Blog về công ty Shenzhen Mingjiada Electronics. MOSFET năng lượng cấp máy chủ AI trong kho

Mingjiada's Full Product Range of Power MOSFETs cho máy chủ AI

Với sự phát triển bùng nổ của sức mạnh tính toán AI, các MOSFET điện đã trở thành các thành phần "đối với nút chai" trong chuỗi cung ứng điện.

Khi việc triển khai quy mô lớn các cụm để đào tạo và suy luận các mô hình lớn trở thành chuẩn mực,tiêu thụ năng lượng mỗi tủ trong máy chủ AI đã tăng từ phạm vi 10 kW truyền thống lên phạm vi 100 kW trên nền tảng GB200Các kiến trúc nguồn điện đang nhanh chóng chuyển từ các hệ thống bus 12V truyền thống sang kiến trúc DC điện áp cao 48V / 800V.Khi số lượng các giai đoạn chuyển đổi điện năng tăng lên và dòng chảy thoáng qua tăng gấp đôi, nhu cầu về điện năng MOSFET và các yêu cầu về hiệu suất đặt lên chúng đang tăng lên đáng kể.Ước tính của ngành cho thấy một máy chủ AI duy nhất sử dụng ba đến năm lần nhiều chất bán dẫn năng lượng hơn một máy chủ truyền thống, và giá trị của các chất bán dẫn điện trong một tủ máy chủ AI duy nhất được dự đoán sẽ tăng từ khoảng 15.000 USD lên 115.000 USD vào năm 2030.

Trong bối cảnh này, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd, một nhà phân phối độc lập được ủy quyền với gần ba thập kỷ kinh nghiệm trong chuỗi cung ứng các thành phần điện tử, leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Vishay, ROHM và Renesas® cho các thiết kế nguồn cung cấp năng lượng máy chủ AI.

Dòng sản phẩm Core Power MOSFET cho máy chủ AI được cung cấp bởi Mingjiada

I. Infineon: Bao gồm toàn bộ chuỗi từ PFC đến IBC

Infineon tự hào có danh mục sản phẩm toàn diện nhất trong chuỗi cung ứng năng lượng máy chủ AI.

OptiMOS TM 5/6/7 Series (tăng suất trung bình đến thấp, 25V ¢ 250V): Bao gồm các yêu cầu cốt lõi của các bộ chuyển đổi buck đa pha và các bộ chuyển đổi bus trung gian (IBC).với một gói phân tán nhiệt hai mặt 5 × 6mm2, đã được tích hợp vào tầng IBC của nền tảng máy chủ AI bởi các nhà sản xuất bộ xử lý hàng đầu.với RDS ((on) giảm 25% đối với biến thể 40V và 40% đối với biến thể 80V/100V so với thế hệ trước. Mingjiada duy trì một kho các mẫu máy chủ IBC AI phổ biến như BSC050N10NS5 (100V / 5mΩ).

CoolMOS TM C7 / C8 series (tăng áp cao, 600V 950V): Thích hợp cho các giai đoạn PFC và LLC của máy chủ AI CRPS nguồn cung cấp điện.Công nghệ kết nối XT và cung cấp hiệu suất nhiệt hàng đầu trong ngành, làm cho nó đặc biệt phù hợp với thiết kế nguồn điện mật độ công suất cao trong cả máy chủ truyền thống và AI.7A) được sử dụng rộng rãi trong các nguồn điện công nghiệp và mạch PFC máy chủ.

CoolSiC TM 400V Series (dành riêng cho các giai đoạn AC / DC): Infineon ′s 400V SiC MOSFETs, dựa trên công nghệ CoolSiC TM thế hệ thứ hai, được phát triển đặc biệt cho các giai đoạn AC / DC của máy chủ AI,cho phép mật độ công suất vượt quá 100W/in3 và hiệu suất giai đoạn PFC là 99.5%

Dòng StrongIRFET TM: Được định vị như một giải pháp hiệu quả về chi phí cho các ứng dụng điện áp trung bình và thấp, với VBRDSS lên đến 100V, RDS ((on) thấp đến 1,2mΩ và ID tối đa là 282A,nó phù hợp với các ứng dụng như nguồn điện phụ trợ và chuyển đổi tải trong máy chủ AI.

II. ON bán dẫn: PowerTrench® T10 + EliteSiCTM Combined Solution

Các giải pháp cung cấp điện máy chủ AI của ON Semiconductor được đặc trưng bởi cấu hình hai đường dây dựa trên silicon + silicon carbide.Các thế hệ mới nhất T10 PowerTrench® sử dụng một thiết kế hầm cửa kín, được tối ưu hóa đặc biệt cho các ứng dụng dòng điện cao trong các giai đoạn chuyển đổi điện DC-DC, cung cấp mật độ điện cao hơn và hiệu suất nhiệt đặc biệt trong một gói nhỏ gọn.Khi sử dụng kết hợp với loạt T10, MOSFET EliteSiCTM 650V M3S giảm 50% tải cổng và năng lượng công suất đầu ra 44% so với thế hệ trước,do đó giảm mất điện trung tâm dữ liệu khoảng 1%Hơn nữa, ON Semiconductor đã tung ra một mô-đun điện toán đám mây AI 12kW sử dụng giải pháp M3S MOSFET và SiC JFET, đạt hiệu suất tối đa lên đến 98% cho toàn bộ đơn vị..

