Blog về công ty Tái chế Transistor Công suất ST: IGBT, Bipolar Công suất, MOSFET Công suất, GaN Công suất, MOSFET SiC

tái chế ST Power Transistors:IGBTs,Power Bipolar,Power MOSFETs,PowerGaN,SiC MOSFETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.đã chuyên về lĩnh vực tái chế các thành phần điện tử trong nhiều năm và là một nhà cung cấp dịch vụ quản lý hàng tồn kho và tái chế chuyên nghiệp trong ngành.sản phẩm gốc của nhà sản xuất, cổ phiếu lỗi thời, sản phẩm ngừng sản xuất và chip không hoạt động với giá rất cạnh tranh, giúp các doanh nghiệp nhanh chóng xóa hàng tồn kho, thu hồi vốn và giảm chi phí lưu trữ và quản lý.

Những lợi ích chính của dịch vụ tái chế của chúng tôi

Mua toàn diện: Không yêu cầu số lượng mua tối thiểu; chúng tôi có thể cung cấp báo giá cho mọi thứ từ các lô mẫu nhỏ đến các khay hàng đầy đủ;

Thanh toán bằng tiền mặt hiệu quả: Đánh giá trực tuyến sơ bộ dựa trên hình ảnh; đối với các lô hàng lớn, chúng tôi có thể sắp xếp kiểm tra tại chỗ; thanh toán được thanh toán ngay lập tức sau khi xác nhận;

Thích hợp cho một loạt các nguồn: Chúng tôi chấp nhận các sản phẩm không bán, dự án ngừng sản xuất, dự trữ thanh toán và các thành phần mới, chưa sử dụng;

Việc xử lý vật liệu tiêu chuẩn: Việc xử lý vật liệu tái chế tuân thủ các quy định có liên quan;chúng tôi đã thiết lập quan hệ đối tác toàn diện với các kênh tái chế linh kiện để giúp các doanh nghiệp tận dụng tài sản không sử dụng và giải phóng không gian kho.

Quá trình giao dịch

Gửi danh sách hàng tồn kho: Sắp xếp thông tin chi tiết về thành phần (số phần, số lượng, lô, loại gói, tình trạng, bao bì) và gửi qua WeChat, email hoặc điện thoại;

Định giá chính xác: Nhóm định giá của chúng tôi sẽ nhanh chóng xác minh các thông số kỹ thuật dựa trên điều kiện thị trường và phát hành một báo giá chính thức;

Xác nhận giao dịch: Một khi cả hai bên đã đạt được thỏa thuận, một thỏa thuận tái chế được ký kết và các sắp xếp giao hàng được thực hiện (thu thập từ cơ sở của bạn hoặc bằng đường bưu điện);

Giao hàng và thanh toán: Việc thanh toán được xử lý ngay lập tức sau khi kiểm tra tại chỗ hoặc nhận hàng hóa, đảm bảo thanh toán kịp thời.

I. ST Power Bipolar Junction Transistors (BJT)

Power bipolar junction transistors (BJT) là các thiết bị điện điều khiển dòng điện cổ điển và là một trong những thiết bị điện đầu tiên được công nghiệp hóa.ST đã phát triển một loạt các sản phẩm bán dẫn kết nối song cực rất đáng tin cậy và hiệu quả về chi phí, được thiết kế chủ yếu cho các điều kiện hoạt động ở trạng thái ổn định điện áp trung bình và thấp, tần số thấp, dòng điện cao.

1Nguyên tắc hoạt động cơ bản

Power bipolar junction transistors là các thiết bị dẫn điện cực kép dựa trên đầu vào cơ sở để liên tục điều khiển dòng điện,điều khiển sự dẫn và cắt của dòng giữa máy phát và thu thậpCác thiết bị được điều khiển hoàn toàn bằng dòng điện.Chúng đòi hỏi một dòng truyền động cơ sở liên tục để duy trì trạng thái hoạt động trong khi hoạt động và không có cấu trúc điều khiển điện áp cổng.

2Các đặc điểm kỹ thuật chính

Transistor cực đoan công suất ST ′ bao gồm một phạm vi điện áp rộng, từ 15V đến 1.700V và bao gồm các sản phẩm với cả cấu hình Darlington thông thường và thu nhập cao,với dòng điện từ vài ampere đến vài trăm ampereƯu điểm cốt lõi của chúng bao gồm điện áp bão hòa thấp, tổn thất dẫn điện trạng thái ổn định thấp ở dòng điện cao, khả năng chống sốc mạnh, quy trình sản xuất trưởng thành, chi phí thấp,và độ tin cậy được chứng minh trong nhiều thập kỷ trên thị trường.

