Mingjiada cung cấp Infineon F-RAM RAM điện sắt, cung cấp bộ nhớ F-RAM hàng loạt, bộ nhớ F-RAM song song
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. - nhà cung cấp lâu năm của toàn bộ các sản phẩm bộ nhớ Infineon, bao gồm RAM sắt điện hàng loạt (F-RAM) và RAM sắt điện song song (F-RAM).Những thiết bị này kết hợp khả năng đọc / ghi tốc độ cao của RAM với tính không biến động của ROM; những lợi thế chính của chúng nằm ở tốc độ ghi nhanh, tiêu thụ năng lượng cực thấp và khả năng đọc / ghi gần như không giới hạn.Mingjiada Electronics duy trì hàng tồn kho của các mô hình chính thống và hỗ trợ cả các mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng khối lượng lớn; được hỗ trợ bởi một hệ thống logistics hiệu quả, chúng tôi đảm bảo giao hàng nhanh chóng.
F-RAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện sắt hoặc FeRAM)là một bộ nhớ không dễ bay hơi độc lập có thể thu thập và giữ lại dữ liệu quan trọng ngay lập tức trong trường hợp mất điện. Nó rất phù hợp với các ứng dụng ghi lại dữ liệu quan trọng,như bộ điều khiển logic có thể lập trình hiệu suất cao (PLC) đòi hỏi độ tin cậy cao, điều khiển và thông lượng, hoặc các thiết bị theo dõi bệnh nhân được thiết kế để cải thiện chất lượng cuộc sống.
Mingjiada Electronics cung cấp các thiết bị bộ nhớ sắt điện F-RAM hàng loạt Infineon sau:
FM25V02A-G: 256-Kbit (32K × 8) bộ nhớ RAM sắt điện hàng loạt (F-RAM) với giao diện SPI hoạt động ở tốc độ tối đa 40 MHz.
FM25V05-G: 512-Kbit (64K × 8) F-RAM hàng loạt với bộ nhớ không dễ bay hơi bền, hoạt động ở 2,0 V đến 3,6 V, với phạm vi nhiệt độ từ 40 °C đến +85 °C, tốc độ bus SPI lên đến 40 MHz,và hỗ trợ chế độ 0 và 3.
FM25V10-G: Bộ nhớ F-RAM chuỗi 1 Mbit (128K × 8) với giao diện SPI, hoạt động ở tốc độ 2,0 V đến 3,6 V, hỗ trợ tốc độ đồng hồ SPI lên đến 40 MHz, với NoDelay TM ghi để lưu trữ dữ liệu ngay lập tức.
FM25V20A-DG: Bộ nhớ F-RAM 2 Mbit (256K × 8) nối tiếp, sử dụng công nghệ sắt điện tiên tiến, với điện áp hoạt động từ 2,0 V đến 3,6 V và phạm vi nhiệt độ từ 40 °C đến + 85 °C.Hỗ trợ giao diện SPI với tốc độ tối đa 40 MHz và ghi tốc độ bus NoDelayTM.
FM25V20A-DGQ: Bộ nhớ F-RAM 2 Mbit (256K × 8) theo chuỗi với khả năng nhiệt độ mở rộng, hoạt động ở 2.0 V đến 3.6 V, có khả năng ghi tốc độ cao NoDelay TM và tốc độ SPI lên đến 33 MHz (Chế độ 0/3),thích hợp cho việc sử dụng thường xuyên, ứng dụng lưu trữ không dễ bay hơi tốc độ cao trong các lĩnh vực công nghiệp và y tế.
FM25V20A-G: Bộ nhớ F-RAM 2 Mbit (256 K × 8) tuần tự, hoạt động ở 2,0 V đến 3,6 V, với phạm vi nhiệt độ từ 40 °C đến + 85 °C; có giao diện SPI tối đa 40 MHz để ghi nhanh, không chậm trễ,thích hợp cho các ứng dụng đòi hỏi phải viết thường xuyên hoặc nhanh chóng, chẳng hạn như kiểm soát công nghiệp và thu thập dữ liệu.
FM1808B-SG: 256 Kbit (32 K × 8) RAM sắt điện song song (F-RAM) trong một gói SOIC 28 pin, tương thích với SRAM và EEPROM. Điện áp hoạt động: 4,5 V đến 5,5 V; phạm vi nhiệt độ: 40 °C đến +85 °C.
FM18W08-SG: 256 Kbit (32 K × 8) bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện sắt (F-RAM) rộng byte, hoạt động ở 2,7 V đến 5,5 V và trong phạm vi nhiệt độ từ 40 °C đến + 85 °C,thích hợp cho các ứng dụng ghi tần số cao và độ tin cậy cao như công nghiệp, thiết bị và ghi lại dữ liệu.
Các giải pháp bộ nhớ F-RAM của Infineon cung cấp một loạt các tính năng, bao gồm:
NoDelay TM Write ghi dữ liệu vào các tế bào bộ nhớ ở tốc độ bus mà không cần bất kỳ thời gian thiết lập
Các sản phẩm bộ nhớ điện sắt cực kỳ bền, với hơn 100 nghìn tỷ chu kỳ ghi, làm cho chúng bền hơn bộ nhớ floating-gate.
Tiêu thụ năng lượng cực thấp, sử dụng năng lượng ít hơn 200 lần so với EEPROM và ít hơn 3.000 lần so với NOR flash.
Chống bức xạ, không bị ảnh hưởng bởi các lỗi mềm do bức xạ gây ra gây ra sự lật bit.
Để biết thêm thông tin về các sản phẩm bộ nhớ sắt F-RAM của [Infineon] hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập trang web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm chi tiết về nguồn cung.
Người liên hệ: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753
Vietnamese
