Blog về công ty Tái chế sản phẩm Nexperia GaN: GaN Bi-Directional Switch, GaN FETs

Tái chế sản phẩm Nexperia GaN: GaN Bi-Directional Switch, GaN FETs

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.là một công ty hàng đầu trong lĩnh vực tái chế linh kiện điện tử, chuyên về tái chế tất cả các loại linh kiện điện tử.Chúng tôi cung cấp cho khách hàng toàn cầu các giải pháp xử lý hàng tồn kho hiệu quả và phù hợp, giúp họ nhanh chóng thu hồi tiền và tối ưu hóa quản lý kho.

Quá trình tái chế

Gửi chi tiết: Chỉ cần cung cấp chi tiết về bảng đánh giá Lattice để tái chế qua email hoặc điện thoại, bao gồm số mô hình, số lượng, tình trạng và ảnh.

Định giá chính xác: Nhóm chuyên gia của chúng tôi thường sẽ hoàn thành đánh giá và cung cấp một báo giá cạnh tranh trong vòng 12 đến 24 giờ.

Quản lý an toàn: Chúng tôi cung cấp dịch vụ thu thập cửa hàng miễn phí trên toàn quốc bao gồm nhiều thành phố, hoặc sắp xếp dịch vụ hậu cần toàn cầu được bảo hiểm thông qua các nhà vận chuyển như DHL,UPS và SF Express để đảm bảo vận chuyển an toàn.

Thanh toán khi kiểm tra: Một khi hàng hóa đã vượt qua kiểm tra, chúng tôi đảm bảo thanh toán đầy đủ trong vòng 24 giờ,hỗ trợ các phương pháp thanh toán khác nhau bao gồm chuyển khoản ngân hàng và tiền mặt với chu kỳ thanh toán ngắn hơn đáng kể so với mức trung bình trong ngành.

I. Nexperia GaN Bi-Directional Switch

Chuyển đổi hai chiều Nexperia GaN là một thiết bị điện sáng tạo được phát triển đặc biệt cho các ứng dụng kiểm soát dòng điện hai chiều và chặn điện áp hai chiều. It revolutionises the traditional bidirectional circuit design—which involves ‘two silicon MOSFETs connected back-to-back in series’—by leveraging the inherent properties of GaN to achieve native bidirectional conduction and voltage withstand capabilitiesĐiều này đơn giản hóa đáng kể kiến trúc hệ thống, giảm chi phí thành phần và dấu chân PCB, làm cho nó trở thành một thành phần nâng cấp cốt lõi cho quản lý pin, chuyển tải và bảo vệ mạch.

1Các công nghệ cốt lõi và lợi thế sản phẩm

So với các giải pháp mạch hai chiều dựa trên silicon truyền thống, các công tắc hai chiều GaN của Nexperia cung cấp lợi thế hiệu suất toàn diện.Các thiết bị có tính năng điện hai chiều tự nhiên, cho phép dẫn điện hai chiều và chặn điện áp mà không cần các MOSFET phù hợp.Điều này hoàn toàn loại bỏ các vấn đề của các lỗi phù hợp thiết bị và tích lũy các thông số ký sinh trùng liên quan đến cấu hình chuỗi truyền thốngThứ hai, tận dụng tính di động electron cao của GaN, các thiết bị có điện trở cực thấp (Rds ((on)) và mất dẫn cực thấp.giảm hiệu quả sự gia tăng nhiệt độ hoạt động và giảm bớt nhu cầu quản lý nhiệt hệ thống.

Hơn nữa, loạt công tắc này cung cấp thời gian phản ứng chuyển đổi cực nhanh, với tổn thất thấp hơn nhiều so với các thiết bị dựa trên silic trong điều kiện hoạt động tần số cao.Điều này hỗ trợ các thiết kế chuyển đổi năng lượng tần số cao, giúp tăng mật độ năng lượng và giảm kích thước tổng thể của thiết bị. Các thiết bị có tính năng tích hợp cực cao, với một chip duy nhất thay thế kiến trúc MOSFET kép,giảm trực tiếp số lượng thành phần, đơn giản hóa bố cục PCB và giảm chi phí sản xuất và lắp ráp cũng như khả năng hỏng mạch.Các sản phẩm có sự ổn định nhiệt tuyệt vời và miễn dịch với sự can thiệp, với một phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng công nghiệp và ô tô đòi hỏi khắt khe, đồng thời đáp ứng các yêu cầu RoHS, không chì và tuân thủ môi trường REACH.

