Blog về công ty Mingjiada Cung cấp số lượng lớn MOSFET Silicon Carbide Infineon IMZC120R007: 1200V/7mΩ, Vỏ TO-247-4, Cung cấp sẵn tại Thâm Quyến

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada (Mingjiada Electronics), với tư cách là nhà phân phối chuyên nghiệp các linh kiện điện tử có sẵn trong kho, từ lâu đã cung cấp các MOSFET silicon carbide (SiC) dòng CoolSiC™ chính hãng của Infineon. Trong số đó, IMZC120R007 (mã đầy đủ: IMZC120R007M2H) là một trong những sản phẩm chủ lực của nền tảng công nghệ CoolSiC™ thế hệ thứ hai của Infineon. Mingjiada duy trì kho hàng ổn định tại Thâm Quyến, hỗ trợ giao hàng nhanh chóng cho cả mẫu số lượng nhỏ và sản xuất số lượng lớn, cung cấp cho khách hàng các giải pháp bán dẫn công suất hiệu quả và đáng tin cậy.

I. Tổng quan sản phẩm

IMZC120R007 là một MOSFET công suất silicon carbide (SiC) 1200V do Infineon Technologies ra mắt, thuộc dòng CoolSiC™ G2 (thế hệ thứ hai). Sử dụng công nghệ cổng trench tiên tiến và tận dụng chuyên môn sâu rộng của Infineon trong lĩnh vực SiC, thiết bị này đạt được điện trở bật (RDS(on)) cực thấp và tốc độ chuyển mạch siêu cao, đồng thời mang lại sự ổn định và độ tin cậy tuyệt vời ở nhiệt độ cao.

Mẫu này sử dụng gói TO-247-4 chân (nguồn Kelvin bốn chân), so với các gói ba chân truyền thống, giúp giảm đáng kể điện cảm nguồn chung trong mạch điều khiển, cải thiện rõ rệt hiệu suất chuyển mạch và giảm tổn thất chuyển mạch, làm cho nó đặc biệt phù hợp với các ứng dụng chuyển đổi công suất tần số cao, hiệu suất cao. Tận dụng mạng lưới thu mua toàn cầu và trung tâm phân phối Thâm Quyến, Mingjiada Electronics đảm bảo sẵn có các thiết bị IMZC120R007 chính hãng trong kho để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng công nghiệp và ô tô đa dạng.

II. Các tính năng và ưu điểm chính

Điện trở bật cực thấp: Giá trị điển hình là 7 mΩ (RDS(on)), với tối đa là 9 mΩ (ở 25°C), giảm đáng kể tổn thất dẫn và cải thiện hiệu suất hệ thống

Điện áp chịu đựng cao: 1200 V VDS, đáp ứng yêu cầu thanh cái điện áp cao và phù hợp cho xe điện 800 V và hệ thống quang điện

Tổn thất chuyển mạch thấp: Nhờ các đặc tính tần số cao tuyệt vời của vật liệu SiC, tổn thất chuyển mạch thấp hơn nhiều so với IGBT dựa trên silicon có thông số kỹ thuật tương đương, cho phép tần số chuyển mạch cao hơn (lên đến vài trăm kHz) và giảm kích thước của các thành phần thụ động

Dải nhiệt độ hoạt động rộng: Nhiệt độ nối lên tới 175°C, đáp ứng yêu cầu độ tin cậy lâu dài trong môi trường khắc nghiệt

Gói TO-247-4: Chân nguồn Kelvin loại bỏ điện cảm nguồn chung trong mạch điều khiển, cho phép chuyển đổi nhanh hơn và giảm hiện tượng rung, do đó cải thiện độ tin cậy của mạch điều khiển cổng

Diode thân tích hợp: Có điện tích phục hồi ngược thấp (Qrr), cho phép dẫn ngược không tổn hao mà không cần diode tự do bên ngoài (phù hợp với các cấu trúc chỉnh lưu đồng bộ)

Khả năng chống đánh thủng cao: Cung cấp khả năng chống đánh thủng mạnh mẽ, tăng cường độ bền của hệ thống

Tương thích với điện áp điều khiển cổng tiêu chuẩn: Hỗ trợ điều khiển cổng từ 0 V đến 18 V (điện áp bật khuyến nghị là 15 V), đảm bảo khả năng tương thích với các trình điều khiển hiện có

