Blog về công ty Mingjiada cung cấp / tái chế Starpower GD75PFX170C6SG 1700V/75A IGBT Power Modules

Mingjiada cung cấp / tái chế StarpowerGD75PFX170C6SGCác mô-đun điện IGBT 1700V/75A

CácGD75PFX170C6SGlà một mô-đun điện IGBT 1700V/75A được sản xuất bởi Starpower Semiconductor (STARPOWER).
Thông tin cơ bản:
Mô hình:GD75PFX170C6SG
Thương hiệu: Starpower (Starpower Semiconductor)
Loại thiết bị: Máy chỉnh ba pha PIM + Inverter tích hợp IGBT power module
Thông số kỹ thuật: 1700V / 75A
Loại gói: gói C6
Topology mạch: Cây cầu chỉnh hình ba pha + cây cầu biến tần ba pha (giải pháp tích hợp PIM)

Tổng quan sản phẩm
CácGD75PFX170C6SGsử dụng công nghệ chip IGBT rãnh và tích hợp các diode tự do khôi phục mềm; nó được phân loại là một mô-đun điện công nghiệp cấp trung bình đến cao.Mô-đun sử dụng nền DBC (Copper-Clad Laminate) với một tấm nền đồng cách nhiệt tích hợp và thiết kế nhà chứa cảm ứng thấp, tối ưu hóa sự cân bằng giữa tổn thất dẫn điện, tổn thất chuyển mạch và khả năng chịu mạch ngắn. Nó phù hợp với thiết bị chuyển đổi điện công nghiệp với mức busbar AC 690V.

Các đặc điểm chính củaGD75PFX170C6SG
Trench IGBT, giảm điện áp bão hòa thấp VCE (sat), mất dẫn xuất sắc
Khả năng chống mạch ngắn 10 μs, cung cấp khoảng trống rộng rãi cho thiết kế bảo vệ mạch ngắn hệ thống
VCE (sat) có hệ số nhiệt độ dương tính, tạo điều kiện chia sẻ dòng trong cấu hình song song nhiều thiết bị
Nhiệt độ nối tối đa được phép Tjmax = 175 °C
Diode tự do đồng hành (FWD) tích hợp phục hồi mềm nhanh để ức chế các đợt điện áp cao
DBC cách nhiệt nền đồng, cách nhiệt chịu điện áp 4000 V (50 Hz, 1 phút)
Lớp lắp đặt có độ cảm ứng ký sinh trùng thấp để giảm dao động chuyển mạch và EMI

GD75PFX170C6SGCác thông số kỹ thuật điện tối đa (TC = 25°C)
VCES (các bộ sưu tập phát điện chống điện áp): 1700 V
VGES (đồng điện áp cửa-điện tử): ±20 V
IC (Dòng điện thu liên tục): 75 A
Phạm vi nhiệt độ giao điểm hoạt động: -40 °C đến +150 °C
Nhiệt độ lưu trữ: -40°C đến +125°C

GD75PFX170C6SGCác đặc điểm chính
Giảm điện áp trong trạng thái: Sử dụng công nghệ IGBT Trench-FS (Trench-Field-Stop).
Khả năng chống mạch ngắn: Khả năng chống mạch ngắn trong 10 μs.
Tỷ lệ nhiệt độ tích cực: VCE ((sat) có hệ số nhiệt độ tích cực, tạo điều kiện cho hoạt động song song.
Nhiệt độ hoạt động cao: Nhiệt độ kết nối tối đa lên đến 175 °C.
Gói có độ thấm thấp: Có thiết kế gói có độ thấm thấp.
Diode phục hồi nhanh: Tích hợp một diode tự do tự do (FWD) nhanh, phục hồi mềm.
Độ cô lập cao: Sử dụng nền đồng cách nhiệt với công nghệ DBC (Direct Bonded Copper), cung cấp hiệu suất nhiệt và cách nhiệt tuyệt vời.

CácGD75PFX170C6SGchủ yếu được sử dụng trong các lĩnh vực sau:
Máy chuyển đổi tần số bằng động cơ
Máy gia tăng động cơ AC và DC
Các nguồn điện không bị gián đoạn (UPS)

CácGD75PFX170C6SGlà một mô-đun năng lượng IGBT được tung ra bởi Jiaxing Starpower (STARPOWER), sử dụng gói C6 và công nghệ chip Trench Field-Stop (Trench FS) mất mát thấp.Các mô-đun tích hợp một cầu thẳng ba pha, một đơn vị phanh và một biến tần ba pha, làm cho nó trở thành một PIM tích hợp cao (Power Integrated Module).

Mingjiada Electronics đã cung cấp và tái chế các mô-đun IGBTGD75PFX170C6SGNếu bạn muốn tìm hiểu thêm về GD75PFX170C6SG, mua mẫu hoặc hỏi về giá tái chế, vui lòng liên hệ với Mingjiada Electronics.
URL của công ty:https://www.integrated-ic.com/