Blog về công ty Cung cấp điện tử Mingjiada ST L6387ED013TR Điện áp cao điều khiển cổng nửa cầu IC

Cung cấp điện tử Mingjiada STL6387ED013TRIC điều khiển cổng nửa cầu điện áp cao

L6387ED013TRlà trình điều khiển cổng nửa cầu điện áp cao (IC điều khiển cổng) thuộc dòng L6387E của STMicroelectronics' (ST), được đặt trong gói SO-8. Mingjiada Electronics duy trì nguồn cung sản phẩm này lâu dài, phù hợp cho các ứng dụng chuyển đổi năng lượng và truyền động động cơ khác nhau.

I. Mô tả sản phẩm
cácL6387ED013TRlà trình điều khiển cổng phía cao/phía thấp điện áp cao nguyên khối được sản xuất bằng quy trình 'ngoại tuyến' BCD™, có khả năng điều khiển các mạch nửa cầu bao gồm MOSFET công suất kênh N hoặc IGBT. Kênh nổi phía cao của nó có thể chịu được điện áp khởi động lên tới 600V, trong khi hai kênh đầu ra cung cấp khả năng điều khiển lần lượt là 400mA (dòng chìm) và 650mA (dòng nguồn). Nó cũng có chức năng khóa liên động tích hợp để ngăn ngừa đoản mạch giữa các bóng bán dẫn trên và dưới. L6387ED013TR tích hợp diode khởi động và bảo vệ khóa dưới điện áp VCC (UVLO). Đầu vào logic của nó tương thích với các mức CMOS/TTL và đầu ra chuyển đổi cùng pha với đầu vào, khiến nó trở thành giải pháp ưu tiên để triển khai các trình điều khiển giai đoạn công suất nhỏ gọn và đáng tin cậy.

II. Thông số kỹ thuật (L6387ED013TR)
Cấu hình ổ đĩa: Half-bridge (High-Side & Low-Side), kênh đôi độc lập
Loại tải ổ đĩa: MOSFET kênh N / IGBT
Điện áp cung cấp VCC: Lên đến 17V (thông thường 15V)
Điện áp nổi phía cao (Bootstrap): Lên tới 600V
Dòng điện đầu ra cực đại: Dòng nguồn 400mA / Dòng xả 650mA
Khả năng tương thích logic đầu vào: CMOS / TTL (VIH ≈ 3.6V, VIL ≈ 1.5V)
Thời gian tăng/giảm (tải 1nF): tr ≈ 50ns / tf ≈ 30ns
Độ trễ truyền: Điển hình 110ns (tpHL) / 105ns (tpLH)
Miễn dịch dV/dt: ±50 V/ns (toàn dải nhiệt độ)
Chức năng bảo vệ: Khóa dưới điện áp VCC (UVLO), khóa liên động tích hợp
Diode khởi động tích hợp: Có
Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C (nhiệt độ điểm nối)
Loại gói: SO-8 (8-SOIC, rộng 3,90 mm)

III.L6387ED013TRCác tính năng chính:
Đường ray cao thế 600V: Phần nổi phía cao chịu được điện áp lên tới 600V
Khả năng miễn dịch dV/dt tuyệt vời: Lên tới ±50 V/nsec trên toàn bộ phạm vi nhiệt độ
Khả năng truyền động mạnh mẽ: dòng điện chìm 400 mA / dòng nguồn 650 mA
Thời gian chuyển đổi nhanh: Thời gian tăng/giảm 50/30 nsec (tải 1 nF)
Đầu vào kích hoạt CMOS/TTL Schmitt: Với chức năng trễ và kéo xuống
Diode khởi động tích hợp: Không cần diode bên ngoài
Đầu ra cùng pha với đầu vào
Chức năng khóa liên động: Ngăn chặn cả hai đầu ra được đặt ở mức cao đồng thời
Bảo vệ thấp áp (UVP)

IV. Lĩnh vực ứng dụng
cácL6387ED013TRđược sử dụng rộng rãi trong các trường hợp sau:
Điều khiển động cơ – truyền động biến tốc, điều khiển động cơ tự động hóa công nghiệp
Biến tần – hệ thống biến tần điện
Bộ nguồn chuyển đổi chế độ (SMPS) – Ứng dụng SMPS
Tự động hóa công nghiệp – hệ thống điều khiển công nghiệp
Hệ thống quản lý điện năng – quản lý điện năng hiệu quả
Điện tử ô tô – được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng ô tô, phù hợp với môi trường khắc nghiệt

Mingjiada Electronics duy trì một kho hàng dài hạn đầy đủ các IC điều khiển cổng ST và các thiết bị nguồn. cácL6387ED013TRSO-8 có sẵn dưới dạng hàng chính hãng, hỗ trợ lấy mẫu và mua sắm số lượng lớn và nhỏ, cũng như dịch vụ thực hiện đơn hàng BOM bổ sung.

Để biết thêm thông tin về STL6387ED013TRtrình điều khiển cổng nửa cầu điện áp cao hoặc để hỏi về giá mẫu, vui lòng truy cập Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm chi tiết cung cấp.