Blog về công ty Mingjiada cung cấp GaN FET, cung cấp GaNEXUSTM Gallium Nitride FET

Mingjiada cung cấp GaN FET, cung cấp GaNEXUSTM Gallium Nitride FET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.- Nhà cung cấp lâu dài của Onsemi GaNEXUSTM gallium nitride (GaN) FET, bao gồm các sản phẩm như GaN FET điện áp thấp / trung bình và cao.Mingjiada Electronics có một loạt các mô hình chính thống và hỗ trợ cả các mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng khối lượng lớnĐược hỗ trợ bởi một hệ thống logistics hiệu quả, chúng tôi đảm bảo giao hàng nhanh chóng.

FET trên GaN
Thông tin chi tiết: GaNEXUS TM gallium nitride (GaN) field-effect transistors là GaN HEMT riêng biệt chế độ tăng cường. Bằng cách sử dụng các tính chất của vật liệu băng tần rộng, chúng cho phép chuyển đổi nhanh,sạc cổng và đầu ra thấp, và hiệu quả đặc biệt so với các transistor điện silicon.ứng dụng chuyển đổi điện áp cao và cực cao để đạt tần số hoạt động cao hơn, kích thước các thành phần từ tính nhỏ hơn và mật độ năng lượng cao hơn.

GaN FET điện áp thấp/trung bình
GaNEXUS TM chế độ tăng cường phân biệt bên cạnh gallium nitride high-electron-mobility transistors (HEMT), với dải điện áp hoạt động từ 40 V đến 200 V, được tối ưu hóa cho hiệu quả cao,Thiết kế chuyển đổi điện áp trung bình và hệ thống nhỏ gọn.
Mô hình được cung cấp bởi Mingjiada Electronics:
NTLCC3D5N10GN1
NTLCC5D0N10GN1
NTLEF0D7N04GN1
NTLEF1D0N10GN1
NTLEF1D5N10GN1
NTLEF2D2N15GN1
NTLEF2D5N10GN1
NTLEF3D6N20GN1
NTLEF5D0N10GN1

GaN FET điện áp cao
GaNEXUS TM chế độ tăng cường phân biệt bên cạnh gallium nitride high-electron-mobility transistors (HEMT), với một phạm vi điện áp 650 V ∼ 1200 V, được tối ưu hóa cho hiệu quả cao,thiết kế chuyển đổi điện áp cao và hệ thống nhỏ gọn.
Mô hình được cung cấp bởi Mingjiada Electronics:
NTBL023N65GN1
NTBL035N65GN1
NTBL050N65GN1
NTBT023N65GN1
NTBT035N65GN1
NTBT050N65GN1
NTD100N70GN1TXG
NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1
NTMT100N70GN1TXG
NTMT130N70GN1TXG
NTMT170N70GN1TXG

Để biết thêm thông tin về các FET gallium nitride (GaN) của Onsemi hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập trang web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm chi tiết về nguồn cung.