Tuy nhiên, các thiết bị này có những thiếu sót đáng kể: tốc độ chuyển đổi chậm, với tần số hoạt động thường dưới 50 kHz, khiến chúng không phù hợp với các ứng dụng chuyển đổi tần số cao;mất mát ổ đĩa cao, đòi hỏi một dòng điện cơ sở liên tục và dẫn đến mức tiêu thụ điện năng cao trong mạch truyền động; và tổn thất chuyển đổi tương đối cao,với tốc độ phản hồi động thấp hơn nhiều so với MOSFET và IGBTDo đó, chúng dần dần được thay thế bởi các thiết bị điện mới hơn và hiện chỉ được duy trì trong các ứng dụng truyền thống, nơi chúng vẫn rất cần thiết.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Chúng chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng điều khiển công nghiệp truyền thống được đặc trưng bởi tần số thấp, tốc độ thấp và dòng điện tĩnh cao, bao gồm các động cơ truyền động tần số thấp,nguồn điện chuyển mạch tần số đường dây, trình điều khiển rơle, mạch điều chỉnh điện áp công nghiệp, thiết bị biến tần quy mô nhỏ và mạch tăng cường công suất âm thanh.Chúng chủ yếu được sử dụng trong thiết bị tiêu dùng và công nghiệp cấp thấp, nơi chuyển tần không phải là một yêu cầu và kiểm soát chi phí là ưu tiên.

II. ST Power MOSFET (dựa trên silicon)

Các MOSFET điện dựa trên silicon là ST được sử dụng rộng rãi nhất và đa dạng các thiết bị điện áp trung bình và thấp.Là các thiết bị đơn cực được điều khiển điện áp chỉ dựa vào các chất chứa đa số để dẫn, chúng đã hoàn toàn vượt qua những hạn chế tần số cao của các transistor lưỡng cực và là các thiết bị chủ đạo cho các hệ thống điện tử công suất tần số cao công suất nhỏ và trung bình.ST cung cấp một loạt các sản phẩm MOSFET năng lượng, bao gồm các loại điện áp thấp, trung bình và cao và siêu kết nối, bao gồm cả các ứng dụng công nghiệp phổ biến và cao cấp.

1Các nguyên tắc hoạt động cơ bản

Power MOSFET là các thiết bị được điều khiển hoàn toàn, điều khiển điện áp điều chỉnh dẫn truyền kênh và tắt thông qua điện áp ngưỡng giữa cổng và nguồn.Tính dẫn chỉ dựa vào electron như là người duy nhất mang điện tích, không có quá trình tái kết hợp chất mang thiểu số, dẫn đến thời gian phản ứng chuyển đổi cực kỳ nhanh.Các thiết bị có trở ngại đầu vào cực kỳ cao và hầu như không yêu cầu dòng điện trong khi vận hành trạng thái ổn định, dẫn đến các mạch truyền động rất đơn giản và tiêu thụ năng lượng tối thiểu.

2Các đặc điểm kỹ thuật chính

MOSFET năng lượng dựa trên silic ST ′ bao gồm một phạm vi điện áp từ 20V đến 900V, một phạm vi dòng từ milliampere đến vài trăm ampere và tần số hoạt động từ 100 kHz đến vài MHz,làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng chuyển đổi tần số caoƯu điểm cốt lõi của chúng bao gồm tốc độ chuyển đổi nhanh, tổn thất chuyển đổi cực kỳ thấp, yêu cầu điều khiển đơn giản, ổn định nhiệt tốt, miễn dịch mạnh đối với nhiễu,và không có nguy cơ phân hủy thứ cấp.

Các công nghệ độc quyền của ST® bao gồm các dòng SuperJunction CoolMOS và SupremMOS, làm giảm đáng kể kháng cự on (Rds ((on)) thông qua kiến trúc chip tối ưu hóa,do đó đạt được tổn thất dẫn điện thấp hơn và mật độ điện năng cao hơnMột hạn chế nằm ở nhược điểm đáng chú ý trong sự sụt giảm điện áp phía trước trong điều kiện điện áp cao; trong điện áp cao, các ứng dụng công suất cao trên 600 V,mất dẫn cao hơn so với các thiết bị IGBT.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất tần số cao công suất nhỏ và trung bình, đây là các thành phần cốt lõi trong thiết bị điện tử tiêu dùng và viễn thông.Các ứng dụng điển hình bao gồm bộ điều hợp điện thoại di động, nguồn cung cấp điện chuyển đổi máy tính, nguồn cung cấp điện cho máy chủ và viễn thông, bộ chuyển đổi DC-DC, ổ đĩa động cơ điện áp thấp, hệ thống điều khiển nhà thông minh và hệ thống cung cấp điện áp điện áp thấp cho ô tô.

