Blog về công ty ON NCV2333DR2G Bộ khuếch đại hoạt động Offset 30μV độ chính xác cao

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada cung cấp và tái chế bộ khuếch đại thuật toán ON NCV2333DR2G có độ chính xác cao, trôi bằng không, độ lệch 30 µV.

NCV2333DR2G là bộ khuếch đại thuật toán hai kênh, trôi bằng không, tự động hóa theo tiêu chuẩn ô tô, thuộc dòng NCS333 gồm các bộ khuếch đại thuật toán chính xác. Dựa trên kiến trúc tự động hóa, trôi bằng không tiên tiến, nó đạt được điện áp lệch đầu vào tối đa là 30 µV, giải quyết hiệu quả các thách thức về trôi nhiệt độ và thời gian liên quan đến các bộ khuếch đại thuật toán truyền thống. Được thiết kế cho các ứng dụng thu thập tín hiệu mức thấp, độ chính xác cao, điện áp thấp, nó được chứng nhận theo tiêu chuẩn điện tử ô tô AEC-Q100 và đáp ứng các yêu cầu của điều khiển công nghiệp, điện tử ô tô và các ứng dụng đo lường chính xác di động.

I. Các tính năng chính của sản phẩm NCV2333DR2G

Thông số kỹ thuật chính xác trôi bằng không

Điện áp lệch đầu vào tối đa (Vos): 30 µV (điển hình 6 µV)

Độ trôi nhiệt độ điện áp lệch cực thấp: lên đến 0,07 µV/°C, triệt tiêu độ trôi điểm không trong phạm vi nhiệt độ rộng

Dòng điện thiên vị đầu vào điển hình 60 pA và trở kháng đầu vào cao, phù hợp với cảm biến trở kháng cao

Thiết kế điện áp thấp, điện áp cung cấp rộng

Phạm vi hoạt động một nguồn cung cấp: 1,8 V đến 5,5 V, tương thích với pin lithium-ion và các hệ thống 3,3 V/5 V phổ biến

Dòng điện tĩnh một kênh điển hình: 17 µA; tiêu thụ điện năng tổng thể thấp trong cấu hình hai kênh, phù hợp với các thiết bị chạy bằng pin

Thông số hiệu suất điện

Bộ khuếch đại thuật toán độc lập hai kênh

Tích số băng thông khuếch đại (GBW): 270 kHz

Tốc độ thay đổi điện áp: 0,15 V/µs

Đầu vào rail-to-rail / đầu ra rail-to-rail (RRIO), tận dụng tối đa dải động của nguồn cung cấp

Dòng điện đầu ra một kênh: 11 mA

Tỷ lệ loại bỏ chế độ chung (CMRR): điển hình 123 dB, cung cấp khả năng miễn nhiễm nhiễu chế độ chung tuyệt vời

Thông số kỹ thuật môi trường và độ tin cậy (Quan trọng đối với các ứng dụng ô tô)

Phạm vi nhiệt độ hoạt động: –40 °C đến +125 °C

II. Phân tích ưu điểm kỹ thuật của NCV2333DR2G

Điểm không của các bộ khuếch đại thuật toán đa dụng truyền thống trôi liên tục theo nhiệt độ và thời gian hoạt động, điều này có thể dễ dàng dẫn đến sai số đo lường khi khuếch đại tín hiệu yếu. NCV2333DR2G sử dụng cấu trúc tự động hóa trôi bằng không liên tục và động điều chỉnh điện áp lệch:

Độ ổn định lâu dài loại bỏ nhu cầu về mạch điều chỉnh điểm không bên ngoài, giảm số lượng linh kiện ngoại vi

Đặc tính trôi nhiệt độ thấp phù hợp với việc điều kiện hóa các tín hiệu nhỏ ở mức millivolt từ các thiết bị như cảm biến biến dạng, cặp nhiệt điện và cảm biến áp suất

Đầu vào theo dõi theo dõi hỗ trợ thu thập tín hiệu yếu gần với đường ray nguồn, không có vùng chết đầu vào

Thiết kế tích hợp hai kênh cho phép khuếch đại hai kênh tín hiệu trên một chip duy nhất, tiết kiệm không gian bố trí PCB

III. Các kịch bản ứng dụng điển hình cho NCV2333DR2G

Điện tử ô tô (Ứng dụng cốt lõi)

Phát hiện nhiệt độ trên xe, cảm biến áp suất trong xe, lấy mẫu dòng điện điện áp thấp cho Hệ thống quản lý pin (BMS) và điều kiện hóa tín hiệu cho cảm biến load cell trên xe

Đo lường và điều khiển công nghiệp

Load cell, cảm biến biến dạng, mô-đun đo nhiệt độ cặp nhiệt điện, khuếch đại tín hiệu đầu vào 4–20 mA, bộ lọc tích cực điện áp thấp, phát hiện dòng điện yếu trong công nghiệp

Thiết bị chính xác di động

Thiết bị đo cầm tay, thiết bị giám sát y tế di động, thiết bị thu thập dữ liệu chạy bằng pin

Ứng dụng mở rộng

Mô-đun cảm biến độ chính xác cao cho nhà thông minh, chuỗi tín hiệu bộ phát Internet of Things (IoT)

IV. Tóm tắt NCV2333DR2G

NCV2333DR2G, bộ khuếch đại thuật toán hai kênh trôi bằng không từ ON Semiconductor, có điện áp lệch tối đa 30 µV, độ trôi nhiệt độ cực thấp, dải điện áp cung cấp thấp 1,8 V đến 5,5 V và khả năng đầu vào và đầu ra rail-to-rail. Được chứng nhận theo tiêu chuẩn ô tô AEC-Q100, trong gói SOIC-8. Phù hợp cho các mạch cảm biến ô tô, thu thập dữ liệu dạng cầu công nghiệp và đo lường chính xác chạy bằng pin để điều kiện hóa tín hiệu yếu.