Blog về công ty Tái chế Sản phẩm GaN Qorvo: Bóng bán dẫn RF GaN, Công tắc GaN, Bộ khuếch đại công suất GaN, Mô-đun đầu cuối GaN

Sản phẩm GaN Qorvo Tái chế: Bóng bán dẫn RF GaN, Công tắc GaN, Bộ khuếch đại công suất GaN, Mô-đun đầu cuối GaN

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.là nhà cung cấp dịch vụ tái chế linh kiện điện tử hàng đầu của Trung Quốc, chuyên về các dịch vụ tái chế chuyên nghiệp cho nhiều loại linh kiện điện tử khác nhau, cung cấp cho khách hàng các giải pháp quản lý hàng tồn kho hiệu quả, an toàn và tuân thủ.

Danh mục sản phẩm tái chế:chip mạch tích hợp, chip 5G, IC năng lượng mới, IC IoT, IC Bluetooth, IC xe-với-mọi-thứ (V2X), IC cấp ô tô, IC truyền thông, trí tuệ nhân tạo (AI) IC, v.v. Ngoài ra, chúng tôi cung cấp IC bộ nhớ, IC cảm biến, IC vi điều khiển, IC thu phát, IC Ethernet, chip Wi-Fi, mô-đun truyền thông không dây, đầu nối và các linh kiện điện tử khác.

Chi tiết tái chế:

1. Tái chế vật liệu điện tử, vật liệu nhàn rỗi, hàng tồn kho nhà máy, hàng tồn kho điện tử, hàng tồn kho cá nhân, v.v.

2. Tiềm lực tài chính mạnh mẽ và nguồn vốn dồi dào, với kinh nghiệm tái chế phong phú, cho phép tái chế nhanh chóng tại chỗ.

3. Cung cấp các giải pháp quản lý hàng tồn kho đa dạng để khách hàng lựa chọn. Chúng tôi có thể mua hàng tồn kho số lượng lớn trong một lần hoặc cung cấp bán hàng ký gửi.

4. Trung thực, đáng tin cậy và đáng tin cậy, với các dịch vụ chuyên nghiệp và tiện lợi cùng với giá tái chế hợp lý.

Bóng bán dẫn RF Gallium Nitride

Bóng bán dẫn RF gallium nitride của Qorvo sử dụng công nghệ GaN-on-SiC trên đế silicon carbide tiên tiến, kết hợp độ di động điện tử cao của vật liệu GaN với độ dẫn nhiệt tuyệt vời của đế SiC, mang lại hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng tần số cao, công suất cao. Các thiết bị này thường hoạt động trong dải tần từ băng L đến băng Ka (1-40 GHz), với công suất đầu ra đạt hàng trăm watt và hiệu suất công suất cộng thêm (PAE) vượt quá 60%, vượt trội hơn đáng kể so với các thiết bị LDMOS dựa trên silicon truyền thống.

Bóng bán dẫn RF GaN của Qorvo bao gồm:

Công tắc GaN công suất cao: được sử dụng trong các hệ thống radar mảng pha và thiết bị chiến tranh điện tử, có tốc độ chuyển mạch ở cấp độ nanosecond và khả năng xử lý công suất cực cao. Ví dụ, công tắc GaN dòng QPD1000 của Qorvo sử dụng công nghệ đóng gói không hàn sáng tạo, có khả năng xử lý công suất đỉnh trên 100W trong băng X, với tổn thất chèn dưới 0,5dB và độ cách ly vượt quá 35dB.

Bóng bán dẫn công suất RF: Được thiết kế cho các trạm gốc 5G Massive MIMO và trạm mặt đất liên lạc vệ tinh, mang lại độ tuyến tính cao và độ ổn định nhiệt đặc biệt. Một ví dụ điển hình là bóng bán dẫn công suất GaN QPA2211 của Qorvo, cung cấp công suất đầu ra sóng liên tục 20W ở 2,6GHz, với độ lợi công suất 16dB, khiến nó phù hợp với các ứng dụng mảng quy mô lớn.

Bộ khuếch đại công suất Gallium Nitride

Bộ khuếch đại công suất gallium nitride là một danh mục sản phẩm cốt lõi trong dòng sản phẩm RF của Qorvo, được sử dụng rộng rãi trong các trạm gốc 5G, đường truyền vi ba, radar và hệ thống đối phó điện tử. So với các giải pháp truyền thống, PA GaN cung cấp băng thông rộng hơn, hiệu quả cao hơn và kích thước nhỏ gọn hơn, giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng và chi phí vận hành của hệ thống.

Các loại bộ khuếch đại công suất GaN của Qorvo bao gồm:

Bộ khuếch đại công suất băng rộng: Bao gồm nhiều quãng tám, phù hợp với chiến tranh điện tử và các hệ thống radar đa chức năng. Ví dụ, GaN PA QPA1022 của Qorvo cung cấp công suất đầu ra bão hòa 10W trong dải 2-18GHz, với hiệu suất công suất cộng thêm vượt quá 30% và sử dụng gói gắn trên bề mặt 7x7mm để dễ dàng tích hợp hệ thống.

PA độ tuyến tính cao: Được tối ưu hóa cho các tiêu chuẩn 5G NR, đáp ứng các yêu cầu ACPR và EVM nghiêm ngặt. GaN PA QPA4501 của Qorvo được thiết kế đặc biệt cho băng tần 3,5 GHz, cung cấp công suất đỉnh 50W ở băng thông tức thời 100 MHz với độ lớn véc tơ lỗi (EVM) dưới 1,5%, khiến nó trở nên lý tưởng cho các mảng ăng-ten MIMO quy mô lớn.

