Blog về công ty Mingjiada cung cấp đầy đủ các Infineon GaN HEMT (Gallium Nitride) Transistors

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Minh Gia Đạtlà nhà cung cấp chuyên nghiệp các loại transistor GaN HEMT của Infineon, cung cấp các transistor GaN HEMT dòng CoolGaN™ mới 100%, chính hãng của Infineon có sẵn trong kho. Phạm vi sản phẩm của chúng tôi bao gồm dải điện áp đầy đủ từ 40V đến 850V, bao gồm dòng điện áp trung bình G3, dòng điện áp cao G5, công tắc hai chiều (BDS) và các thiết bị đạt tiêu chuẩn ô tô, cung cấp hỗ trợ mua sắm thiết bị nguồn GaN một cửa cho khách hàng trong lĩnh vực sạc nhanh, trung tâm dữ liệu, bộ biến tần quang điện, xe năng lượng mới và bộ nguồn công nghiệp.

I. Dòng sản phẩm GaN HEMT cốt lõi của Infineon do Minh Gia Đạt cung cấp

CoolGaN™ của Infineon là một trong số ít danh mục sản phẩm GaN HEMT trong ngành bao gồm cả các ứng dụng điện áp trung bình/thấp và điện áp cao, đồng thời cung cấp các tùy chọn đạt tiêu chuẩn ô tô. Minh Gia Đạt duy trì kho hàng của các dòng sản phẩm sau và hỗ trợ cả yêu cầu mẫu số lượng nhỏ và giao hàng sản xuất hàng loạt.

1. Dòng điện áp cao CoolGaN™ G5 (650V/700V)

Dựa trên công nghệ Gate Injection Transistor (GIT), dòng G5 được thiết kế cho các ứng dụng điện áp cao trong các lĩnh vực công nghiệp và năng lượng mới. Nó mang lại hiệu suất cải thiện 3%–5% so với các giải pháp dựa trên silicon truyền thống và hỗ trợ chuyển mạch tần số cao ở cấp độ MHz. Theo dữ liệu chính thức từ Infineon, các sản phẩm G5 650V có điện trở bật (on-resistance) từ 25 mΩ đến 140 mΩ và dòng điện cực máng liên tục tối đa lên tới 70 A. Các tùy chọn đóng gói bao gồm TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 và ThinPAK 5×6.

Minh Gia Đạt duy trì các mẫu G5 đại diện sau trong kho:

Mẫu Đóng gói Thông số chính

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ

2. Dòng công nghiệp CoolGaN™ 600V (e-mode HEMT)

HEMT GaN e-mode 600V là dòng sản phẩm bán chạy của Minh Gia Đạt cho bộ nguồn trung tâm dữ liệu, SMPS máy chủ, bộ chỉnh lưu viễn thông và các ứng dụng sạc không dây. Dòng sản phẩm này có cấu trúc được tăng cường (thường tắt) không có điện tích phục hồi ngược, thời gian tăng chỉ 9 ns, thời gian giảm 13 ns và dải nhiệt độ tiếp giáp hoạt động từ -55°C đến +150°C.

Các mẫu đại diện của Minh Gia Đạt trong dòng 600V bao gồm:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, vỏ DSO-20, phù hợp với các cấu trúc bán cầu chuyển mạch cứng và chuyển mạch mềm như totem-pole PFC và LLC tần số cao.

IGOT60R070D1: Vỏ DSO-20 làm mát phía trên, phù hợp với thiết kế quản lý nhiệt mật độ công suất cao.

IGLD60R070D1: Vỏ LSON-8, được thiết kế cho bộ sạc nhanh và bộ chuyển đổi nhỏ gọn.

IGT60R190D1: Vỏ HSOF-8, định mức 190 mΩ, phù hợp với bộ nguồn công nghiệp công suất trung bình.

IGLR60R340D1: Định mức 340 mΩ, phù hợp với bộ nguồn phụ nhạy cảm về chi phí và các ứng dụng công suất thấp.

IGLR60R260D1: HEMT GaN e-mode 600V, được thiết kế cho chuyển đổi tần số cao, hiệu suất cao.

IGI60F1414A1L: Giai đoạn nguồn thông minh CoolGaN™ 600V với trình điều khiển cổng tích hợp, 140 mΩ, vỏ QFN-28 8×8 mm, đơn giản hóa thiết kế hệ thống và mạch bảo vệ.

3. Dòng điện áp trung bình CoolGaN™ G3 (40V–120V)

Dòng G3 được thiết kế cho các ứng dụng điện áp trung bình đến thấp như hệ thống ô tô 48V, sạc nhanh USB-C, ổ đĩa động cơ và bộ nguồn viễn thông. Nó có vỏ RQFN 5×6 / 3.3×3.3 tương thích với bố cục MOSFET dựa trên silicon, với điện trở bật thấp tới 1.1 mΩ đến 2.3 mΩ. Các mẫu công tắc hai chiều (BDS) 40V có thể thay thế các MOSFET ngược chiều truyền thống, tiết kiệm 50%–75% diện tích PCB.

Mẫu đại diện: IGO60R070D1 (cũng được liệt kê cho các ứng dụng công tắc hai chiều điện áp thấp đến trung bình); để có bảng lựa chọn đầy đủ các mẫu G3 40V/100V cụ thể, vui lòng liên hệ với đội ngũ bán hàng của Minh Gia Đạt.

4. Công tắc hai chiều CoolGaN™ (BDS) — Dẫn/Chặn hai chiều trên một chip

BDS CoolGaN™ của Infineon là thiết bị GaN chế độ tăng cường hai chiều tích hợp, trên một chip đầu tiên trong ngành. Nó thay thế kiến trúc công tắc hai chiều "bốn thiết bị song song" truyền thống bằng một thiết bị duy nhất, giảm đáng kể danh sách vật liệu và diện tích PCB.

