Blog về công ty Mingjiada cung cấp ROHM MOSFET cấu trúc rãnh SiC, MOSFET Silicon-Carbide

Mingjiada cung cấp MOSFET SiC cấu trúc rãnh ROHM, MOSFET silicon-cacbua

Công ty TNHH Điện tử Mingjiada Thâm Quyến— Nhà cung cấp lâu dài MOSFET [ROHM] SiC (silicon cacbua), bao gồm TO-247-4L, TO-247N, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-263CA-7LSHYAD, TO-3PFM, TOLL, TSC3PAK và nhiều dòng đóng gói khác. Mingjiada Electronics hỗ trợ cả mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng khối lượng lớn, đồng thời dựa vào hệ thống hậu cần hiệu quả để đảm bảo giao sản phẩm nhanh chóng.

MOSFET SiC (Silic cacbua)
Về nguyên tắc, MOSFET SiC không tạo ra dòng điện đuôi trong quá trình chuyển mạch, cho phép hoạt động ở tốc độ cao với tổn hao chuyển mạch thấp. Điện trở thấp và kích thước chip nhỏ gọn dẫn đến điện dung và điện tích cổng thấp hơn. Hơn nữa, SiC sở hữu các đặc tính vật liệu tuyệt vời, chẳng hạn như tăng điện trở tối thiểu và mang lại lợi thế vượt trội về thu nhỏ gói và hiệu quả năng lượng so với các thiết bị silicon (Si), trong đó điện trở có thể tăng hơn gấp đôi khi nhiệt độ tăng.

ROHM MOSFET SiC thế hệ thứ 4
SiC MOSFET thế hệ thứ 4 mới ra mắt đạt được điện trở thấp dẫn đầu ngành đồng thời cải thiện thời gian chịu ngắn mạch. Hơn nữa, nó có tổn thất chuyển mạch thấp và hỗ trợ điện áp nguồn cổng 15 V, góp phần tiết kiệm năng lượng hơn nữa trong thiết bị.

Mingjiada từ lâu đã cung cấp MOSFET [ROHM] SiC (silicon cacbua) trong các gói TO-247-4L, bao gồm nhưng không giới hạn ở những điều sau:
SCT3030AR
SCT3030ARHR
SCT3060AR
SCT3060ARHR
SCT3080AR
SCT3080ARHR
SCT4013DR
SCT4013DRHR
SCT4026DR
SCT4026DRHR
SCT4036DR
SCT4036DRHR
SCT4045DR
SCT4045DRHR
SCT4065DR
SCT4065DRHR
SCT4018KR
SCT4036KR
SCT4036KRHR
SCT3040KR
SCT304OKRHR
SCT4050KR
SCT405OKRHR
SCT4062KR
SCT4062KRHR
SCT3080KR
SCT308OKRHR
SCT4090KR
SCT409OKRHR
SCT3105KR
SCT3105KRHR

Để biết thêm thông tin về MOSFET SiC (silicon cacbua) của ROHM hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập trang web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm chi tiết cung cấp.