III. ST IGBT (Transistor Bipolar Isolated-Gate)

IGBT là một thiết bị năng lượng tổng hợp kết hợp các lợi thế của MOSFET và các bóng bán cực, cân bằng hoàn hảo các yêu cầu của điện áp cao,Hoạt động với dòng điện cao và tần số trung bình đến caoNó phục vụ như là thành phần cốt lõi trong hệ thống điện tử công nghiệp công suất công suất trung bình và cao.công nghiệp, giao thông ô tô và đường sắt và phù hợp với một loạt các điều kiện điện và tần số.

1Các nguyên tắc hoạt động cơ bản

IGBT tích hợp cấu trúc ổ cổng điện áp của MOSFET với cấu trúc dẫn điện dòng cao của một bóng bán cực.Mặt đầu vào sử dụng cấu trúc MOSFET để cho phép vận hành điện áp và tiêu thụ năng lượng ổ đĩa thấp; mặt đầu ra sử dụng một cấu trúc dẫn điện hai cực, làm giảm giảm điện áp dẫn điện cao qua tiêm chất chứa thiểu số.Do đó, nó kết hợp các đặc điểm tần số cao của các thiết bị đơn cực với lợi thế mất dẫn thấp của các thiết bị lưỡng cực.

2Các đặc điểm kỹ thuật chính

ST IGBT bao gồm một phạm vi điện áp từ 600 V đến 6,5 kV và dòng điện lên đến vài ngàn amper, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng cực cao.Tần số hoạt động của chúng thường dao động từ vài kHz đến 50 kHz, làm cho chúng phù hợp với các kịch bản chuyển đổi tần số trung bình đến cao, công suất cao.mật độ dòng điện cao, khả năng chịu áp suất cao, yêu cầu điều khiển đơn giản và ổn định tuyệt vời.

Các hạn chế của thiết bị bao gồm dòng điện sau trong quá trình tắt, tốc độ chuyển đổi thấp hơn so với các thiết bị MOSFET năng lượng và thiết bị băng tần rộng,và sự gia tăng đáng kể trong tổn thất chuyển đổi trong điều kiện tần số cao, khiến nó không phù hợp với các ứng dụng tần số cao ở mức MHz. ST đã tung ra các loạt chuyên dụng phù hợp với các kịch bản khác nhau, chẳng hạn như IGBT tốc độ cao,IGBT mất mát thấp và IGBT cấp ô tô, cân bằng các đặc điểm mất mát và tần số.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Tập trung vào các ứng dụng điện tử công suất công suất trung bình và cao, bao gồm các động cơ truyền động tần số biến đổi công nghiệp, hệ thống UPS (cổng điện không bị gián đoạn),Máy hàn công nghiệp, thiết bị sưởi ấm cảm ứng, biến tần năng lượng mặt trời và gió, hệ thống điều khiển xe điện, máy chuyển đổi lực kéo giao thông đường sắt và bộ ổn định điện áp công nghiệp điện áp cao.

IV. ST Thiết bị GaN (Gallium Nitride) công suất

Thiết bị GaN (gallium nitride) là các thiết bị bán dẫn băng tần rộng thế hệ thứ ba. ST chủ yếu thúc đẩy các thiết bị điện GaN dựa trên silicon, phù hợp với tần số cao,Ứng dụng chuyển đổi điện năng hiệu quả cao và thu nhỏCác thiết bị này đã phá vỡ các giới hạn tần số và hiệu quả của các thiết bị dựa trên silicon và là các thành phần cốt lõi để nâng cấp các nguồn cung cấp điện cao cấp tần số cao, trung bình đến năng lượng thấp.

1Các nguyên tắc hoạt động cơ bản

Các thiết bị điện GaN ST ′s là các thiết bị điều khiển điện áp chế độ tăng cường.chúng không yêu cầu cấu trúc dẫn dẫn PN kết nối được tìm thấy trong các thiết bị dựa trên siliconThay vào đó, chúng dựa vào một khí electron hai chiều (2DEG) để đạt được sự dẫn độ tốc độ cao.cho phép chuyển đổi thời gian phản hồi trong phạm vi nanosecond.

2Các đặc điểm kỹ thuật chính

Các thiết bị GaN ST ′s chủ yếu có sẵn trong các điện áp 100 V và 650 V, cung cấp những lợi thế cốt lõi nổi bật: tốc độ chuyển mạch vượt xa so với các MOSFET dựa trên silicon,với tần số hoạt động đạt đến hàng chục MHz, dẫn đến giảm đáng kể tổn thất chuyển đổi; kháng cự bật cực kỳ thấp, tạo ra tổn thất trạng thái trên cao hơn so với các thiết bị dựa trên silicon của cùng một thông số kỹ thuật;các thiết bị có kích thước nhỏ hơn và cung cấp mật độ điện năng cao hơn đáng kể, cho phép thu nhỏ và giảm trọng lượng của thiết bị cung cấp điện.

