Blog về công ty ST STL26N60DM6 MOSFET công suất MDmesh DM6 N-Channel điện áp cao 600V 15A

ST Transistor MOSFET N-Channel Điện áp cao 600V 15A MDmesh DM6

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada là nhà phân phối linh kiện điện tử nổi tiếng toàn cầu, cung cấp transistor MOSFET N-channel điện áp cao. Sử dụng công nghệ MDmesh DM6 tiên tiến, nó mang lại hiệu suất chuyển mạch và hiệu quả năng lượng vượt trội trong các ứng dụng điện áp cao 600V.

600V, 15A đặc biệt phù hợp với các ứng dụng đòi hỏi hiệu quả cao và chuyển mạch nhanh, chẳng hạn như trạm sạc xe điện, bộ chuyển đổi nguồn thiết bị viễn thông và bộ biến tần năng lượng mặt trời.

【Điểm nổi bật của Công nghệ MDmesh DM6】

Dòng MDmesh DM6 đại diện cho công nghệ MOSFET công suất điện áp cao hiện đại, được tối ưu hóa sâu cho các bộ chuyển đổi và cấu trúc cầu hiệu quả cao.

So với các thế hệ trước, công nghệ DM6 mang lại những cải tiến đáng kể về điện trở trên một đơn vị diện tích, cùng với điện tích cổng giảm và các đặc tính chuyển mạch vượt trội.

Ưu điểm cốt lõi của công nghệ này nằm ở cấu hình điện dung được tối ưu hóa và quy trình triệt tiêu tuổi thọ chuyên biệt.

Điều này cho phép MOSFET dòng DM6 kết hợp nhiều lợi ích: điện tích cổng thấp (Qg), điện tích hồi phục thấp (Qrr) và thời gian hồi phục ngắn (trr), khiến chúng đặc biệt phù hợp với các mạch chuyển mạch tần số cao.

Thiết bị MDmesh DM6 trải qua thử nghiệm tuyết lở 100% để đảm bảo độ tin cậy trong điều kiện vận hành khắc nghiệt và kết hợp bảo vệ Zener để có khả năng chịu đựng dv/dt đặc biệt.

Những đặc điểm này làm cho các sản phẩm dòng DM6 như trở nên lý tưởng cho các cấu trúc cầu và bộ chuyển đổi dịch pha ZVS.

Trong các trạm sạc xe điện, khả năng điện áp cao và đặc tính chuyển mạch nhanh của STL26N60DM6 khiến nó trở thành một lựa chọn lý tưởng cho phần chuyển đổi nguồn.STL26N60DM6 là MOSFET công suất N-channel được đặt trong gói PowerFlat™ (8x8) HV gắn trên bề mặt.

Được đánh giá cho điện áp drain-source 600V và có khả năng xử lý dòng drain liên tục 15A, nó mang lại công suất tiêu tán tối đa 110W ở 25°C.

STL26N60DM6

MOSFET có điện áp ngưỡng cổng tối đa là 4.75V (ở điều kiện thử nghiệm 250μA) và dải điện áp hoạt động cổng là ±25V.

STL26N60DM6 thể hiện điện tích cổng (Qg) là 24 nC (ở điện áp cổng 10 V) và điện dung đầu vào tối đa (Ciss) là 940 pF (ở điện áp drain-source 100 V).

Các thông số này đảm bảo

STL26N60DM6

đạt được chuyển mạch nhanh đồng thời tạo điều kiện cho thiết kế mạch trình điều khiển.【Ưu điểm và tính năng kỹ thuật của

STL26N60DM6

】So với các thế hệ trước, công nghệ DM6 đạt được sự giảm đáng kể về điện trở trên một đơn vị diện tích trong khi vẫn duy trì tổn thất chuyển mạch cực thấp.

Thiết bị này cũng thể hiện độ bền dv/dt đặc biệt, với độ dốc điện áp hồi phục điốt đỉnh là 100V/ns và độ bền MOSFET dv/dt cũng đạt 100V/ns.

STL26N60DM6

trải qua thử nghiệm tuyết lở 100% để đảm bảo độ tin cậy trong điều kiện vận hành khắc nghiệt.

【

Các lĩnh vực ứng dụng của STL26N60DM6】

STL26N60DM6 phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển mạch công suất, đặc biệt là những ứng dụng có hiệu quả cao và chuyển mạch nhanh là rất quan trọng.

Trong các trạm sạc xe điện, khả năng điện áp cao và đặc tính chuyển mạch nhanh của STL26N60DM6 khiến nó trở thành một lựa chọn lý tưởng cho phần chuyển đổi nguồn.Trong các ứng dụng biến tần năng lượng mặt trời, đặc tính điốt hồi phục nhanh của STL26N60DM6 góp phần nâng cao hiệu quả chuyển đổi năng lượng.

STL26N60DM6

đặc biệt phù hợp với các cấu trúc liên kết yêu cầu xử lý điốt ổn định, đáng tin cậy của dv/dt động, chẳng hạn như cấu hình cầu đầy đủ và cầu bán phần, cũng như bộ chuyển đổi dịch pha (ZVS) không điện áp.

Hơn nữa, STL26N60DM6 có thể được sử dụng trong các thiết kế nguồn cung cấp năng lượng chế độ chuyển mạch hiệu quả cao khác nhau, cung cấp cho các kỹ sư một giải pháp đáp ứng các tiêu chuẩn hiệu quả năng lượng nghiêm ngặt trong khi vẫn duy trì độ tin cậy của hệ thống.