2Các mô hình sản phẩm chính và đặc điểm kỹ thuật

Nexperia đã ưu tiên phát triển các sản phẩm chuyển đổi hai chiều GaN điện áp thấp, với mô hình hàng đầu GANB4R8-040CBA phục vụ như một thiết bị chuẩn cho thiết bị nhỏ gọn,Ứng dụng hiệu suất caoThiết bị này có một điện áp 40V, một kháng cự vào điển hình chỉ 4,8 mΩ và tổn thất kháng cự cực kỳ thấp; sử dụng thiết kế chế độ tăng cường thường tắt với trạng thái tắt mặc định,nó cung cấp an toàn mạch tăng cường và phù hợp với một loạt các ứng dụng chuyển đổi được kiểm soátThiết bị được đặt trong một gói chip quy mô wafer 2, 1 mm × 2, 1 mm (WLCSP),làm giảm tối thiểu không gian cần thiết và làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng không gian hạn chế như thiết bị điện tử tiêu dùng di động và thiết bị lưu trữ năng lượng quy mô nhỏ.

3. Các kịch bản ứng dụng chính

Nexperia's GaN chuyển đổi hai chiều được thiết kế chính xác cho một loạt các kịch bản điều khiển năng lượng hai chiều, với các ứng dụng cốt lõi bao gồm ba lĩnh vực chính.Hệ thống quản lý pin (BMS), được sử dụng để điều khiển hai hướng sạc và xả pin lithium-ion, cũng như bảo vệ kết nối ngược; chúng thay thế các mạch bảo vệ MOSFET kép truyền thống,đơn giản hóa thiết kế trong khi tăng tốc độ phản ứng bảo vệThứ hai, các công tắc tải thông minh, được sử dụng để điều khiển bật / tắt hai chiều trong các thiết bị di động, các ứng dụng nhà thông minh và tải trọng công nghiệp nhỏ, cho phép chuyển đổi năng lượng giảm mất mát.Bảo vệ ngược mạch và ứng dụng giới hạn dòng, phù hợp với các mô-đun lưu trữ năng lượng điện áp thấp, thiết bị đeo và mạch điện áp thấp ô tô, cung cấp bảo vệ mạch hiệu quả và ổn định và điều chỉnh điện năng.

II. Nexperia GaN Field-Effect Transistors (GaN FETs)

Nexperia GaN field-effect transistors là các thiết bị chuyển mạch điện hai chiều phổ biến được xây dựng dựa trên công nghệ GaN HEMT. Chúng được phân loại thành hai kiến trúc kỹ thuật chính:Chế độ tăng cường (E-mode) và mã vạch nguồn chung (Cascode), bao gồm toàn bộ phạm vi điện áp từ điện áp thấp (< 80V), điện áp trung bình (80 ∼ 200V), điện áp cao (650 V). Chúng hoàn toàn tương thích với một loạt các ứng dụng công suất cao và thấp,bao gồm cả thiết bị điện tử tiêu dùng, nguồn điện công nghiệp, máy tính máy chủ, năng lượng mặt trời tái tạo và nguồn điện viễn thông,và là các thành phần chính để thay thế các MOSFET silicon truyền thống và tăng hiệu quả cung cấp điện và mật độ điện.

1Kiến trúc kỹ thuật cốt lõi và lợi thế

Các GaN FET của Nexperia kết hợp công nghệ GaN HEMT cao áp độc quyền với các quy trình MOSFET silicon cao áp thấp, mang lại hiệu suất cao và độ tin cậy cao.Toàn bộ dải sản phẩm sử dụng thiết kế chế độ tăng cường tắt bình thường, loại bỏ nguy cơ rò rỉ dòng trong trạng thái hoạt động. Điều này đảm bảo điều khiển mạch đơn giản và an toàn cao trong khi vẫn tương thích với logic ổ đĩa silicon MOSFET truyền thống,cho phép thay thế và nâng cấp liền mạch mà không cần sửa đổi mạch đáng kể.

Các thiết bị có tính năng mất dẫn động và ngược cực kỳ thấp, với hiệu suất chuyển đổi mềm hàng đầu trong ngành.Chúng có hiệu quả làm giảm tổn thất chuyển đổi trong điều kiện hoạt động tần số cao, cho phép hiệu quả chuyển đổi điện năng lên đến 99% hoặc cao hơn.cho phép thiết kế ổ đĩa đơn giản và linh hoạt tương thích với các IC trình điều khiển nguồn điện thông thường, do đó giảm chi phí R & D và gỡ lỗi. Dòng sản phẩm có sẵn trong nhiều loại gói khác nhau, bao gồm các tùy chọn phổ biến như DFN, TO-247, TOLL và CCPAK,phục vụ nhu cầu của cả các ứng dụng tiêu dùng nhỏ gọn và các ứng dụng công nghiệp công suất caoHơn nữa, với các thông số ký sinh trùng cực kỳ thấp, tốc độ chuyển đổi nhanh hơn và giảm nhiễu điện từ, các thiết bị này tạo điều kiện cho thiết kế nhỏ gọn tần số cao.

