Blog về công ty Mingjiada cung cấp TI GaN Power Stages, cung cấp Gallium Nitride Power-FET

Mingjiada cung cấp các giai đoạn năng lượng TI GaN, cung cấp năng lượng Gallium Nitride-FET

Công ty TNHH Điện tử Mingjiada Thâm Quyến— một nhà cung cấp lâu năm các sản phẩm sân khấu công suất [TI] gallium nitride (GaN), bao gồm các giải pháp với trình điều khiển cổng tích hợp và thiết bị nguồn GaN. Mingjiada Electronics cung cấp nhiều mẫu mã phổ thông và hỗ trợ cả mẫu lô nhỏ cũng như đơn đặt hàng số lượng lớn. Được hỗ trợ bởi hệ thống hậu cần hiệu quả, chúng tôi đảm bảo giao sản phẩm nhanh chóng.

[TI] Giai đoạn năng lượng Gallium Nitride (GaN)
Tổng quan: Dòng FET gallium nitride (GaN) của TI có trình điều khiển cổng tích hợp và thiết bị nguồn GaN, cung cấp các giải pháp GaN hiệu quả mang lại độ tin cậy và lợi thế về chi phí trong toàn bộ vòng đời sản phẩm. Bóng bán dẫn GaN chuyển đổi nhanh hơn nhiều so với MOSFET silicon, do đó cho phép giảm tổn thất chuyển mạch thấp hơn. Giai đoạn cấp điện GaN của TI có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm viễn thông, máy chủ, trình điều khiển động cơ và bộ chuyển đổi máy tính xách tay cũng như bộ sạc tích hợp cho xe điện.

Ưu điểm của Công nghệ GaN của TI
Tốc độ chuyển mạch nhanh hơn GaN FET rời rạc
- GaN FET của TI với trình điều khiển tích hợp đạt tốc độ chuyển mạch 150 V/ns. Kết hợp với bao bì có độ tự cảm thấp, tốc độ chuyển mạch này giúp giảm tổn hao, mang lại khả năng chuyển mạch rõ ràng và giảm thiểu hiện tượng đổ chuông.
Các thành phần từ tính nhỏ hơn và mật độ năng lượng cao hơn
- Các thiết bị GaN của TI, với tốc độ chuyển đổi nhanh hơn, giúp bạn đạt được tần số chuyển đổi vượt quá 500 kHz, nhờ đó giảm kích thước của các bộ phận từ tính tới 60%, nâng cao hiệu suất và giảm chi phí hệ thống.
Được xây dựng cho độ tin cậy
- Các thiết bị GaN của TI sử dụng quy trình GaN dựa trên silicon độc quyền và đã trải qua hơn 80 triệu giờ thử nghiệm độ tin cậy; kết hợp với tính năng bảo vệ, chúng được thiết kế để đảm bảo an toàn cho hệ thống điện áp cao.

Mingjiada Electronics là nhà cung cấp lâu dài các thiết bị điện [TI] gallium nitride (GaN), bao gồm nhưng không giới hạn ở:
LMG2652H – Nửa cầu FET nguồn 650V 140mΩ GaN có trình điều khiển (số bộ phận: LMG2652HRFBR)
LMG2610 – nửa cầu FET công suất GaN 650V có tích hợp trình điều khiển, chức năng bảo vệ và cảm biến dòng điện, phù hợp với ACF (số bộ phận: LMG2610RRGR, LMG2610RRGT)
LMG3622 – FET nguồn 700V 106mΩ GaN tích hợp trình điều khiển và bảo vệ (Mã bộ phận: LMG3622REQR)
LMG3624 – 700V, 155mΩ GaN power FET tích hợp trình điều khiển, bảo vệ và cảm biến dòng điện (Số bộ phận hiện có: LMG3624REQR, LMG3624YREQR, LMG3624ZREQR)
LMG2640 – Nửa cầu FET công suất 650V, 105mΩ GaN tích hợp trình điều khiển, chức năng bảo vệ và cảm biến dòng điện (số bộ phận: LMG2640RRGR)
LMG2650 – Nửa cầu FET công suất 650V, 95mΩ GaN tích hợp trình điều khiển, chức năng bảo vệ và cảm biến dòng điện (số bộ phận: LMG2650RFBR)
LMG5200 – Tầng điện nửa cầu 80V GaN (số bộ phận: LMG5200MOFR, LMG5200MOFT)
LMG3422R050 – 600V, 50mΩ GaN FET tích hợp driver, bảo vệ và báo nhiệt độ (Mã sản phẩm: LMG3422R050RQZR, LMG3422R050RQZT)
LMG3650R070 – 650V 70mΩ GaN FET tích hợp trình điều khiển và bảo vệ, trong gói TOLL (Mã bộ phận: LMG3650R070KLAR)

Để biết thêm thông tin chi tiết về các sản phẩm sân khấu điện gallium nitride (GaN) của TI hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập trang web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm thông tin cung cấp.