Blog về công ty Phân chế chuyển đổi quản lý năng lượng ROHM: Chuyển đổi phía trên, Chuyển đổi tải, Bộ điều khiển NMOSFET

Phân chế chuyển đổi quản lý năng lượng ROHM: Chuyển đổi phía trên, Chuyển đổi tải, Bộ điều khiển NMOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.đã tham gia sâu sắc vào ngành công nghiệp tái chế chip điện tử trong nhiều năm. chúng tôi đã luôn tuân thủ triết lý dịch vụ của sự trung thực trong kinh doanh, tái chế có giá trị cao,thanh toán nhanh chóng và bảo mật hoàn toàn, cung cấp các dịch vụ tái chế và xử lý chip toàn diện, có giá trị cao, minh bạch và hiệu quả cho khách hàng bao gồm các nhà máy, doanh nghiệp, thương nhân và phòng nghiên cứu và phát triển,giúp các doanh nghiệp sử dụng tài sản không sử dụng, thanh toán hàng tồn kho và giảm tổn thất lưu trữ.

Những lợi ích chính của dịch vụ tái chế của chúng tôi

- Phân loại chuyên môn, báo giá chính xác: Chuyên gia trong việc tái chế chip thành phần điện tử, chúng tôi có kinh nghiệm công nghiệp rộng lớn và hiểu rõ về điều kiện thị trường,Tiêu chuẩn điều kiện và sự khác biệt giá trị giữa các mô hình khác nhauĐịnh giá của chúng tôi là chính xác và minh bạch, không có giảm giá ẩn.

- Phạm vi toàn diện của các mặt hàng tái chế: Chúng tôi chấp nhận chip trong tất cả các điều kiện, bao gồm cả các đơn vị mới, nguyên bản, đóng gói; đồ chết trần; mẫu kỹ thuật;Các thành phần chức năng từ các thiết bị bị tháo rờiKhông có yêu cầu số lượng tối thiểu; chúng tôi chấp nhận đơn vị đơn lẻ, đơn đặt hàng hàng loạt và toàn bộ kho hàng.

- Thanh toán hiệu quả, thuận tiện và nhanh chóng: Chúng tôi hỗ trợ cả kiểm tra hình ảnh và vật lý của hàng hóa, với xác nhận báo giá nhanh chóng.chúng tôi cung cấp kiểm tra tại chỗ và thu thậpChúng tôi theo dõi chặt chẽ toàn bộ quá trình và thanh toán ngay lập tức thông qua chuyển khoản ngân hàng sau khi xác nhận, mà không bị trì hoãn.

- Có uy tín và đáng tin cậy, với an ninh và bảo mật được đảm bảo: Chúng tôi có tất cả các trình độ cần thiết của công ty và hoạt động như một doanh nghiệp hợp pháp, thực tế.Chúng tôi tuân thủ nghiêm ngặt các quy định tái chế linh kiện điện tử, duy trì tính bảo mật hoàn toàn liên quan đến hàng tồn kho khách hàng và chi tiết quan hệ đối tác trong suốt quá trình để loại bỏ rủi ro rò rỉ vật liệu và bảo vệ lợi ích của khách hàng.

- Một cửa hàng kiểm soát hàng tồn kho: Chúng tôi thực hiện các dịch vụ như kiểm soát toàn bộ kho của các thành phần điện tử cho các doanh nghiệp, xử lý các dự án,và phục hồi động vật chết, tiết kiệm thời gian và công sức của bạn.

Quá trình hợp tác

1. Yêu cầu và trích dẫn: Khách hàng cung cấp chi tiết như chip mô hình, số lượng, tình trạng và số lô, và chúng tôi nhanh chóng cung cấp một trích dẫn chính xác;

2Xác nhận hợp tác: Cả hai bên xác nhận giá cả và phương pháp giao dịch, đạt được thỏa thuận;

3. Kiểm tra và thu thập: Kiểm tra tại chỗ và thu thập trong cùng một thành phố; cho các địa điểm ngoài thành phố, kiểm tra qua thư mục;

4Thanh toán nhanh chóng: Sau khi kiểm tra thành công, thanh toán đầy đủ được giải quyết ngay lập tức và giao dịch được hoàn thành.