Mô-đun đầu cuối sóng milimet: Tích hợp GaN PA, bộ khuếch đại tiếng ồn thấp (LNA) và công tắc, tần số hoạt động mở rộng đến băng Q (30-50GHz). Ví dụ, mô-đun đầu cuối QPF7250 của Qorvo cho các thiết bị đầu cuối 5G FWA (Truy cập không dây cố định) bao gồm GaN PA hiệu suất cao và LNA băng rộng, hỗ trợ băng tần 24-30GHz với công suất đầu ra lên đến 27dBm và hệ số tiếng ồn dưới 3dB.

Mô-đun đầu cuối GaN

Mô-đun đầu cuối GaN đại diện cho một bước đột phá công nghệ trong tích hợp cấp hệ thống của Qorvo, tích hợp các bộ khuếch đại công suất GaN, bộ khuếch đại tiếng ồn thấp, công tắc, bộ lọc và mạch điều khiển vào một gói duy nhất, đơn giản hóa đáng kể thiết kế hệ thống RF. Các giải pháp tích hợp cao như vậy đang đẩy nhanh việc áp dụng trong điện thoại thông minh 5G, tế bào nhỏ và thiết bị IoT.

Mô-đun đầu cuối GaN của Qorvo bao gồm:

FEM sóng milimet 5G: Hỗ trợ các băng tần sóng milimet 5G như n257/n258/n260, thường sử dụng công nghệ AiP (Antenna in Package) để có thiết kế nhỏ gọn. Ví dụ, mô-đun đầu cuối sóng milimet QPM2630 của Qorvo tích hợp hai kênh phát và một kênh thu, hoạt động ở tần số từ 24 đến 30 GHz, với mỗi kênh TX cung cấp công suất đầu ra lên đến 18 dBm, khiến nó phù hợp với điện thoại thông minh và thiết bị CPE.

Mô-đun đầu cuối Wi-Fi 6/6E: Kết hợp công nghệ GaN và bộ lọc tiên tiến để đáp ứng các yêu cầu thông lượng cao. FEM QPF4526 của Qorvo hỗ trợ hoạt động băng kép ở 2,4 GHz và 5 GHz, tích hợp PA, LNA và công tắc, với công suất đầu ra lên đến 22 dBm và EVM tốt hơn -35 dB ở tốc độ MCS11, khiến nó trở thành một lựa chọn lý tưởng cho bộ định tuyến cao cấp và AP cấp doanh nghiệp.

FEM cấp quốc phòng và hàng không vũ trụ: Đáp ứng các yêu cầu về độ tin cậy môi trường khắc nghiệt, thường được sử dụng trong thông tin liên lạc vệ tinh và radio quân sự. Các sản phẩm này thường sử dụng các quy trình đóng gói và sàng lọc đặc biệt, chẳng hạn như FEM GaN cấp hàng không vũ trụ của Qorvo, hoạt động trong phạm vi nhiệt độ từ -55°C đến +125°C và cung cấp khả năng chống bức xạ vượt trội.

Thiết bị chuyển mạch Gallium Nitride

Thiết bị chuyển mạch gallium nitride đóng một vai trò quan trọng trong việc định tuyến tín hiệu RF và điều chỉnh ăng-ten. Qorvo đã phát triển một loạt các giải pháp chuyển mạch hiệu suất cao bằng cách kết hợp SOI (Silicon-on-Insulator) sáng tạo với công nghệ GaN.

Các sản phẩm chuyển mạch GaN của Qorvo chủ yếu bao gồm:

Mô-đun chuyển mạch ăng-ten (ASM): Tích hợp với nhiều công tắc RF, bộ lọc và logic điều khiển, cung cấp một giải pháp đầu cuối RF hoàn chỉnh cho các thiết bị di động. Các sản phẩm GaN ASM của Qorvo có tổn thất chèn thấp (<1 dB typical), high isolation (>30 dB) và độ tuyến tính tuyệt vời (IP3 > 60 dBm), khiến chúng trở nên lý tưởng cho điện thoại thông minh 5G và thiết bị IoT bị giới hạn về không gian.

Công tắc GaN rời rạc: Có sẵn trong nhiều cấu hình khác nhau, bao gồm SPDT (cực đơn hai ngả), SP4T (cực đơn bốn ngả) và MPMT (cực đa ngả), mang lại sự linh hoạt hơn trong thiết kế. Công tắc rời rạc GaN của Qorvo hoạt động từ DC đến 6 GHz, được sản xuất bằng công nghệ pHEMT tiên tiến, có tốc độ chuyển mạch nhanh (<50 ns), low power consumption (<1 μA standby current), and excellent ESD protection (>1 kV HBM).

Công tắc đa dạng: Với tổn thất chèn cực thấp và hiệu suất cách ly tuyệt vời, các công tắc này cải thiện đáng kể độ nhạy thu và thông lượng của hệ thống không dây. Công tắc đa dạng GaN của Qorvo được sử dụng rộng rãi trong các tế bào nhỏ 5G, bộ định tuyến Wi-Fi 6/7 và hệ thống liên lạc ô tô, hỗ trợ tổng hợp sóng mang và công nghệ MIMO.