Tuân thủ tiêu chuẩn ô tô AEC-Q101 (đối với các mẫu cấp ô tô) hoặc đáp ứng các yêu cầu về độ tin cậy cấp công nghiệp

III. Thông số kỹ thuật chi tiết

Dưới đây là các thông số kỹ thuật chính cho IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Loại sản phẩm: Silicon Carbide MOSFET

Gói / Vỏ: PG-TO247-4-U07

Số kênh: 1 Kênh

Vds – Điện áp đánh thủng cực Drain-Source: 1,2 kV

Id – Dòng điện cực Drain liên tục: 201 A

Rds On – Điện trở bật cực Drain-Source: 20 mOhms

Vgs – Điện áp cực Gate-Source: -10 V, +25 V

Vgs th – Điện áp ngưỡng cực Gate-Source: 5,1 V

Qg – Điện tích cổng: 176 nC

Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55 °C

Nhiệt độ hoạt động tối đa: +175 °C

Pd – Công suất tiêu tán: 711 W

Tên thương hiệu: CoolSiC

Cấu hình: Tăng cường

Thời gian rơi: 33,6 ns

Độ dẫn truyền ngược – Tối thiểu: 60 S

Thời gian lên: 21,5 ns

Dòng: CoolSiC G2

Phân cực Transistor: Kênh N

Loại Transistor: 1 Kênh N

Loại: SiC MOSFET

Thời gian trễ tắt điển hình: 76,3 ns

Thời gian bật điển hình: 32,4 ns

IV. Các ứng dụng điển hình

Với hiệu suất vượt trội 1200 V/7 mΩ, IMZC120R007 phù hợp cho các hệ thống chuyển đổi công suất có yêu cầu cực cao về hiệu suất, mật độ công suất và độ tin cậy, đặc biệt bao gồm:

Trạm sạc xe điện: Các tầng PFC và DC-DC trong mô-đun sạc nhanh DC, cho phép thiết kế hiệu suất cao, mật độ công suất cao

Biến tần PV: Các tầng MPPT và biến tần trong biến tần chuỗi, cải thiện hiệu suất hệ thống và giảm kích thước

Hệ thống lưu trữ năng lượng (ESS): Bộ chuyển đổi DC-DC hai chiều, cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả

Nguồn điện công nghiệp: Nguồn điện chuyển mạch công suất cao như nguồn điện máy chủ, nguồn điện viễn thông và nguồn điện mạ điện

Bộ sạc trên xe (OBC) và bộ chuyển đổi DC-DC (đáp ứng yêu cầu độ tin cậy cấp ô tô)

Biến tần kéo (phụ trợ hoặc truyền động chính, yêu cầu tuân thủ AEC-Q101)

Bộ lưu điện (UPS) và Bộ lọc công suất chủ động (APF)

V. Cung cấp và Dịch vụ

Mingjiada Electronics đã cung cấp số lượng lớn MOSFET silicon carbide Infineon IMZC120R007 trong một thời gian dài. Kho Thâm Quyến của chúng tôi duy trì kho hàng ổn định các sản phẩm này. Chúng tôi đảm bảo sản phẩm chính hãng, nguyên bản 100% và cung cấp các dịch vụ sau:

Mua hàng linh hoạt: Hỗ trợ cả mua mẫu số lượng nhỏ và đơn đặt hàng sản xuất số lượng lớn

Giao hàng nhanh: Có sẵn trong kho tại Thâm Quyến; giao hàng trong vòng 24 giờ kể từ khi đặt hàng

Logistics toàn cầu: Tận dụng mạng lưới kho hàng của chúng tôi tại Hồng Kông và Thâm Quyến, chúng tôi hỗ trợ vận chuyển trong nước và quốc tế

Để biết thông tin hàng tồn kho, giá cả mới nhất hoặc yêu cầu báo giá, vui lòng truy cập trang web của Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi.

Thông tin liên hệ:

Di động: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Địa chỉ: Phòng 1239-1241, Tòa nhà Guoli, Đường Zhenzhong, Quận Futian, Thâm Quyến, Tỉnh Quảng Đông

Thẻ: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007