I. Tổng quan về danh mục sản phẩm chuyển đổi quản lý điện của ROHM

Tận dụng các quy trình bán dẫn điện độc quyền của mình, ROHM đã thành lập ba dòng sản phẩm chuyển mạch điện chính: chuyển mạch thông minh bên cao tích hợp, chuyển mạch tải chip duy nhất,và bộ điều khiển ổ bên cao với NMOSFET bên ngoàiNhững điều này bao gồm các yêu cầu phân phối điện cho tất cả các kịch bản, bao gồm cả điện tử tiêu dùng, thiết bị di động, điều khiển công nghiệp, điện tử ô tô và thiết bị đầu cuối AI.Cốt lõi của các sản phẩm này là sự tích hợp thống nhất của nhiều tính năng bảo vệ phần cứng, bao gồm bảo vệ khóa khởi động mềm, quá dòng, nhiệt độ cao và áp suất thấp.Chuyển đổi thông minh đơn chip với MOSFET tích hợp (IPD phía cao), các công tắc tải di động); và thứ hai, bộ điều khiển độc lập điều khiển các NMOSFET bên ngoài, phù hợp với các giải pháp phân phối điện cao dòng, điện áp cao và nhiều kênh,cân bằng thu nhỏ với thiết kế năng lượng cao linh hoạt.

II. RoHM High-Side Switches (Smart IPD Series)

1Định nghĩa và kiến trúc cốt lõi

Các công tắc phía trên đặt MOSFET điện giữa đầu vào nguồn điện và tải, điều khiển trực tiếp đầu cuối tích cực của nguồn tải.chúng cung cấp những lợi thế như phát hiện tải mở, bảo vệ ngược dòng ngược và bảo vệ kẹp cho tải inductive.Chuyển đổi mặt cao tích hợp kênh N cấp tiêu dùng và thiết bị mặt cao thông minh IPD cấp ô tô BV1HB/BV2HBTất cả đều kết hợp một bộ bán dẫn điện NMOS bên trong, loại bỏ sự cần thiết cho các mạch điều khiển bên ngoài.

2. Chuyển đổi mặt cao tích hợp cấp tiêu dùng (Dòng BD)

Mô hình đại diện: BD82029FVJ, BD2262G-M, BD2206G-LB

Phạm vi điện áp: 2.7V ∼5.5V cho các ứng dụng di động điện áp thấp, phù hợp với cổng điện USB, thẻ nhớ và nguồn điện phụ máy ảnh

Các tính năng chính: NMOSFET điện trở thấp tích hợp (Rds ((on) 120~150 mΩ), với khởi động mềm tích hợp để ức chế dòng điện đột nhập; khóa điện áp thấp (UVLO),Khóa nhiệt (TSD) và bảo vệ quá điện theo chu kỳ (OCP); xả đầu ra và chặn dòng ngược khi tắt; báo hiệu lỗi thoát nước mở, có thể kết nối trực tiếp với mức logic MCU 3.3 V/5 V

Ứng dụng điển hình: nguồn cung cấp điện cho cổng USB máy tính xách tay, khe cắm thẻ nhớ máy tính bảng, nguồn cung cấp điện cho các thiết bị ngoại vi cầm tay và các mô-đun I / O điều khiển công nghiệp nhỏ

3. IPD thông minh cao cấp ô tô (Dòng BV1HB / BV2HB)

Mô hình đại diện: BV1HBxxxEFJ-C (một kênh), BV2HB020EUV-C (hai kênh)

Đánh giá điện áp: phạm vi điện áp rộng 834V, tương thích với hệ thống pin ô tô 12V; Rds ((on) thấp đến 9mΩ; phạm vi dòng điện liên tục từ 0,8A đến 18A

Tăng cường cấp ô tô: được chứng nhận AEC-Q100, hỗ trợ phân tích an toàn chức năng (FS); mạch kẹp hoạt động tiêu hao năng lượng tắt từ tải inductive;cảm biến dòng điện trên chip chính xác cao để theo dõi dòng tải trong thời gian thựcCác mô hình hai kênh hỗ trợ kiểm soát độc lập của nhiều tải cơ thể như đèn pha, cửa sổ và khóa cửa

Ứng dụng công nghiệp: Các mô hình 34V phù hợp để phân phối điện cho van điện và rơle trong thiết bị công nghiệp 24V

4Ưu điểm chính của việc chuyển sang phía cao

An toàn cao: Trọng lượng được ngắt kết nối ở phía nguồn cung cấp điện; không còn điện áp cao còn lại trên tải trong trường hợp mạch ngắn hoặc rò rỉ;

Khả năng chẩn đoán: xác định chính xác lỗi mạch mở và mạch ngắn tải thông qua chân cảm biến hiện tại;

Khả năng tương thích tải inductive: Cắm tích cực tích hợp ngăn chặn các thiết bị bị hư hỏng bằng cách chuyển đổi các mũi nhọn khi rơle hoặc động cơ bị tắt năng lượng;

Các thiết bị ngoại vi tối thiểu: Sự tích hợp chip duy nhất của trình điều khiển, MOSFET và một bộ đầy đủ các tính năng bảo vệ làm giảm dấu chân PCB đến 60 phần trăm.

