logo
Yêu cầu báo giá |
Nhà Tin tức

Blog về công ty SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp

Tất cả sản phẩm

Chip mạch tích hợp

(20883)

BT IC

(554)

Mô-đun IGBT trên ô tô

(2187)

vi điều khiển MCU

(14790)

GaN IC

(166)

Chip bộ xử lý AI

(1226)

Mảng cổng lập trình trường

(7002)

vi mạch Ethernet

(1059)

kết nối

(3488)

Chip IC bộ nhớ

(2534)

vi mạch cảm biến

(2469)

Chip IoT

(244)

Mô-đun 5G

(155)

chip Wi-Fi

(153)

Chip IC Iphone

(54)

Mô-đun giao tiếp không dây

(3699)

Bộ điều khiển nhiệt độ Bộ điều nhiệt

(9)

Giải pháp nhúng

(924)
Chứng nhận
Trung Quốc ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Chứng chỉ
Trung Quốc ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Chứng chỉ
Khách hàng đánh giá
Vận chuyển rất nhanh và rất hữu ích, Mới và Nguyên bản, rất khuyến khích.

—— Nishikawa từ Nhật Bản

Dịch vụ chuyên nghiệp và nhanh chóng, giá cả chấp nhận được cho hàng hóa.giao tiếp tuyệt vời, sản phẩm như mong đợi.Tôi đánh giá cao nhà cung cấp này.

—— Luis đến từ Hoa Kỳ

Chất lượng cao và hiệu suất đáng tin cậy: "Các thành phần điện tử chúng tôi nhận được từ [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] có chất lượng cao và đã cho thấy hiệu suất đáng tin cậy trong các thiết bị của chúng tôi".

—— Richardg từ Đức

Giá cả cạnh tranh: Giá cả được cung cấp bởi rất cạnh tranh, làm cho nó trở thành một lựa chọn tuyệt vời cho nhu cầu mua sắm của chúng tôi.

—— Tim đến từ Malaysia

Dịch vụ khách hàng được cung cấp bởi là tuyệt vời. Họ luôn luôn đáp ứng và hữu ích, đảm bảo nhu cầu của chúng tôi được đáp ứng kịp thời.

—— Vincent đến từ Nga

Giá cả tuyệt vời, giao hàng nhanh và dịch vụ khách hàng hàng đầu.

—— Nishikawa từ Nhật Bản

Các thành phần đáng tin cậy, vận chuyển nhanh và hỗ trợ tuyệt vời.

—— Sam đến từ Hoa Kỳ

Các bộ phận chất lượng cao và quy trình đặt hàng liền mạch.

—— Lina đến từ Đức

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ
Công ty Blog
SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp
tin tức mới nhất của công ty về SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp

SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp

 

tin tức mới nhất của công ty về SAMSUNG DRAM Memory K3KL3L30DM-BGCU 128Gb Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp 0

 

Mô tả

K3KL3L30DM-BGCU là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động năng lượng thấp 128 Gb cho các thiết bị di động và trên xe.

 

Với tốc độ nhanh hơn 1,3 lần so với thế hệ trước và hiệu quả năng lượng tốt hơn 20%.DRAM năng lượng thấp cao cấp LPDDR5X đang vượt ra ngoài điện thoại di động - dẫn đầu thị trường DRAM năng lượng thấp hơn bao giờ hết để cung cấp sức mạnh cho PC hiệu suất cao, máy chủ, và xe trong tất cả các cách mới.

 

Thông số kỹ thuật
Mật độ: 128 Gb
Tổ chức: x64
Tốc độ:8533 Mbps
Điện áp:1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Nhiệt độ:-25 ~ 85 °C
Bao gồm: 496-FBGA

Pub Thời gian : 2024-06-20 10:53:11 >> danh mục tin tức
Chi tiết liên lạc
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Người liên hệ: Mr. Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Chip mạch tích hợp

VN7008AJTR Chip mạch tích hợp trình điều khiển phía trên 96A High Side Switch PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Công nghiệp CMOS chuyển đổi tương tự

LT6700CS6-1 Chip mạch tích hợp Micropower Low Voltage Dual Comparator Với 400mV tham chiếu

vi mạch Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY máy thu

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Phẩm chất Chip mạch tích hợp nhà cung cấp. © 2022 - 2025 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.