Blog về công ty Phân phối điện tử Mingjiada Samsung KHA884901X-MC12 Bộ nhớ DRAM Aquabolt Series

Phân phối điện tử Mingjiada Samsung KHA884901X-MC12 Bộ nhớ DRAM Aquabolt Series

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.- Nhà cung cấp lâu dài của Samsung HBM2 Aquabolt series core model KHA884901X-MC12.nó đạt được cải thiện hiệu quả năng lượng đáng kể trong khi duy trì hiệu suất cao, cung cấp một giải pháp bộ nhớ băng thông cao phù hợp với các kịch bản máy tính cao cấp.

KHA884901X-MC12: Bộ nhớ dòng Samsung HBM2 Aquabolt, bộ nhớ xếp chồng 3D băng thông cao cho máy tính hiệu suất cao (HPC), suy luận AI và hiển thị đồ họa cao cấp, sử dụng gói MPGA.

KHA884901X-MC12 sử dụng công nghệ xếp chồng 3D TSV (Through-Silicon Via) tiên tiến của Samsung, sử dụng kết nối liên kết micro-bump giữa các lớp.Nó tích hợp nhiều DRAM chết trong một gói MPGA (Micro-Package Grid Array) nhỏ gọn, rút ngắn đáng kể các đường truyền dữ liệu để cung cấp cả băng thông cao và độ trễ thấp. Nó tích hợp liền mạch với các quy trình 2.5D CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate),cho phép ghép chặt chẽ với GPU và chip gia tốc để tiết kiệm không gian PCB và giảm tổn thất liên kếtĐiều này làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng cốt lõi bao gồm các cụm siêu máy tính, máy chủ đào tạo / suy luận AI, trạm làm việc đồ họa chuyên nghiệp cao cấp,và bộ xử lý mạng thông suất cao (NPU).

KHA884901X-MC12 Thông số kỹ thuật cốt lõi:
Dòng: Dòng Aquabolt HBM2
Capacity: 8 GB
Tốc độ: Tối đa 6,4 Gbps
Độ rộng bit / Giao diện: 1024-bit bus
Tốc độ pin đơn: 2,0 Gbps, tương ứng với 256 GB / s mỗi die (2,0 Gbps × 1024 bit ÷ 8); Điện áp: 1,2V (thực lượng hiệu quả hơn 1,35V của Flarebolt)
Chu kỳ làm mới: 32 ms
Quá trình và xếp chồng: Sử dụng công nghệ xếp chồng 3D TSV (Through-Silicon Via) với kết nối liên kết micro-bump giữa các lớp.rút ngắn đáng kể đường dẫn dữ liệu

KHA884901X-MC12 cung cấp dung lượng 8GB mỗi die, đáp ứng nhu cầu thiết bị cao cấp cho lưu trữ bộ nhớ đệm và truyền dữ liệu quy mô lớn.Tốc độ 0Gbps cho mỗi pin cung cấp băng thông 256GB / s cho mỗi die, xử lý hiệu quả chuyển dữ liệu song song lớn để giảm bớt các nút thắt băng thông bộ nhớ trong các hệ thống máy tính hiệu suất cao.giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng và áp suất nhiệt so với 1.35V của loạt Flarebolt trước đây trong khi duy trì hiệu suất tương đương. Điều này làm cho nó phù hợp hơn cho việc triển khai tủ mật độ cao và hoạt động tải trọng cao kéo dài.Với chu kỳ làm mới 32ms, nó đảm bảo lưu trữ dữ liệu ổn định và đáng tin cậy, thích nghi với môi trường hoạt động đòi hỏi của các ứng dụng công nghiệp và máy chủ.

Các đặc điểm của sản phẩm KHA884901X-MC12:
Kiến trúc 4n prefetch, truy cập đọc / ghi bộ nhớ 256 bit mỗi chu kỳ
BL=4
Độ rộng 128 bit DQ + hỗ trợ chân ECC cho mỗi kênh
Hoạt động chế độ giả kênh
Sản phẩm chỉ hỗ trợ chế độ giả kênh
Nhập đồng hồ khác biệt (CK_t/CK_c)
Chip lõi hỗ trợ 2 kênh trong chế độ 4H / 8H
16 ngân hàng được hỗ trợ cho mỗi kênh trong chế độ 4H/8H
Hỗ trợ nhóm ngân hàng
2K hoặc 4K byte mỗi trang
DBIac có thể cấu hình thông qua MRS
Máy che dữ liệu với khả năng che ghi ở cấp byte
Chế độ tự làm mới
Điện áp I/O: 1,2V
Điện áp lõi DRAM: 1.2V (độc lập với điện áp I/O)
mật độ kênh 4H: 4Gb, mật độ kênh 8H: 8Gb
Giao diện dữ liệu / địa chỉ / lệnh / đồng hồ bị phá hủy
Cảm biến nhiệt độ với đầu ra phạm vi mã hóa 3 bit

Các kịch bản ứng dụng KHA884901X-MC12:
Các nhóm siêu máy tính và HPC
Máy chủ đào tạo / suy luận AI (ví dụ: nền tảng GPU trung tâm dữ liệu NVIDIA và AMD ban đầu)
Máy trạm làm việc cao cấp, thiết bị hiển thị đồ họa chuyên nghiệp
Đơn vị xử lý mạng băng thông cao (NPU)

Mingshiada ElectronicsCung cấp dài hạn của KHA884901X-MC12: bộ nhớ dòng Samsung HBM2 Aquabolt. Để biết thêm thông tin về sản phẩm hoặc để yêu cầu mẫu của KHA884901X-MC12, vui lòng truy cập trang web chính thức của Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết chi tiết về nguồn cung.