Blog về công ty Mingjiada Cung cấp Thiết bị Rời rạc IGBT Infineon (TRENCHSTOP IGBT7/5) cho Ứng dụng Biến tần Năng lượng Mặt trời và Nguồn Điện Liên tục

Dành riêng cho Bộ chuyển đổi năng lượng mặt trời và Hệ thống UPS (Bộ lưu điện): Thiết bị rời IGBT của Infineon (Tổng quan đầy đủ các mẫu có sẵn từ Mingjiada)

Các kịch bản ứng dụng và Yêu cầu kỹ thuật IGBT

Bộ chuyển đổi năng lượng mặt trời (biến tần quang điện) và hệ thống UPS (bộ lưu điện) hiện là hai thị trường ứng dụng phát triển nhanh nhất trong lĩnh vực điện tử công suất. Cả hai loại hệ thống đều có các yêu cầu cốt lõi rất nhất quán đối với các thiết bị chuyển mạch công suất: hiệu suất chuyển đổi cao, tổn hao dẫn thấp, độ ổn định nhiệt tuyệt vời và độ tin cậy lâu dài.

Biến tần quang điện mặt trời cần giảm thiểu tổn hao trong quá trình chuyển đổi DC-AC để nâng cao hiệu quả phát điện của hệ thống. Biến tần chuỗi một pha thường yêu cầu IGBT có định mức điện áp từ 650 V đến 1.200 V và tần số chuyển mạch từ 15 kHz đến 120 kHz, đồng thời yêu cầu điện áp rơi bão hòa và tổn hao chuyển mạch cực kỳ thấp. Bộ lưu điện (UPS) đặt thêm các yêu cầu về tốc độ phản ứng động và khả năng chịu ngắn mạch của thiết bị; đặc biệt, trong quá trình chuyển đổi tức thời từ nguồn điện lưới sang nguồn điện pin, IGBT phải chịu được các xung dòng điện đáng kể.

Dòng IGBT TRENCHSTOP™ của Infineon sử dụng công nghệ trường chặn cổng rãnh siêu mỏng để đạt được sự cân bằng chính xác giữa tổn hao trạng thái bật và tổn hao chuyển mạch, và đã trở thành lựa chọn tiêu chuẩn cho các lĩnh vực ứng dụng đã đề cập ở trên.

Dải thiết bị IGBT rời của Mingjiada từ Infineon

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada từ lâu đã cung cấp các transistor IGBT của Infineon, bao gồm nhiều dòng như IKW, IKZ, IKY và IKA, với các loại vỏ bao gồm TO-247, TO-247PLUS, TO-220 FullPAK, D²PAK và TO263-7. Dải sản phẩm đầy đủ các mẫu có sẵn từ Mingjiada, được liệt kê theo ứng dụng, được trình bày dưới đây.

I. Các mẫu phù hợp cho bộ chuyển đổi năng lượng mặt trời (biến tần quang điện)

Dòng TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 1200V

Dòng này được thiết kế đặc biệt cho các biến tần quang điện loại chuỗi 1100V, có nhiệt độ mối nối tối đa là 175°C, điện áp rơi bão hòa thấp và khả năng chống ẩm tuyệt vời. Mingjiada có thể cung cấp đầy đủ các mẫu sau:

IKW15N120CS7 — 1200V/15A, vỏ TO-247

IKW40N120CH7 — 1200V/40A, vỏ TO-247, dòng H7 chuyển mạch cứng, phù hợp cho biến tần chuỗi một pha và các ứng dụng quang điện

IKW50N120CH7 — 1200V/50A, vỏ TO-247

IKW75N120CH7 — 1200V/75A, vỏ TO-247

IKY100N120CH7 — 1200V/100A, vỏ TO-247PLUS

IKY120N120CH7 — 1200V/120A, vỏ TO-247PLUS

IKY140N120CH7 — 1200V/140A, vỏ TO-247PLUS

Dòng TRENCHSTOP™ 5 H5/F5 (650V)

Dòng này được thiết kế cho tầng tăng cường MPPT và tầng biến tần DC-AC trong biến tần quang điện, với dải tần số chuyển mạch từ 15 kHz đến 120 kHz, mang lại sự cân bằng giữa hiệu suất cao và mật độ công suất cao:

IKW40N65H5 — 650 V/40 A, vỏ TO-247, với diode chống song song nhanh RAPID 1

IKW50N65H5 — 650V/50A, vỏ TO-247

IKW75N65EH5 — 650V/75A, vỏ TO-247, dòng H5

IKFW50N65EH5 — 650V/50A, vỏ cách ly nâng cao TO-247, không cần vật liệu cách ly bổ sung

IKFW75N65ES5 — 650V/75A, vỏ cách ly nâng cao TO-247, dòng S5, phù hợp cho tần số chuyển mạch 10kHz–40kHz

IGW50N60TP — 600V/50A, vỏ TO-247, dòng TRENCHSTOP™ hiệu suất cao

Dòng TRENCHSTOP™ 5 S5

IKZA50N65SS5 — Thiết bị lai CoolSiC™ lai, kết hợp IGBT với diode CoolSiC™ thế hệ thứ sáu; phù hợp cho biến tần chuỗi PV và hệ thống lưu trữ năng lượng, mang lại cả đặc tính phục hồi nhanh của diode SiC và lợi thế chi phí của IGBT.