III. RoHM Load Switches

Load switch là chip phân phối năng lượng mặt cao nhẹ, có tiêu thụ năng lượng chờ cực thấp và bao bì siêu nhỏ.chúng được phân loại thành hai loại chính: N-channel tích hợp các công tắc tải bên cao và P-channel mô hình cực thấp điện áp.

1. N-channel Integrated Load Switches (BD/BUS Single-Channel Series)

Mô hình di động điện áp thấp (BD2206G-LB)

Đầu vào 2.7 ∼ 3.6 V, đầu ra liên tục 0,5 A, gói SSOP5 nhỏ gọn, với đảm bảo cung cấp lâu dài cho các ứng dụng công nghiệp; phù hợp với thẻ SD và nguồn điện phụ cảm biến,có thời gian khởi động mềm điều chỉnh và khởi động lại tự động sau quá nóng.

Bộ UCSP siêu vi (BUS1DJC0GWZ)

0.8 × 0,8 mm gói chip siêu mỏng, với dòng điện tĩnh chỉ 0,35 μA; có một điện trở xả tích hợp và bảo vệ mạch ngắn,và hỗ trợ điện áp đầu vào cực thấp 1.2 V; được sử dụng để cung cấp năng lượng cho các mô-đun vi mô trong đồng hồ thông minh, tai nghe TWS và thiết bị đeo, với khởi động mềm nhanh ở mức millisecond để ngăn chặn sự gia tăng của tụ điện.

Chuyển đổi tải công nghiệp điện áp cao BV1HAL Series

Phạm vi điện áp đầu vào rộng 8 ∼ 32 V với ngưỡng điện dư thừa có thể điều chỉnh bên ngoài; một con chip duy nhất cho phép chuyển đổi các thiết bị ngoại vi công nghiệp 24 V, với các dấu hiệu lỗi được báo cáo cho bộ điều khiển chủ,thay thế các MOSFET riêng biệt và các mạch bảo vệ khuếch đại hoạt động.

2- So sánh các loại kênh P và các tiêu chí lựa chọn

ROHM cũng đã tung ra các công tắc tải kênh P, mang lại lợi thế của logic ổ đơn giản; tuy nhiên,khả năng xử lý điện và điện hiện tại của chúng kém hơn các giải pháp tích hợp kênh N. Đối với các ứng dụng dòng điện cao, mất mát thấp, các công tắc tải tích hợp kênh N, tức là các công tắc tải kiến trúc NMOS, là sự lựa chọn ưa thích,khi họ đạt được sự cân bằng giữa tổn thất trong trạng thái và dễ kiểm soát.

3. Các chức năng cốt lõi chung của các công tắc tải

Điện rò rỉ cực thấp: Điện rò rỉ ở mức nA trong trạng thái tắt, kéo dài tuổi thọ pin;

Khởi động mềm có thể lập trình: ức chế dòng điện vào trong tải trọng công suất cao, bảo vệ bộ chuyển đổi DC-DC phía trên;

mạch xả tích hợp: nhanh chóng xả điện áp tải dư thừa khi tắt điện để ngăn ngừa kích hoạt ngẫu nhiên các thiết bị ngoại vi;

Chuỗi bảo vệ toàn diện: Bảo vệ OCP tích hợp (bảo vệ quá điện), TSD (tắt nhiệt), UVLO (khai khóa dưới điện áp) và ESD (giảm điện tĩnh).

IV. Máy điều khiển mặt cao ROHM NMOSFET (Giải pháp điều khiển MOSFET bên ngoài)

1Định vị sản phẩm

Không giống như các công tắc tích hợp với MOSFET tích hợp, bộ điều khiển phía trên NMOSFET không chứa MOSFET điện.Nó được thiết kế đặc biệt để điều khiển một bên ngoài N-channel điện MOSFET để thiết lập một đường dẫn điện bên cao, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng điện dòng cao (20A trở lên), điện áp cao, song song nhiều kênh và công nghiệp / ô tô công suất cao,do đó giải quyết giới hạn công suất hiện tại vốn có trong các giải pháp MOSFET tích hợp một con chip.