2- Toàn bộ danh mục sản phẩm và các mô hình chính

Danh mục sản phẩm GaN FET của Nexperia bao gồm toàn bộ các ứng dụng điện áp và điện, được phân loại thành ba nhóm sản phẩm chính.Các mô hình sản xuất hàng loạt cung cấp hiệu suất xuất sắc và tương thích đặc biệt.

(1) GaN FET điện áp cao 650V

Được thiết kế chủ yếu cho các ứng dụng công nghiệp và năng lượng mới công suất trung bình đến cao, các mô hình cốt lõi bao gồm GAN140-650EBE, GANC035-650VSH và GAN039-650NBB.GAN140-650EBE sử dụng gói DFN 8mm × 8mm với điện trở 140mΩ; nó cung cấp tính linh hoạt cao và phù hợp với một loạt các thiết bị chuyển đổi điện thông thường cao và trung bình;GANC035-650VSH sử dụng một gói TO-247-4 công suất cao với kháng cự khởi động thấp đến 35 mΩ, có khả năng xử lý các điều kiện hoạt động dòng điện cao và phù hợp với các nguồn điện công nghiệp và các biến tần nhỏ quang điện; GAN039-650NBB sử dụng gói CCPAK1212,cung cấp một yếu tố hình dạng nhỏ gọn và tổn thất cực kỳ thấp, làm cho nó phù hợp với thiết kế nguồn điện cao áp mật độ cao.

(2) GaN FET điện áp trung bình và thấp

Bao gồm các ứng dụng điện áp thấp lên đến 80V, các ứng dụng này chủ yếu nhắm đến các thiết bị điện tử tiêu dùng, sạc nhanh và các kịch bản lưu trữ năng lượng quy mô nhỏ.Nhờ sức đề kháng cực thấp và tốc độ chuyển đổi cực nhanh, chúng được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị như sạc nhanh điện thoại di động, bộ điều hợp và ngân hàng điện di động, cải thiện hiệu quả sạc,giảm kích thước bộ sạc và cho phép nâng cấp sản phẩm cung cấp công suất cao trong một yếu tố hình dạng nhỏ gọn.

3Các kịch bản ứng dụng chính

Nexperia GaN FETs, với độ phủ điện áp đầy đủ, đặc điểm mất mát thấp và cao và độ tin cậy cao, phù hợp với các ứng dụng cốt lõi trên nhiều ngành công nghiệp.Trong lĩnh vực điện tử tiêu dùng, chúng được sử dụng trong bộ sạc nhanh GaN công suất cao, bộ điều hợp điện và thiết bị lưu trữ năng lượng di động để đạt được thu nhỏ và sạc hiệu quả cao; trong lĩnh vực máy tính và máy chủ,chúng được sử dụng trong các nguồn cung cấp điện cho máy chủ và các mô-đun điện trung tâm dữ liệu, khi đặc điểm tần số cao và hiệu quả cao của chúng làm giảm tiêu thụ năng lượng và tăng mật độ điện; trong các lĩnh vực công nghiệp và năng lượng mới,chúng được sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch công nghiệp, photovoltaic micro-inverters, động cơ truyền động và nguồn điện phụ trợ cho các điểm sạc; trong lĩnh vực viễn thông,chúng được sử dụng trong các mô-đun cung cấp điện của trạm gốc 5G và các nguồn cung cấp điện liên lạc, đáp ứng các yêu cầu hoạt động về tần số cao, ổn định cao và tuổi thọ dài.

III. Sự khác biệt chính giữa hai loại sản phẩm và khuyến nghị lựa chọn

Các công tắc hai chiều GaN của Nexperia và các transistor hiệu ứng trường GaN được định vị rõ ràng và bổ sung lẫn nhau, cho phép lựa chọn chính xác dựa trên kịch bản ứng dụng.Các công tắc hai chiều GaN được thiết kế để điều khiển hai chiều điện áp thấp và đơn giản hóa mạch; lợi thế chính của chúng nằm ở việc thay thế hai MOSFET bằng một con chip. Chúng phù hợp với các ứng dụng như bảo vệ sạc / xả pin,chuyển tải hai chiều và bảo vệ ngược điện áp thấp, ưu tiên đơn giản mạch và dấu chân tối thiểu. GaN FET được thiết kế cho chuyển đổi điện tần số cao một chiều và ứng dụng điện áp đầy đủ,bao gồm một phạm vi từ điện áp thấp đến cao và từ điện năng thấp đến caoChúng phù hợp với các biến tần nguồn cung cấp điện khác nhau, máy chỉnh và các ứng dụng chuyển đổi điện, ưu tiên hiệu quả cao, mật độ công suất cao và khả năng tương thích điều kiện hoạt động rộng.