Mingjiada cổ phiếu trên dòng EliteSiC của Semiconductor's SiC MOSFETs (bao gồm phạm vi điện áp đầy đủ từ 650V đến 1700V),cũng như các MOSFET điện N-channel đơn của loạt PowerTrench như NVMFS5C404NL và NVMFS5C456NL, và hỗ trợ cả các mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng khối lượng lớn.

III. Vishay: TrenchFET® Gen V Low-On-Resistance Solution

Vishay SiRS5700DP là một 150V TrenchFET® Gen V N-channel power MOSFET được đặt trong gói PowerPAK® SO-8S (QFN 6 × 5), có RDS ((on) thấp đến 5.6 mΩ và yếu tố chất lượng (RDS ((on) × Qg) chỉ 336 mΩ·nC, RthJC thấp đến 0,45 °C / W, và dòng chảy thoát liên tục lên đến 144 A.Thiết bị này được thiết kế đặc biệt để đáp ứng các yêu cầu về hiệu quả của hệ thống cung cấp điện máy chủ AI 6 kW và phù hợp với việc điều chỉnh đồng bộCác ứng dụng điển hình bao gồm máy chủ AI, máy tính cạnh và siêu máy tính.Mingjiada cung cấp sẵn sàng ngay lập tức của SiRS5700DP và toàn bộ các MOSFET năng lượng Vishay TrenchFET.

IV. ROHM: MOSFET được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng chuyển đổi nóng 48V trong máy chủ AI

ROHM đã tung ra các MOSFET công suất 100V RY7P250BM và RS7P200BM cho các mạch chuyển đổi nóng nguồn 48V trong máy chủ AI.RY7P250BM đạt được dung sai SOA lên đến 16 A ở VDS = 48 V và chiều rộng xung 10 msNó đạt được sự cân bằng hàng đầu trong ngành giữa phạm vi SOA rộng hơn và kháng cự điện thấp hơn,và đã được chứng nhận và khuyến cáo bởi các nền tảng đám mây nổi tiếng trên toàn cầuRS7P200BM đạt được phạm vi SOA rộng dẫn đầu ngành trong một gói nhỏ gọn 5,0 mm × 6,0 mm, đáp ứng nhu cầu của thiết kế nguồn điện mật độ cao.Mingjiada từ lâu đã cung cấp ROHM MOSFET điện kênh N và các sản phẩm MOSFET SiC, bao gồm các mô hình như RCX450N20 (200 V/45 A).

V. STMicroelectronics (ST): MDmeshTM và STripFETTM Series

MOSFET công suất ST ′s bao gồm một phạm vi điện áp phá vỡ rộng từ ′100 V đến 1,700 V,đạt được điện tích cổng thấp và kháng cự điện thấp thông qua loạt điện áp cao MDmesh TM và loạt điện áp thấp STripFET TMMột mô hình điển hình, STW48N60M6 (600 V / 48 A, 0,060 Ω), phù hợp với giai đoạn PFC của máy chủ AI và chuyển đổi DC / DC điện áp cao.Các sản phẩm ST ′s với phạm vi điện áp mở rộng 650V ′2200V có khả năng nhiệt độ cực cao (TJ lên đến 200 °C) và tổn thất chuyển đổi cực thấp, cung cấp một thay thế cacbit silicon cho các giai đoạn AC / DC hiệu quả cao trong máy chủ AI.

Đảm bảo cung cấp của Mingjiada

Các sản phẩm nguyên bản và kho hàng hóa rộng lớn: Mingjiada phân phối sản phẩm từ hơn 500 nhà sản xuất bán dẫn trên toàn thế giới; tất cả các MOSFET điện đều là sản phẩm nguyên bản, được niêm phong tại nhà máy,với các dịch vụ truy xuất dấu vết lô được cung cấp. Trung tâm lưu trữ kép của chúng tôi ở Thâm Quyến và Hồng Kông duy trì một kho 2 triệu số bộ phận khác nhau, hỗ trợ một nhanh chóng "đặt hàng hôm nay, gửi ngày mai" phản hồi.

Mua sắm linh hoạt và giao hàng toàn cầu: Chúng tôi hỗ trợ cả mua mẫu lô nhỏ (bắt đầu từ một đơn vị duy nhất) và đơn đặt hàng dây chuyền sản xuất hàng triệu,đáp ứng các yêu cầu toàn chu kỳ từ prototyping nguồn cung cấp năng lượng máy chủ AI đến tăng sản xuất hàng loạtThông qua các chi nhánh của chúng tôi ở Hồng Kông, Nhật Bản, Nga và các nơi khác, chúng tôi hỗ trợ vận chuyển quốc tế DHL / UPS để đảm bảo giao hàng toàn cầu nhanh chóng.

Liên hệ Mingjiada: Trang web chính thứcwww.integrated-ic.comNhân viên dịch vụ: +86 13410018555 (Ông Chen) Email: sales@hkmjd.com