Blog về công ty Sản phẩm GaN EPC:GaN FETs,GaN Controllers,GaN Gate Drivers

Sản phẩm GaN EPC:GaN FETs,GaN Controllers,GaN Gate Drivers

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Là nhà phân phối độc lập được ủy quyền về các thành phần điện tử nổi tiếng thế giới,đã thiết lập một chuỗi cung ứng sản phẩm ổn định thông qua kinh nghiệm phân phối chuyên môn trong lĩnh vực linh kiện điện tửChúng tôi đảm bảo cho khách hàng của chúng tôi sản phẩm nguyên bản, giá cả cạnh tranh cao và dịch vụ giao hàng nhanh chóng.

Tận dụng các kênh chuỗi cung ứng toàn cầu ổn định của mình, Mingjiada Electronics cung cấp đầy đủ các thiết bị điện EPC eGaN® gallium nitride từ cổ phiếu,bao gồm GaN field-effect transistors (eGaN FETs)Chúng tôi cung cấp các dịch vụ từ yêu cầu mẫu và sản xuất thử nghiệm lô nhỏ đến cung cấp hàng loạt liên tục, với bảo đảm sản phẩm nguyên bản.Chúng tôi cung cấp hỗ trợ thành phần chuỗi điện GaN toàn diện cho các giải pháp như tần số cao, nguồn cung cấp điện mật độ cao, robot hình người, máy chủ máy tính AI, máy bay không người lái, LiDAR, bộ chuyển đổi DC-DC công nghiệp 48V và nguồn cung cấp điện cho ô tô.

Ưu điểm cung cấp

Tất cả các sản phẩm là nguyên bản, được cung cấp trực tiếp từ nhà máy và được hỗ trợ bởi các dịch vụ đảm bảo chất lượng và truy xuất nguồn gốc toàn diện.

Chúng tôi có 2 triệu SKU, bao gồm một loạt các loại linh kiện điện tử

Tận dụng lợi thế của mua sắm quy mô lớn và chi phí hoạt động hợp lý, chúng tôi cung cấp giá hàng đầu trên thị trường

Một hệ thống hậu cần hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng giờ

Một hệ thống dịch vụ sau bán hàng toàn diện loại bỏ tất cả các mối quan tâm của khách hàng.

I. EPC GaN Field-Effect Transistors: Các thành phần cốt lõi cho chuyển đổi công suất hiệu suất cao

EPC GaN field-effect transistors (eGaN® FETs) là các transistor điện tử di động cao gallium nitride chế độ tăng cường được xây dựng trên nền silicon,và phục vụ như là các thành phần cốt lõi của các giải pháp điện của EPCKhác với cấu trúc vật lý của các MOSFET silicon truyền thống, eGaN® FET không có điện tích phục hồi ngược, công suất nguồn cổng thấp hơn và mất mát trạng thái thấp hơn.Chúng kết hợp bốn lợi thế cốt lõi: tần số cao, hiệu quả cao, thu nhỏ và độ tin cậy cao. Chúng tương thích trực tiếp với các mạch ứng dụng MOSFET truyền thống;thay thế và nâng cấp không yêu cầu thay đổi đáng kể về thiết kế phần cứng, làm cho chúng phù hợp với sản xuất hàng loạt.

1Ưu điểm kỹ thuật chính

So với các thiết bị dựa trên silicon, các transistor hiệu ứng trường GaN của EPC đạt được những bước đột phá toàn diện trong hiệu suất cốt lõi: tốc độ chuyển đổi tăng hơn 10 lần,hỗ trợ hoạt động tần số cao trong phạm vi MHz và giảm đáng kể kích thước của các thành phần thụ động như biến áp điện và tụ điện; kháng cự cực kỳ thấp và tổn thất chuyển đổi giảm hiệu quả mức tiêu thụ điện của toàn bộ hệ thống, với hiệu quả chuyển đổi điện được cải thiện 3 ∼ 8 phần trăm;Sự vắng mặt của các đặc điểm phục hồi ngược hoàn toàn loại bỏ dao động chuyển mạch và tổn thất dẫn ngược, giảm đáng kể nhiễu điện từ (EMI) và đơn giản hóa thiết kế lọc của hệ thống; cấu trúc thiết bị được hợp lý hóa, với bao bì thu nhỏ cao,dẫn đến mật độ điện năng vượt xa so với MOSFET silic tương đươngHơn nữa, toàn bộ phạm vi sản phẩm được sản xuất bằng cách sử dụng các dây chuyền sản xuất silicon trưởng thành, cân bằng hiệu suất cao với chi phí thấp.và phù hợp với cả các ứng dụng hàng loạt tiêu dùng và cao cấp, các kịch bản đòi hỏi.

