rạc và các giải pháp tích hợp mang lại hiệu quả và mật độ công suất cao nhất cho các ứng dụng điện tử tiêu dùng, công nghiệp và ô tô.

Sản phẩm và Ứng dụng Công tắc hai chiều GaN Infineon

Các công tắc hai chiều (BDS) trong dòng CoolGaN™ của Infineon đại diện cho một hướng đổi mới quan trọng cho công nghệ GaN trong các ứng dụng chuyển đổi nguồn. Các thiết bị công tắc hai chiều 40V của Infineon được sản xuất bằng công nghệ quy trình GaN-on-Si tiên tiến, tích hợp hai HEMT GaN (transistor di động điện tử cao) hiệu suất cao để cho phép điều khiển dòng điện hai chiều trong một gói duy nhất, đơn giản hóa đáng kể thiết kế mạch và tăng cường độ tin cậy của hệ thống. Các thiết bị này có điện trở bật cực thấp (các giá trị điển hình từ 1,1mΩ đến 2,3mΩ) và tốc độ chuyển mạch cực nhanh, hỗ trợ tần số hoạt động lên đến 2MHz—5 đến 10 lần hiệu suất của MOSFET dựa trên silicon truyền thống—làm cho chúng đặc biệt phù hợp với các ứng dụng yêu cầu hoạt động tần số cao, hiệu quả cao.

Ưu điểm công nghệ cốt lõi của công tắc hai chiều GaN nằm ở việc chúng không có đặc tính phục hồi ngược của diode thân. Không giống như các thiết bị dựa trên silicon, các thiết bị GaN không tạo ra dòng phục hồi ngược trong quá trình dẫn ngược, về cơ bản loại bỏ các tổn thất chuyển mạch và các vấn đề EMI do sự phục hồi ngược của diode thân trong MOSFET truyền thống. Các công tắc hai chiều CoolGaN™ của Infineon cũng sử dụng công nghệ điều khiển cổng sáng tạo để đảm bảo sự ổn định và độ tin cậy của thiết bị trong điều kiện chuyển mạch tần số cao đồng thời đơn giản hóa thiết kế mạch điều khiển. Các tính năng này cho phép các công tắc hai chiều GaN hoạt động đặc biệt tốt trong các ứng dụng yêu cầu dòng năng lượng hai chiều, chẳng hạn như chỉnh lưu đồng bộ, cầu H điều khiển động cơ và sạc không dây.

Bộ điều khiển GaN và Giải pháp thiết bị thông minh Infineon

Dòng sản phẩm bộ điều khiển GaN của Infineon bao gồm các trình điều khiển cổng độc lập và các mô-đun nguồn thông minh (IPM) tích hợp cao, được tối ưu hóa cho các đặc tính độc đáo của các thiết bị nguồn GaN để tận dụng tối đa các ưu điểm về tần số cao, hiệu quả cao của công nghệ GaN. Đáng chú ý, các IC nguồn thông minh như NV6133A, tích hợp các công tắc và trình điều khiển GaN, sử dụng công nghệ GaNSense™ để cho phép cảm biến dòng điện không mất mát và các chức năng bảo vệ toàn diện, đơn giản hóa đáng kể thiết kế hệ thống và tăng cường độ tin cậy.

IC nguồn GaNFast™ là dòng sản phẩm chủ lực trong dòng sản phẩm bộ điều khiển GaN của Infineon. Chip NV6133A tích hợp các công tắc và trình điều khiển GaN hiệu suất cao, hỗ trợ dải VCC rộng từ 10 đến 30V, cung cấp dV/dt bật có thể lập trình và cung cấp khả năng miễn nhiễm dV/dt 200V/ns. Thiết bị này có xếp hạng điện áp thoáng qua 800V và xếp hạng điện áp liên tục 700V, với điện trở bật chỉ 330mΩ và hỗ trợ tần số hoạt động lên đến 2MHz. Công nghệ GaNSense™ tích hợp của nó cung cấp các tính năng thông minh như bảo vệ ngắn mạch, bảo vệ quá nhiệt và chế độ chờ dòng điện thấp tự động, loại bỏ tổn thất điện năng từ điện trở lấy mẫu trong các thiết kế truyền thống và tăng cường hơn nữa hiệu quả và độ tin cậy của hệ thống.

Dòng transistor GaN Infineon

Dòng sản phẩm transistor GaN của Infineon bao gồm nhiều yêu cầu ứng dụng khác nhau từ điện áp trung bình đến cao, bao gồm đầy đủ các dòng transistor GaN như CoolGaN™ G3 (điện áp trung bình), CoolGaN™ G5 (điện áp cao) và dòng IGT công nghiệp. Các thiết bị này được sản xuất bằng quy trình wafer 8 inch tiên tiến, tăng cường đáng kể mật độ công suất, tần số chuyển mạch và hiệu suất quản lý nhiệt, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng tiên tiến từ điện tử tiêu dùng đến nguồn điện công nghiệp.

Dòng CoolGaN™ G3 được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện áp trung bình, với dải điện áp từ 40V đến 120V. Nó sử dụng các gói RQFN 5x6 và 3.3x3.3 tiêu chuẩn, tương thích với các chân MOSFET dựa trên silicon truyền thống, tạo điều kiện cho việc di chuyển thiết kế cho khách hàng. Các thiết bị này có điện trở bật cực thấp (1,1mΩ đến 2,3mΩ) và độ ổn định chu kỳ nhiệt tuyệt vời, làm cho chúng đặc biệt phù hợp với các ứng dụng chuyển mạch tần số cao. Trong các thiết kế sạc nhanh USB-C, các transistor GaN dòng G3 đạt hiệu quả trên 95% trong khi giảm kích thước nguồn điện xuống hơn 50%; trong các bộ truyền động động cơ và nguồn điện viễn thông, các đặc tính tần số cao của chúng giúp giảm kích thước thành phần bộ lọc và tăng cường băng thông điều khiển.

Dòng CoolGaN™ G5 là sản phẩm chủ lực của Infineon cho các ứng dụng điện áp cao, hoạt động ở điện áp lên đến 650V. Nó sử dụng công nghệ GIT (Transistor phun cổng) sáng tạo, đạt được mức cải thiện hiệu quả từ 3% đến 5% so với các thế hệ trước. Các transistor GaN dòng G5 có tổn thất chuyển mạch cực thấp, hỗ trợ tần số hoạt động từ hàng trăm kHz đến MHz, đồng thời cung cấp khả năng miễn nhiễm dv/dt tuyệt vời và khả năng chịu đựng ngắn mạch. Trong các ứng dụng biến tần quang điện, các thiết bị G5 đạt hiệu quả chuyển đổi vượt quá 99%, tăng cường đáng kể sản lượng năng lượng của hệ thống phát điện. Trong nguồn điện máy chủ và bộ sạc trên bo mạch (OBC) của xe điện, mật độ công suất cao của chúng cho phép thiết kế hệ thống nhỏ gọn hơn.