Blog về công ty Cung cấp EPC Gallium Nitride Product:GaN IC,FET GaN ô tô,GaN cứng

Cung cấp EPC Gallium Nitride Sản phẩm: GaN IC, GaN FET ô tô, GaN Rad-Hard

Thâm Quyến Mingjiada Electronics Co., Ltd.,là nhà phân phối linh kiện điện tử độc lập nổi tiếng, duy trì một kho dự trữ lâu dài gồm nhiều loạt linh kiện điện tử, bao gồm chip 5G, IC năng lượng mới, IC IoT, IC Bluetooth, IC V2X, IC cấp ô tô, IC giao tiếp, IC AI, IC bộ nhớ, IC cảm biến, IC vi điều khiển, IC thu phát, IC Ethernet, chip Wi-Fi, mô-đun giao tiếp không dây, đầu nối, v.v., cung cấp cho khách hàng các sản phẩm và dịch vụ chất lượng cao.

I. Mạch tích hợp EPC GaN (Dòng ePower™)

IC tầng công suất EPC ePower™ là giải pháp tích hợp GaN hàng đầu trong ngành tích hợp nguyên khối logic đầu vào, chuyển mức, mạch khởi động và trình điều khiển cổng với FET nguồn eGaN®, nhờ đó đơn giản hóa đáng kể thiết kế bộ nguồn.

Các tính năng chính: Dải điện áp: 15V–100V, với model hàng đầu EPC23102 (100V/35A);

Tần số cực cao: Hỗ trợ chuyển đổi 1 MHz+, với hiệu suất lên tới 97%+ và không mất khả năng phục hồi ngược;

Tích hợp tối ưu: Đạt được mức năng lượng nửa cầu trên một chip duy nhất, giảm hơn 50% dấu chân PCB.

Các ứng dụng điển hình: Bộ chuyển đổi DC/DC 48V, bộ điều khiển động cơ BLDC, bộ khuếch đại âm thanh Loại D, bộ cấp nguồn xung LiDAR.

II. Transitor hiệu ứng trường GaN cấp ô tô (Được chứng nhận AEC-Q101)

Toàn bộ các eGaN® FET cấp ô tô của EPC đều được chứng nhận AEC-Q101 và được thiết kế để chịu được môi trường ô tô khắc nghiệt.

Các tính năng chính: Tiêu chuẩn chứng nhận: AEC-Q101 Cấp 1 (-40°C đến 150°C), thích hợp cho các ứng dụng ô tô có độ rung cao và phạm vi nhiệt độ rộng;

Suy hao cực thấp: RDS (bật) ở mức thấp tới 1,5 mΩ, dòng xung cực đại lên tới 530 A và tốc độ chuyển mạch nhanh hơn 10 lần so với MOSFET silicon;

Gói vi mô: Gói quy mô chip (CSP), kích thước nhỏ tới 0,9 × 0,9 mm, với mật độ năng lượng tăng gấp 30 lần.

Các mẫu phổ biến: EPC2202 (80V/16mΩ/75A): LiDAR ô tô, 48V–12V DC/DC;

EPC2212 (100V/25mΩ/37A): OBC (bộ sạc tích hợp), bộ điều khiển đèn pha điện áp cao.

III. GaN được làm cứng bằng bức xạ (Dòng không gian EPC)

Nhắm mục tiêu các ứng dụng có độ tin cậy cao như hàng không vũ trụ và quốc phòng, Mingjiada cung cấp các thiết bị GaN được làm cứng bằng bức xạ (Rad-Hard) của EPC Space, đã vượt qua chứng nhận chiếu xạ cấp không gian và đã hoạt động ổn định trên quỹ đạo trong hơn sáu năm.

Các tính năng cốt lõi: Khả năng chịu bức xạ: Tổng liều chiếu xạ (TID) ≥300 kRad, khả năng miễn nhiễm Hiệu ứng sự kiện đơn (SEE), thích hợp cho các vệ tinh quỹ đạo Trái đất thấp và thám hiểm không gian sâu;

Độ ổn định cao: Chịu được điện áp 100V–200V, dải nhiệt độ hoạt động rộng từ -55°C đến 125°C, không gặp vấn đề suy giảm bức xạ liên quan đến các thiết bị dựa trên silicon;

Giải pháp tích hợp: Bao gồm bộ điều khiển cổng được tăng cường bức xạ (ví dụ FBS-GAM01P) và các mô-đun giai đoạn nguồn, đơn giản hóa thiết kế cung cấp điện cho ngành hàng không vũ trụ.

Các ứng dụng điển hình: Xe buýt điện vệ tinh, bộ chuyển đổi DC/DC trên bo mạch, bộ truyền động động cơ hàng không vũ trụ và nguồn cung cấp năng lượng cho radar quân sự.

IV. Đảm bảo cung cấp Mingjiada

Đầy đủ hàng trong kho: Chúng tôi duy trì một lượng chip dự trữ để giao ngay, hỗ trợ cả mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng số lượng lớn;

Chất lượng gốc của nhà sản xuất: Sản phẩm chính hãng 100%, có đầy đủ báo cáo thử nghiệm tại nhà máy và chứng nhận chất lượng, có hỗ trợ truy xuất nguồn gốc;

Giao hàng toàn cầu: Tận dụng mạng lưới kho hàng của chúng tôi ở Thâm Quyến, Hồng Kông và nước ngoài, chúng tôi đáp ứng nhanh chóng các yêu cầu đặt hàng từ cả khách hàng trong nước và quốc tế;

Giá cả cạnh tranh: Thông qua sự hợp tác chặt chẽ với các nhà cung cấp và quản lý chuỗi cung ứng hiệu quả, chúng tôi có thể cung cấp cho bạn mức giá cạnh tranh.