Các mẫu đại diện do Minh Gia Đạt cung cấp:

IGLT65R055B2: BDS công nghiệp điện áp cao 650V trong vỏ TOLT (Top-Out-Through), có khả năng chống đột biến 850V; phù hợp với các trạm sạc hai chiều, PCS lưu trữ năng lượng, bộ ngắt mạch trạng thái rắn và bộ chuyển đổi DC-DC hai chiều.

IGK080B041S: BDS đa dụng điện áp thấp 40V trong vỏ chip, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch hai chiều thu nhỏ trong điện tử ô tô và tiêu dùng.

5. Dòng đạt tiêu chuẩn ô tô CoolGaN™ (100V/600V, AEC-Q101)

Infineon đã giới thiệu HEMT GaN được chứng nhận AEC-Q101 cho hệ thống ô tô 48V và sạc trên bo mạch. Minh Gia Đạt cung cấp dòng sản phẩm đạt tiêu chuẩn ô tô 100V, phù hợp với bộ điều khiển vùng, bộ chuyển đổi DC-DC chính, hệ thống phụ hiệu suất cao và bộ khuếch đại âm thanh Class D; nó cũng cung cấp HEMT GaN e-mode 600V đáp ứng các tiêu chuẩn ô tô (như IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, v.v.).

II. Tại sao chọn Minh Gia Đạt để mua HEMT GaN của Infineon

Trực tiếp từ nhà sản xuất, mới 100% và chính hãng. Tất cả các sản phẩm CoolGaN™ của Infineon tại Minh Gia Đạt đều có nguồn gốc trực tiếp từ nhà sản xuất hoặc các kênh được ủy quyền, đảm bảo không có hàng tân trang hoặc hàng mới rời. Mỗi chip đều trải qua kiểm tra chất lượng để đảm bảo độ tin cậy lâu dài của các thiết bị nguồn.

Dòng sản phẩm đầy đủ có sẵn trong kho, giao hàng nhanh chóng. Hoạt động phối hợp trên hai nhà kho ở Thâm Quyến và Hồng Kông duy trì lượng hàng tồn kho chiến lược cho các mẫu CoolGaN™ phổ biến. Hàng nội địa được xuất xưởng trong vòng 48 giờ, hỗ trợ chuyển đổi linh hoạt giữa các mẫu R&D và đơn đặt hàng sản xuất hàng loạt, giúp rút ngắn đáng kể thời gian đưa sản phẩm ra thị trường của khách hàng.

Khả năng cạnh tranh về giá nhờ mua số lượng lớn. Tận dụng mối quan hệ đối tác sâu sắc với Infineon và lợi thế mua hàng số lượng lớn, Minh Gia Đạt cung cấp giá theo bậc và dịch vụ khóa giá dài hạn để giúp khách hàng kiểm soát chi phí BOM trong giai đoạn triển khai giải pháp GaN.

III. Các kịch bản ứng dụng điển hình

HEMT GaN CoolGaN™ của Infineon đã được cơ sở khách hàng của Minh Gia Đạt áp dụng trong các kịch bản cốt lõi sau:

Sạc nhanh và Bộ chuyển đổi: Các thiết bị e-mode 600V và điện áp trung bình G3 được sử dụng trong bộ nguồn flyback QR tần số cao, totem-pole PFC và USB-C PD, cho phép thiết kế nhỏ gọn, mật độ công suất cao.

Nguồn điện Trung tâm dữ liệu và Máy chủ: Dòng G5 650V được sử dụng trong SMPS máy chủ đạt chuẩn Titanium và phân phối điện áp cao, với tổn thất chuyển mạch thấp hơn đáng kể so với MOSFET siêu kết nối dựa trên silicon.

Bộ biến tần PV và Lưu trữ năng lượng: Các thiết bị G5 650V được sử dụng trong giai đoạn DC-AC của bộ biến tần chuỗi và PCS lưu trữ năng lượng, tăng hiệu suất lên hơn 98%.

Xe năng lượng mới: GaN đạt tiêu chuẩn ô tô 100V/600V được sử dụng trong OBC, bộ chuyển đổi DC-DC và bộ điều khiển vùng 48V, đáp ứng các yêu cầu về độ tin cậy AEC-Q101.

Ổ đĩa động cơ công nghiệp và Bộ ngắt mạch trạng thái rắn: Công tắc hai chiều BDS được sử dụng để điều khiển tiến/lùi động cơ, rơ le trạng thái rắn và chuyển đổi năng lượng hai chiều, đơn giản hóa cấu trúc với kiến trúc một chip.

IV. Liên hệ Minh Gia Đạt để lựa chọn và báo giá HEMT GaN

Để kiểm tra tình trạng còn hàng của các mẫu trên, nhận bảng lựa chọn đầy đủ hoặc yêu cầu mẫu miễn phí, vui lòng liên hệ Điện tử Minh Gia Đạt:

Liên hệ: Ông Trần

Điện thoại / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Địa chỉ: Phòng 1239–1241, Tòa nhà Tân Á Quả Lợi, Đường Chấn Trung, Quận Futian, Thâm Quyến, Tỉnh Quảng Đông

Minh Gia Đạt cũng cung cấp các trình điều khiển cổng chuyên dụng cho GaN của Infineon (như dòng GaN EiceDRIVER™) và MOSFET SiC, hỗ trợ đặt hàng một cửa cho các giải pháp lai GaN + SiC.