2Nguyên tắc kỹ thuật: Máy đẩy phía trên của máy bơm sạc

Khi một MOSFET kênh N được sử dụng làm công tắc phía cao, điện áp cổng phải vượt quá điện áp nguồn đầu vào để dẫn đầy đủ.loại bỏ sự cần thiết của một nguồn cung cấp điện bị cô lập bổ sung và trực tiếp tăng điện áp ổ cổng để điều khiển đáng tin cậy MOSFET kênh N bên ngoài; nó cũng tích hợp một bộ giám sát toàn diện và các mạch bảo vệ để liên tục theo dõi tình trạng hiện tại và nhiệt độ của MOSFET bên ngoài.

3Các sản phẩm đại diện và các đặc điểm chính

IC trình điều khiển phía trên NMOS công nghiệp chung

Hỗ trợ một phạm vi đầu vào rộng 5 ∼ 40 V; bơm sạc cung cấp một điện áp truyền động ổn định 10 V hoặc cao hơn, làm cho nó phù hợp với các thiết bị NMOS điện áp cao, công suất cao;

tích hợp lấy mẫu và khuếch đại dòng điện chính xác cao, với cài đặt kháng cự bên ngoài linh hoạt cho ngưỡng quá dòng;

Tắt nhiệt, khóa dưới điện áp, giới hạn dòng mạch ngắn với điều khiển theo chu kỳ và khóa lỗi tùy chọn / khôi phục tự động.

Máy điều khiển NMOS đồng hành DrMOS cấp ô tô (BD96340MFF-C)

Được thiết kế đặc biệt cho nguồn cung cấp điện dòng điện cao cho các SoC ô tô; điều khiển các công tắc NMOS bên ngoài với dòng điện liên tục tối đa 20 A và dòng điện đỉnh 30 A;

AEC-Q100 cấp ô tô, hỗ trợ phân phối năng lượng đa cấp cho ADAS và bộ điều khiển miền máy ảnh trên xe;

Bảo vệ kép thông qua điều chỉnh đồng bộ và bảo vệ đường cao, tương thích với việc mở rộng nguồn điện đa đường ray cho cả điện áp cao và thấp.

Máy điều khiển mảng NMOS đa kênh

Máy điều khiển đa kênh có thể lập trình SPI, điều khiển độc lập nhiều công tắc NMOS bên ngoài cao;

Khám phá lỗi độc lập cho mỗi kênh; một mạch ngắn trong một kênh không ảnh hưởng đến các đường ray điện còn lại,làm cho nó phù hợp với nguồn cung cấp năng lượng cấp bậc trong robot công nghiệp và bảng máy tính AI.

4. Các kịch bản ứng dụng cho các bộ điều khiển NMOSFET

Thiết bị công suất cao: máy chủ công nghiệp, nguồn cung cấp điện cho robot hình người, các đơn vị phân phối điện trên xe công suất cao;

Các hệ thống mở rộng nhiều kênh: máy tính máy chủ một bảng, nguồn điện đa đường ray cho thẻ tăng tốc AI;

Các giải pháp cao áp tùy chỉnh: nguồn điện lưu trữ năng lượng 24V/36V cho thiết bị công nghiệp, mạch chính để sạc và xả pin lithium-ion;

Các dự án khối lượng tối ưu hóa chi phí: các thiết bị NMOS bên ngoài chi phí thấp có thể được lựa chọn tự do theo yêu cầu hiện tại, cho phép điều chỉnh linh hoạt các thông số kỹ thuật năng lượng.

IV. Ứng dụng công nghiệp

Điện tử tiêu dùng: Các nguồn điện phụ cho điện thoại di động và máy tính bảng, TWS, thiết bị đeo thông minh, bến tàu USB; sử dụng các công tắc tải N-channel;

Điện tử ô tô: Phân phối năng lượng cho đèn, cửa sổ, khóa cửa và bộ điều khiển miền của xe; IPD cao cấp của series BV;

Tự động hóa công nghiệp: van điện lực 24V, bộ cảm biến, nguồn cung cấp điện cho robot nhân vật; kết hợp các công tắc cao áp cao và bộ điều khiển NMOS bên ngoài;

Thiết bị máy tính AI: nguồn điện đa đường ray, cấp độ cho máy chủ và bảng xử lý hình ảnh; bộ điều khiển NMOSFET đa kênh;

Thiết bị lưu trữ năng lượng Lithium-Ion: đường dẫn năng lượng cao cho các mạch chính sạc / xả; các giải pháp ổ bên ngoài NMOS.