II. Các mẫu phù hợp cho Bộ lưu điện (UPS)

Yêu cầu IGBT cho ứng dụng UPS tập trung vào điện áp rơi bão hòa thấp, tổn hao chuyển mạch thấp và hiệu suất EMI tốt. Mingjiada có thể cung cấp các mẫu cốt lõi sau:

Dòng TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 650V/1200V

IKW40N120CH7 — 1200V/40A, vỏ TO-247, tương thích trực tiếp với các cấu trúc biến áp tần số cao trong hệ thống UPS ngoại tuyến

IKW75N65ET7 — 650V/75A, vỏ TO-247, với diode mềm EC7 tích hợp, duy trì khả năng kiểm soát EMI tuyệt vời trong khi đạt được tổn hao chuyển mạch thấp hơn công nghệ thế hệ trước

IKQ150N65EH7 — 650V/150A, vỏ TO247PLUS-3, được phát triển cho các ứng dụng năng lượng xanh và hiệu quả cao, phù hợp cho các hệ thống UPS công suất lớn

Dòng TRENCHSTOP™ 5

AIKBE40N65RF5 — Vỏ gắn bề mặt cấp ô tô 650V/40A, PG-TO263-7, dòng TRENCHSTOP™ 5 F5; tích hợp IGBT chuyển mạch tốc độ cao với diode chống song song phục hồi nhanh trong một vỏ; phù hợp cho ứng dụng UPS, hệ thống năng lượng mặt trời và lưu trữ năng lượng

IKA15N60T — 600V/15A, vỏ TO-220 FullPAK, với diode chống song song, phù hợp cho UPS công suất nhỏ đến trung bình và nguồn điện công nghiệp

IGW20N60H3 — 600V/20A, vỏ TO-247, IGBT 600V tốc độ cao, phù hợp cho UPS và nguồn điện chuyển mạch công nghiệp

Dòng TRENCHSTOP™ 1200V H3

IKW40N120H3 — 1200V/40A, vỏ TO-247, dòng tốc độ cao cổ điển, phù hợp cho UPS và hệ thống năng lượng mặt trời

III. Dòng DTO247 Dòng cao (Đa năng cho năng lượng mặt trời, UPS và lưu trữ năng lượng)

Các transistor rời TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 DTO247 750V của Infineon có kích thước vỏ gấp đôi so với TO-247 tiêu chuẩn, cho phép chúng thay thế nhiều IGBT TO-247 dòng thấp được kết nối song song, do đó đơn giản hóa thiết kế mạch song song và giảm độ phức tạp của hệ thống. Với dòng định mức từ 200A đến 350A, dòng này được thiết kế đặc biệt cho các biến tần năng lượng mặt trời dòng cao, hệ thống UPS và hệ thống lưu trữ năng lượng.

Hướng dẫn lựa chọn và Thông tin cung cấp

Trong hai loại ứng dụng được đề cập ở trên, IGBT định mức 650V chủ yếu dành cho tầng MPPT của biến tần quang điện và các tầng PFC/biến tần của hệ thống UPS công suất nhỏ đến trung bình, trong khi IGBT định mức 1200V phù hợp cho các tầng chuyển đổi công suất của hệ thống quang điện bus DC 1100V và hệ thống UPS ba pha. So với Dòng 5 thế hệ trước, Dòng TRENCHSTOP™ IGBT 7 mang lại điện áp rơi bão hòa thấp hơn và hiệu suất nhiệt độ cao vượt trội ở cùng định mức dòng điện, làm cho nó phù hợp với các thiết kế mới có yêu cầu cao hơn về hiệu quả và mật độ công suất.

Mingjiada Electronics cung cấp tất cả các mẫu trên thông qua các kênh chính hãng 100%, với hơn 2 triệu mẫu luôn có sẵn trong kho. Chúng tôi hỗ trợ yêu cầu mẫu, sản xuất thử nghiệm số lượng nhỏ và đơn đặt hàng hợp đồng dài hạn, trong khi kho kép của chúng tôi ở Thâm Quyến và Hồng Kông đảm bảo giao hàng nhanh chóng. Để biết thông tin giá cả hoặc tình trạng kho cụ thể về từng mẫu, vui lòng liên hệ trực tiếp với Mingjiada Electronics.

Thông tin liên hệ:

Điện thoại: +86 13410018555 (Ông Trần)

Email: sales@hkmjd.com

Địa chỉ: Phòng 1239–1241, Tòa nhà Tân Á Quả Lợi, Đường Chấn Trung, Quận Futian, Thâm Quyến

Trang web: www.integrated-ic.com