So với các thiết bị dựa trên silicon, các thiết bị GaN cung cấp khả năng chống nhiệt độ cao và phá vỡ điện áp cao hơn, với tổn thất phục hồi ngược gần bằng không,do đó giải quyết hoàn toàn vấn đề mất mát ngược trong điều kiện hoạt động tần số caoNhững nhược điểm của chúng bao gồm chi phí cao hơn so với các thiết bị dựa trên silicon, yêu cầu nghiêm ngặt hơn về độ chính xác mạch ổ đĩa và những hạn chế đòi hỏi nhiều hơn về bố trí PCB và thiết kế quy trình.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Các thiết bị này chủ yếu được nhắm mục tiêu cho các ứng dụng chuyển đổi điện năng cao tần số, hiệu quả cao và thu nhỏ cao cấp, bao gồm các nguồn điện sạc nhanh cao cấp,nguồn điện máy chủ tần số cao, nguồn cung cấp điện cho trạm cơ sở viễn thông, bộ sạc trên xe (OBCs) cho xe, bộ chuyển đổi DC-DC tần số cao, nguồn cung cấp năng lượng mới nhẹ,và thiết bị điện quy mô nhỏ cho ngành hàng không vũ trụ.

V. ST SiC MOSFET (Silicon Carbide)

Các MOSFET SiC (silicon carbide) hiện là các thiết bị băng tần rộng hàng đầu trong lĩnh vực điện áp cao, công suất cao.ST đã phát triển một loạt các MOSFET SiC thương mại bao gồm tất cả các chỉ số điện áp trung bình và caoNhờ khả năng chịu áp suất cực cao, tổn thất cực thấp và khả năng chống nhiệt độ cao,họ đang dần thay thế IGBT dựa trên silicon truyền thống để trở thành các thành phần cốt lõi trong cao cấp, thiết bị công suất cao cho các ứng dụng năng lượng mới.

1Nguyên tắc hoạt động cơ bản

ST SiC MOSFET được chế tạo từ vật liệu silicon carbide đơn tinh thể 4H-SiC và là các thiết bị điều khiển điện áp đơn cực.Chúng chỉ dựa vào các chất mang điện tử để dẫn và không có hiệu ứng đuôi chất mang thiểu số, do đó hoàn toàn giải quyết nút thắt lỗ chuyển đổi liên quan đến IGBT dựa trên silicon.sức mạnh trường phân hủy và tính dẫn nhiệt vượt xa so với silicon, cung cấp tính thích hợp đặc biệt cho các ứng dụng điện áp cao, tần số cao.

2Các đặc điểm kỹ thuật chính

Các MOSFET SiC thương mại của ST® bao gồm một phạm vi điện áp từ 650 V đến 3.300 V, với các thiết bị nguyên mẫu đạt đến 6.500 V, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng điện áp cực cao, công suất cao.Các đặc điểm cốt lõi của chúng bao gồm cường độ trường phá vỡ cao, chống nhiệt độ cao và dẫn nhiệt tuyệt vời, cho phép hoạt động ổn định trong điều kiện nhiệt độ cao và khắc nghiệt; chúng có tốc độ chuyển đổi cực kỳ nhanh,với lỗ chuyển đổi ít hơn một phần ba so với IGBT dựa trên silicon; chúng cho thấy sự mất dẫn cực kỳ thấp trong điều kiện điện áp cao, dòng điện cao, với hiệu quả năng lượng tổng thể vượt xa so với các thiết bị dựa trên silicon.

So với các thiết bị GaN, các thiết bị SiC cung cấp điện áp cao hơn, khả năng kháng nhiệt độ cao hơn và công suất điện năng cao hơn, làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao, công suất cao;nhược điểm của họ bao gồm chi phí thiết bị cao nhất, các yêu cầu nghiêm ngặt đối với các quy trình đóng gói và điều khiển, và một rào cản tương đối cao đối với thiết kế hệ thống.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Tập trung vào các ứng dụng cao cấp, điện áp cao, công suất cao, hiệu quả cao và độ tin cậy cao, đây là các thành phần cốt lõi trong ngành công nghiệp năng lượng mới.Ứng dụng bao gồm biến tần động cơ chính cho xe năng lượng mới, các bộ chuyển đổi DC-DC điện áp cao trên tàu, trạm sạc siêu, biến tần điện quang điện và gió quy mô lớn, hệ thống PCS lưu trữ năng lượng, thiết bị tần số biến động công nghiệp điện áp cao,Hệ thống kéo đường sắt, và các thiết bị quân sự cao cấp.