Blog về công ty Mingjiada cung cấp Infineon CoolSiCTM MOSFET Power Module, cung cấp CIPOSTM Prime CoolSiCTM MOSFET Module

Mingjiada cung cấp Mô-đun nguồn MOSFET Infineon CoolSiC™, Cung cấp Mô-đun MOSFET CIPOS™ Prime CoolSiC™

Trong lĩnh vực phương tiện sử dụng năng lượng mới, bộ lưu trữ năng lượng quang điện và nguồn điện công nghiệp, công nghệ cacbua silic (SiC) đã trở thành động lực chính cho việc nâng cấp hệ thống điện tử công suất nhờ ưu điểm cốt lõi là tổn thất thấp, hoạt động tần số cao và khả năng chịu nhiệt độ cao.Công ty TNHH Điện tử Mingjiada Thâm Quyếntừ lâu đã là nhà cung cấp đầy đủ các mô-đun MOSFET Infineon CIPOS™ Prime CoolSiC™. Với kho hàng bao gồm tất cả các mẫu phổ biến, chúng tôi hỗ trợ cả mẫu lô nhỏ và đơn đặt hàng số lượng lớn, đồng thời dựa vào hệ thống hậu cần hiệu quả để đảm bảo giao sản phẩm nhanh chóng.

Infineon – Mô-đun MOSFET CIPOS™ Prime CoolSiC™
Dòng Infineon CIPOS™ Prime bao gồm các mô-đun năng lượng cacbua silic được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng điện áp cao, hiệu suất cao trong môi trường ô tô và công nghiệp. Tích hợp thế hệ chip CoolSiC™ MOSFET mới nhất với công nghệ đóng gói được tối ưu hóa, các mô-đun này kết hợp hiệu suất cao, khả năng tích hợp cao và độ tin cậy cao, khiến chúng trở thành lựa chọn ưu tiên cho bộ sạc tích hợp (OBC) 6,6kW–44kW, bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, bộ truyền động động cơ công nghiệp và trạm sạc năng lượng mới.

Các tính năng chính:
Chứng nhận độ tin cậy cao cấp ô tô: Được chứng nhận kép cho AEC-Q101 và AQG324, đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về chu trình nhiệt độ, độ rung và độ ổn định lâu dài trong môi trường khắc nghiệt trong xe. Phạm vi nhiệt độ mối nối vận hành từ -40°C đến 175°C, giúp nó phù hợp với các điều kiện vận hành khắc nghiệt.
Bao bì tích hợp, nhỏ gọn: Sử dụng gói nội tuyến kép (DIP) cách ly hoàn toàn 44mm × 28mm với chất nền DCB nhôm nitride (AlN) tích hợp, mang lại khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời; có sẵn ở cấu trúc liên kết cầu ba pha 4 trong 1 và cầu ba pha 6 trong 1, tích hợp nhiều MOSFET SiC vào một mô-đun duy nhất để đơn giản hóa đáng kể thiết kế hệ thống và giảm số lượng thành phần bên ngoài.
Hiệu suất tần số cao tổn thất thấp: Được trang bị chip MOSFET CoolSiC™ 1200V, có điện trở khi bật (RDS(on)) thấp tới 20mΩ. Tổn thất chuyển mạch giảm hơn 50% so với IGBT dựa trên silicon. Hỗ trợ hoạt động ở tần số cao ở mức MHz, giúp cải thiện hiệu suất hệ thống thêm 3%–5%, đồng thời giảm kích thước của cuộn cảm và tụ điện lưu trữ năng lượng cũng như giảm chi phí BOM.

Mingjiada Electronics là nhà cung cấp lâu dài các mô-đun MOSFET [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™, bao gồm nhưng không giới hạn ở các mô-đun sau:
AMF12S18LB2Z
AMF12S25LB2Z
AMF12S36LB2Z
AMF12S54LB2Z
AMF12S62LB2Z
AMM12S18LB1Z
AMM12S25LB1Z
AMM12S36LB1Z
AMM12S36LB1Z2
AMM12S54LB1Z
AMM12S54LB2Z
AMM12S62LB1Z
AMM12S62LB2Z

Ngoài ra, Mingjiada Electronics còn cung cấp nguồn cung cấp dài hạn các linh kiện điện tử khác nhau, bao gồm mạch tích hợp (IC), chip 5G, IC năng lượng mới, chip IoT, chip Bluetooth và chip ô tô, mang đến cho khách hàng trải nghiệm mua sắm một cửa. Mingjiada Electronics duy trì nguồn hàng dồi dào, với hơn 2 triệu linh kiện điện tử trong kho, đảm bảo khách hàng có thể nhanh chóng có được sản phẩm họ yêu cầu. Công ty hỗ trợ cả mua hàng mẫu số lượng nhỏ và đơn hàng số lượng lớn, đáp ứng nhu cầu của khách hàng ở mọi quy mô.

Để biết thêm thông tin chi tiết về mô-đun MOSFET [Infineon] CIPOS™ Prime CoolSiC™ hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập trang web Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thông tin cung cấp đầy đủ.