Blog về công ty Bán STMicroelectronics MCU hiệu suất cao STM32H750IBK6 ARM Microcontroller - MCU

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. bán hàng mới gốc STMicroelectronics MCU hiệu suất cao STM32H750IBK6 Dựa trên lõi RISC 32 bit Arm® Cortex®-M7 hiệu suất cao,tần số hoạt động lên đến 400MHz.

STM32H750IBK6 Mô tả thiết bị

MCU này có bộ nhớ nhúng tốc độ cao với tối đa 2 MB Flash vùng kép, 1 MB RAM (bao gồm 192 KB RAM TCM, 864 KB SRAM người dùng và 4 KB SRAM sao lưu).thiết bị có nhiều I / O và thiết bị ngoại vi được nâng cao kết nối với bus APB, bus AHB, ma trận bus đa-AHB 2x32 bit và kết nối AXI đa lớp hỗ trợ truy cập bộ nhớ nội bộ và bên ngoài.

Thiết bị có ba ADC, hai DAC, hai so sánh năng lượng cực thấp, một RTC năng lượng thấp, bộ đếm thời gian độ phân giải cao, 12 bộ đếm thời gian 16 bit, hai bộ đếm thời gian PWM để điều khiển động cơ,5 bộ đếm thời gian năng lượng thấpThiết bị hỗ trợ bốn bộ lọc kỹ thuật số cho các bộ điều chế sigma-delta bên ngoài (DFSDM) và có giao diện truyền thông tiêu chuẩn và nâng cao.

Đặc điểm

Trọng tâm

Bộ lõi 32 bit Arm® Cortex®-M7 với FPU chính xác gấp đôi và bộ nhớ cache L1: dữ liệu 16KB và bộ nhớ cache hướng dẫn 16KB.

Hỗ trợ truy cập duy nhất vào một dòng bộ nhớ cache từ flash nhúng 256 bit; lên đến 400MHz, MPU, 856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) và lệnh DSP

Bộ nhớ

Tối đa 2 Mbyte bộ nhớ flash với khả năng đọc và ghi đồng thời

1MB RAM: 192KB RAM TCM (bao gồm 64KB RAM ITCM + 128KB RAM DTCM để lưu trữ các chương trình hoặc dữ liệu quan trọng về thời gian), 864KB SRAM người dùng và 4KB SRAM miền sao lưu

Giao diện bộ nhớ Quad-SPI hai chế độ chạy ở tốc độ lên đến 133MHz

Bộ điều khiển bộ nhớ bên ngoài linh hoạt với bus dữ liệu lên đến 32 bit: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND Flash được đồng hồ lên đến 133MHz trong chế độ đồng bộ

Đơn vị tính toán CRC

An ninh

ROP, PC-ROP, thao túng tích cực

Các đầu vào / đầu ra sử dụng chung

Tối đa 168 cổng I/O có khả năng ngắt

I / O nhanh chạy ở tốc độ lên đến 133MHz

Tối đa 164 I/O với dung sai 5V

Khởi động lại và quản lý năng lượng

3 vùng năng lượng độc lập có thể được đồng hồ hoặc tắt độc lập để tối đa hóa hiệu quả năng lượng:

D1: Thiết bị ngoại vi hiệu suất cao cho phép băng thông rộng cao

D2: Thiết bị ngoại vi và bộ đếm thời gian truyền thông

D3: Khởi động lại/quản lý đồng hồ/quản lý năng lượng

1.62V đến 3.6V nguồn điện ứng dụng và I/O

POR, PDR, PVD và BOR

Cung cấp điện USB chuyên dụng với bộ điều chỉnh nội bộ 3.3V nhúng để cung cấp năng lượng cho các PHY nội bộ

Bộ điều chỉnh điện áp nhúng (LDO) với đầu ra có thể cấu hình và mở rộng để cung cấp điện cho các mạch kỹ thuật số

Điều chỉnh điện áp trong chế độ chạy và dừng (5 phạm vi có thể cấu hình)

Bộ điều chỉnh điện áp dự phòng (~ 0,9V)

Điện áp tham chiếu/VREF+ cho thiết bị ngoại vi tương tự

Chế độ năng lượng thấp: ngủ, dừng, chờ và hỗ trợ VBAT để sạc pin

Tiêu thụ năng lượng thấp

Tổng lượng điện tiêu thụ thấp đến 4μA

Quản lý đồng hồ

Máy dao động nội bộ: 64kHz HSI, 48MHz HSI48, 4MHz CSI, 40kHz LSI

Máy dao động bên ngoài: 4MHz - 48MHz HSE, 32.768kHz LSE

3 PLL với chế độ phân số (1 cho đồng hồ hệ thống, 2 cho đồng hồ lõi)

Liên hệ: Ông Chen

Điện thoại: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Nhà công ty:www.hkmjd.com