2- Cảng sản phẩm và các đặc điểm chính

Các transistor hiệu ứng trường GaN của EPC® bao gồm toàn bộ phạm vi điện áp từ 15 V đến 350 V, tạo thành phạm vi thiết bị điện GaN sẵn có toàn diện nhất trên thị trường.Các danh mục đầu tư bao gồm ba loại chính: tiêu chuẩn thương mại, tiêu chuẩn ô tô và hàng không vũ trụ, đáp ứng các yêu cầu độ tin cậy của các ứng dụng khác nhau.như EPC23101 và EPC800X series, kết hợp kháng cự điện thấp với điện tích cổng thấp, làm cho chúng phù hợp với các cấu trúc điện năng khác nhau bao gồm áp dụng điện áp thấp, dòng điện cao, điều chỉnh tần số cao và đảo ngược.Dòng chất hóa trị bức xạ, được phát triển đặc biệt cho môi trường cực đoan như hàng không vũ trụ và vệ tinh, cung cấp khả năng chống bức xạ đặc biệt, nhiệt độ cao và va chạm, cho phép lâu dài,hoạt động ổn định trong điều kiện đòi hỏi.

3Các kịch bản ứng dụng điển hình

Được sử dụng rộng rãi trong các nguồn điện sạc nhanh cho thiết bị điện tử tiêu dùng, bộ chuyển đổi máy tính xách tay, DC-DC buck / module tăng cường, động cơ BLDC, hệ thống điện robot, nguồn điện máy bay không người lái,Hệ thống điện áp điện áp thấp ô tô, và nguồn điện chính xác cho các ứng dụng hàng không vũ trụ, các thiết bị này là các thành phần cốt lõi được ưa thích cho các thiết bị chuyển đổi điện tần số cao, thu nhỏ.

II. Driver cổng GaN EPC: lõi ổ đĩa tốc độ cao dành riêng cho thiết bị GaN

Hiệu suất tần số cao của các transistor hiệu ứng trường GaN chỉ có thể được thực hiện đầy đủ với một con chip trình điều khiển cổng chuyên dụng.Các trình điều khiển MOS dựa trên silicon truyền thống không đáp ứng các yêu cầu hoạt động của các thiết bị GaN về tốc độ, tương thích thời gian và điện áp. trình điều khiển cổng GaN được phát triển trong nhà của EPC được thiết kế riêng cho eGaN® FETs.nó phù hợp chính xác với các đặc điểm chuyển đổi tốc độ cao của các thiết bị GaN, đảm bảo hoạt động ổn định, hiệu quả và đáng tin cậy của mạch điện.

1Ưu điểm kỹ thuật chính

Các trình điều khiển cổng GaN của EPC có tốc độ chuyển đổi cực cao và thời gian lan rộng cực kỳ ngắn,làm cho chúng hoàn toàn phù hợp với các chế độ hoạt động tần số cao ở mức MHz của các thiết bị GaN và tận dụng đầy đủ các lợi thế của GaN ′ về tần số cao và mất mát thấpChúng tích hợp các chức năng như thời gian chết có thể lập trình, bảo vệ khóa dưới điện áp và đầu ra kéo lên / kéo xuống độc lập,có hiệu quả giảm thiểu các vấn đề như giao thông ngang dẫn và kích hoạt sai trong các thiết bị GaN, do đó tăng cường sự ổn định của hệ thống; Một số mô hình cao cấp kết hợp một bộ điều chỉnh tuyến tính trên chip, cho phép tương thích trực tiếp với đầu vào điện áp lớn,đơn giản hóa thiết kế mạch ngoại vi và giảm dấu chân PCBHơn nữa, khả năng ổ đĩa đầu ra của trình điều khiển được phù hợp chính xác với toàn bộ các bộ bán dẫn điện GaN EPC, đảm bảo thời gian điều khiển chính xác và nhất quán cao,có hiệu quả làm giảm tổn thất chuyển đổi và nhiễu EMI.

2Các loại sản phẩm chính

Các trình điều khiển cổng GaN EPC được chia thành hai loạt chính: thương mại mục đích chung và hàng không vũ trụ chống bức xạ.Các mô hình thương mại phổ biến phù hợp với các ứng dụng thông thường như sạc nhanh, các nguồn cung cấp điện công nghiệp và động cơ; các dòng chống bức xạ, chẳng hạn như EPC7009L16SH và FBS-GAM02P-R-PSE, được phát triển đặc biệt cho các vệ tinh không gian và thiết bị quân sự.Chúng có khả năng chống bức xạ tuyệt vời., phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng và khả năng thích nghi môi trường cao, cho phép hoạt động ổn định trong môi trường không gian khắc nghiệt và kịch bản biến động nhiệt độ mạnh.Dòng sản phẩm bao gồm các mô hình đầu ra đơn và nhiều đầu ra, tương thích với các cấu trúc năng lượng một pha và ba pha, để đáp ứng các yêu cầu của thiết bị trên các hạng năng lượng khác nhau.

