Để lại lời nhắn
Chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn sớm!
Chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn sớm!
Để lại lời nhắn
Chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn sớm!
—— Nishikawa từ Nhật Bản
—— Luis đến từ Hoa Kỳ
—— Richardg từ Đức
—— Tim đến từ Malaysia
—— Vincent đến từ Nga
—— Nishikawa từ Nhật Bản
—— Sam đến từ Hoa Kỳ
—— Lina đến từ Đức
Starpower DG40H12T2 1200V 40A Single Phase Half Bridge IGBT Power Transistor
Mô tả sản phẩm
DG40H12T2 là IGBT Power Discrete cung cấp tổn thất dẫn điện cực thấp cũng như tổn thất chuyển đổi thấp. Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như biến tần chung và UPS.
Đặc điểm
Công nghệ IGBT hầm VCE thấp
Mất lượng chuyển đổi thấp
Nhiệt độ kết nối tối đa 175°C
VCE ((sat) với hệ số nhiệt độ dương
FWD phục hồi ngược nhanh và mềm chống song song
Các ứng dụng điển hình
Năng lượng mặt trời
Máy hàn điện tử
Nguồn cung cấp điện không bị gián đoạn