Blog về công ty Mingjiada Electronics cung cấp Infineon IRF6894MTRPBF: MOSFET HEXFET kênh N 25V, 1.3mΩ Điện trở cực thấp

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada cung cấp nguồn cung cấp ổn định, lâu dài của IRF6894MTRPBF MOSFET công suất HEXFET kênh N hiệu suất cao.

IRF6894MTRPBF Tổng quan sản phẩm
IRF6894MTRPBF là MOSFET kênh N hiệu suất cao do Infineon Technologies giới thiệu. Thiết bị nguồn này, kiểu IRF6894MTRPBF, sử dụng công nghệ HEXFET tiên tiến để mang lại hiệu suất điện vượt trội.

Là một sản phẩm chủ chốt trong danh mục đầu tư của Mingjiada Electronics, IRF6894MTRPBF đã được thị trường công nhận rộng rãi nhờ điện trở cực thấp 1.3mΩ. Với điện áp nguồn-thoát là 25V, nó là một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng điện áp từ trung bình đến thấp. IRF6894MTRPBF sử dụng gói DirectFET MX. Thiết kế gói độc đáo này không chỉ tăng cường hiệu suất nhiệt mà còn giảm diện tích PCB.

Các đặc điểm kỹ thuật chính của IRF6894MTRPBF bao gồm:
• Điện áp nguồn-thoát (Vdss): 25V
• Dòng điện thoát liên tục (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• Điện trở khi mở (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A, 10V
• Điện áp điều khiển cổng: 4.5V đến 10V
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -40°C đến 150°C (TJ)
• Loại gói: DirectFET™ MX Surface Mount

Thông số kỹ thuật chi tiết
Nhà sản xuất: Infineon Technologies
Số hiệu linh kiện: IRF6894MTRPBF
Loại thiết bị: MOSFET công suất kênh N
Nền tảng công nghệ: HEXFET®, DirectFET™
Điện áp đánh thủng (V_DSS): 25V (Tối thiểu)
Điện trở khi mở (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (điển hình)
Dòng điện thoát liên tục (I_D): 200A @ T_C=100°C, 320A @ T_C=25°C
Dòng điện thoát xung (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
Điện áp ngưỡng cổng (V_GS(th)): 1.6V ~ 2.5V (Điển hình 2.0V)
Điện áp điều khiển cổng (V_GS): Khuyến nghị +10V, Tối đa ±20V
Tổng điện tích cổng (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
Điện tích cổng-nguồn (Q_gs): 12nC
Điện tích cổng-thoát (Q_gd): 6nC
Điện dung đầu vào (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
Điện dung đầu ra (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
Điện dung chuyển tiếp ngược (C_rss): 360pF
Điện tích phục hồi ngược (Q_rr): 120nC (điển hình)
Năng lượng tuyết lở (E_AS): 600mJ (xung đơn)
Dòng tuyết lở (I_AR): 200A
Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +175°C (nhiệt độ tiếp giáp)
Loại gói: DirectFET™ Medium Can
Kích thước gói: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
Số chân: 7+1 (7 chân chức năng + 1 miếng tản nhiệt)
Điện trở nhiệt (R_thJC): 0.5°C/W (Đáy) + 1.2°C/W (Đỉnh)
AEC-Q101: Đã vượt qua Cấp 0
Xếp hạng ESD: HBM Class 1C (1000V~2000V)
Tình trạng RoHS: Tuân thủ RoHS3, Không chứa Pb
Không chứa halogen: Có

IRF6894MTRPBF Tính năng sản phẩm:
Sử dụng công nghệ silicon thế hệ tiếp theo của IR
Cung cấp hiệu quả tối ưu cho các ứng dụng buck đồng bộ đầu vào 12V

IRF6894MTRPBF Ứng dụng:
Máy chủ thế hệ tiếp theo, máy tính để bàn và PC xách tay

Thông tin mua hàng
Số hiệu linh kiện: IRF6894MTRPBF
Nhà sản xuất: Infineon Technologies
Loại thiết bị: MOSFET HEXFET kênh N
Nền tảng công nghệ: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Đã vượt qua Cấp 0
Tình trạng RoHS: Tuân thủ RoHS3, Không chứa Pb
Số lượng đặt hàng tối thiểu: Hỗ trợ linh hoạt, có sẵn mẫu
Tình trạng: Có hàng trong kho, giao hàng trong ngày
Phạm vi giá: Giá theo tầng dựa trên khối lượng mua hàng

Để biết thông tin hoặc nhu cầu mua hàng liên quan đến IRF6894MTRPBF, vui lòng liên hệ với chúng tôi bất cứ lúc nào:
Điện thoại: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Trang chủ: https://www.integrated-ic.com/