3Các kịch bản ứng dụng điển hình

Chủ yếu được sử dụng kết hợp với toàn bộ các bộ bán dẫn hiệu ứng trường EPC GaN, các sản phẩm này được áp dụng trong các nguồn điện chuyển mạch tần số cao, biến tần động cơ BLDC ba pha,Hệ thống chỉnh sửa tần số cao công nghiệp, mô-đun điều khiển năng lượng máy bay không người lái và hệ thống năng lượng chính xác cho hàng không vũ trụ.

III. EPC GaN Controllers: Lõi điều khiển năng lượng thông minh tích hợp

Bộ điều khiển EPC GaN là các chip điều khiển thông minh tích hợp kết hợp kiểm soát logic, chuyển đổi mức độ, quản lý thời gian và điều khiển ổ đĩa.chúng không chỉ cung cấp chức năng ổ đĩa mà còn kết hợp toàn bộ logic điều khiển vòng mạch điện, cho phép đầu ra trực tiếp các tín hiệu điều khiển công tắc điện chính xác. Khi kết hợp với các thiết bị điện GaN, chúng tạo thành một hệ thống chuyển đổi điện với kiến trúc cực kỳ đơn giản.Một số mô hình cao cấp tích hợp giai đoạn điện, giai đoạn lái xe và giai đoạn điều khiển, thực hiện một giải pháp điện đơn chip đơn giản hóa đáng kể thiết kế mạch.

1Ưu điểm kỹ thuật chính

Sự tích hợp cao là điểm nổi bật chính của bộ điều khiển GaN của EPC. Bằng cách tích hợp nhiều chức năng bao gồm giao diện logic đầu vào, chuyển cấp điện áp cao, khởi động đồng bộ,lái cổng và điều khiển vòng lặp ờ họ loại bỏ sự cần thiết cho các chip điều khiển và điều khiển thêm, giảm đáng kể số lượng các thành phần ngoại vi, đơn giản hóa bố cục PCB và giảm chi phí hệ thống tổng thể;Các thuật toán điều khiển thời gian chính xác tích hợp phù hợp với các đặc điểm chuyển đổi của các thiết bị GaN và tối ưu hóa thời gian chết, giảm thêm tổn thất hệ thống; hỗ trợ hoạt động tần số cao và phạm vi điện áp đầu vào rộng để đáp ứng nhu cầu điện năng trong nhiều kịch bản,trong khi các chức năng bảo vệ tích hợp, bảo vệ điện quá tải, điện áp thấp và nhiệt độ quá cao đảm bảo hoạt động an toàn và ổn định của hệ thống.

2Các đặc điểm chính của các sản phẩm và giải pháp chuẩn

Các bộ điều khiển GaN, ví dụ như EPC33110, đại diện cho các sản phẩm cốt lõi thế hệ mới của EPC.hiện là một trong những giải pháp lái động cơ GaN nhỏ nhất có sẵn và được tối ưu hóa đặc biệt cho robot, máy bay không người lái và thiết bị servo nhỏ. Hơn nữa, chip cấp điện ePower của EPC tích hợp các công tắc cấp điện GaN tần số cao với bộ điều khiển và trình điều khiển vào một chip duy nhất,đạt được một kiểm soát thống nhất, giải pháp ổ đĩa và đầu ra điện. Điều này làm giảm đáng kể kích thước thiết bị trong khi tăng mật độ điện và độ tin cậy của hệ thống. Toàn bộ bộ điều khiển hỗ trợ thiết kế tiêu chuẩn,đi kèm với các mô hình thiết kế toàn diện, bảng đánh giá và hướng dẫn ứng dụng, rút ngắn đáng kể chu kỳ R&D của khách hàng.

3Các kịch bản ứng dụng điển hình

Các giải pháp này đặc biệt phù hợp với các ứng dụng yêu cầu thu nhỏ, mật độ năng lượng cao và độ tin cậy cao, bao gồm robot hình người, máy bay không người lái, thiết bị servo di động,Máy biến đổi công nghiệp nhỏChúng đặc biệt phù hợp với thiết bị điện thông minh đòi hỏi cấu trúc nhẹ.Hoạt động chính xác cao và tần số cao.