Starpower IGBT Transistor DG75X07T2L 650V 75A Single Phase Half Bridge IGBT Power Transistor
Mô tả sản phẩm
DG75X07T2L là IGBT Power Discrete cung cấp tổn thất dẫn điện cực thấp cũng như tổn thất chuyển đổi thấp. Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như biến tần chung và UPS.
Đặc điểm
Công nghệ IGBT hầm VCE thấp
Khả năng mạch ngắn 6μs
Mất lượng chuyển đổi thấp
Nhiệt độ kết nối tối đa 175oC
Vỏ có độ thấm thấp
VCE ((sat) với hệ số nhiệt độ dương
FWD phục hồi ngược nhanh và mềm chống song song
Bao bì không có chì
Các ứng dụng điển hình
Inverter cho động cơ truyền động
Bộ khuếch đại AC và DC
Nguồn cung cấp điện không bị gián đoạn
Người liên hệ: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753
