Blog về công ty Tái chế MOSFET TI: MOSFET kênh N, MOSFET kênh P, Khối nguồn

tái chế TI MOSFET:N-Channel MOSFET,P-Channel MOSFET,Power Blocks

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.là nhà cung cấp dịch vụ tái chế linh kiện điện tử hàng đầu ở Trung Quốc, chuyên tái chế các linh kiện điện tử, bao gồm: mạch tích hợp, chip 5G, mạch tích hợp năng lượng mới,Các mạch tích hợp IoT, IC Bluetooth, IC từ xe đến mọi thứ (V2X), IC cấp ô tô, IC truyền thông, IC trí tuệ nhân tạo, IC lưu trữ, IC cảm biến, IC vi điều khiển,IC máy thu phát, Ethernet ICs, chip WiFi, mô-đun truyền thông không dây, đầu nối, và nhiều hơn nữa.chúng tôi cung cấp cho khách hàng giá tái chế cạnh tranh nhất và cam kết trở thành đối tác đáng tin cậy nhất của họ trong ngành tái chế linh kiện điện tử.

Quá trình tái chế:

1. Loại bỏ IC dư thừa của bạn / hàng tồn kho module, xác định mô hình, thương hiệu, ngày sản xuất, và số lượng.

2Gửi danh sách hàng tồn kho qua fax hoặc email cho nhóm đánh giá của chúng tôi.

3Chờ cho công ty cung cấp lời đề nghị mua hàng chuyên nghiệp. Sau khi đạt được thỏa thuận, cả hai bên sẽ đàm phán phương pháp giao dịch cụ thể để giao hàng.

4Công ty chỉ tái chế các thành phần có nguồn gốc từ các kênh chính thức, chẳng hạn như các nhà phân phối, thương nhân và nhà máy người dùng cuối, và không chấp nhận các thành phần từ các kênh không chính thức.

NexFET TM MOSFET cung cấp một loạt các mô-đun năng lượng kênh N và kênh P cũng như các giải pháp năng lượng riêng biệt.mật độ năng lượng cao hơnNhững lợi thế này cung cấp tính linh hoạt cho các thiết kế thu nhỏ và cho phép các kỹ sư thiết kế giảm thời gian ra thị trường.

MOSFET kênh N

MOSFET kênh N là một thành phần chính của dòng sản phẩm T Power Semiconductor, cung cấp những lợi thế như kháng điện thấp và tốc độ chuyển đổi nhanh.

TI MOSFET kênh N chủ yếu bao gồm các loại sau:

MOSFET kênh N điện áp thấp (<100V): chẳng hạn như CSD17313Q2, CSD18532Q5B, vv, phù hợp với quản lý năng lượng, trình điều khiển LED và các ứng dụng điện tử tiêu dùng khác.

MOSFET kênh N điện áp trung bình đến cao (100V ∼600V): bao gồm các mô hình như CSD19536Q5A và CSD19535KCS, thường được sử dụng trong các động cơ công nghiệp, chuyển mạch nguồn điện và các ứng dụng khác.

MOSFET kênh N cực cao (> 600V): chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao như sản xuất năng lượng tái tạo và trạm sạc xe điện.

Các MOSFET kênh N này sử dụng các công nghệ quy trình tiên tiến, chẳng hạn như công nghệ MOSFET điện NexFET TM của TI, có tính năng sạc cổng tối ưu (Qg) và kháng cự thấp (RDS ((on))Tăng đáng kể hiệu quả hệ thống.

MOSFET kênh P

MOSFET kênh P thường được sử dụng trong thiết kế mạch để đơn giản hóa kiến trúc quản lý năng lượng.

Các MOSFET kênh TI P bao gồm:

MOSFET kênh P tiêu chuẩn: chẳng hạn như các mô hình CSD25404Q3 và CSD25402Q3, phù hợp với chuyển tải, quản lý đường dẫn điện và các ứng dụng khác.

MOSFET kênh P cấp ô tô: các sản phẩm phù hợp với chứng nhận AEC-Q101, chẳng hạn như CSD25401Q3A, phù hợp với các hệ thống điện tử ô tô.

MOSFET kênh P tín hiệu nhỏ: Sử dụng các gói nhỏ gọn như SOT-23, chúng được thiết kế cho các thiết bị di động và các ứng dụng không gian hạn chế.

Các MOSFET kênh P của TI có điện tích cổng thấp và đặc điểm diode cơ thể được tối ưu hóa, làm giảm tổn thất chuyển mạch và tăng hiệu quả hệ thống tổng thể.

Các khối điện

Các khối điện tích hợp các MOSFET, mạch điều khiển và chức năng bảo vệ, phù hợp với các ứng dụng đòi hỏi mật độ và hiệu quả điện năng cao.

Các mô hình chính bao gồm:

LMG3410R050: Tích hợp một GaN FET 600V với mạch điều khiển, hỗ trợ chuyển đổi điện năng hiệu quả, phù hợp với nguồn cung cấp điện máy chủ, trung tâm dữ liệu và hệ thống điện công nghiệp.

LMG3522R030: Mô-đun điện 650V GaN với chức năng bảo vệ quá tải và giám sát nhiệt độ, được sử dụng rộng rãi trong các trạm sạc xe điện, biến tần mặt trời,và các ứng dụng công suất cao khác.

Các mô-đun điện dựa trên silicon truyền thống: bao gồm các bộ chuyển đổi DC-DC khác nhau, các mô-đun POL (điểm tải), v.v.

Các khối điện của TI sử dụng công nghệ đóng gói tiên tiến và thiết kế quản lý nhiệt để cải thiện đáng kể mật độ điện và độ tin cậy của hệ thống.